IXYS VVZ110-12IO7

IXYS VVZ110-12IO7 – это высоковольтный MOSFET-транзистор, разработанный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных и силовых электронных системах.

Основные технические характеристики:

• Тип прибора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 110 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,12 Ом (при V_GS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Мощность рассеяния (P_D): 300 Вт
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Ключевые особенности:

• Высокая скорость переключения
• Низкое сопротивление в открытом состоянии
• Высокая устойчивость к динамическим нагрузкам
• Оптимизирован для работы в жестких условиях

Альтернативные парт-номера и аналоги:

• IXYS VVZ110-12IO7 (оригинал)
• IXFH110N12T (аналог с похожими параметрами)
• Infineon IPW60R120P7 (аналог, 1200 В, 60 А)
• STMicroelectronics STW75N120 (аналог, 1200 В, 75 А)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH110N12

Совместимые модели и применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Индукционные нагреватели
• Системы электропитания в промышленности

Если вам нужны более точные аналоги или дополнительная информация по заменам, уточните условия эксплуатации (частоты переключения, температурный режим и т. д.).