Powerex T7S01475

Конечно! Вот подробное описание, технические характеристики и список совместимости для силового транзистора IGBT Powerex T7S01475.

Описание

Powerex T7S01475 — это дискретный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-3P(N), предназначенный для применения в мощных силовых электронных устройствах.

Этот компонент является частью серии T7S, которая характеризуется:

• Низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): Это означает высокий КПД, так как на самом транзисторе рассеивается меньше мощности в открытом состоянии.
• Высокой скоростью переключения: Что позволяет использовать его в инверторах и преобразователях частоты с высокой несущей частотой ШИМ.
• Встроенным быстрым диодом: Диод, включенный антипараллельно (обратно-восстанавливающий диод, FRD), необходим для работы на индуктивную нагрузку, например, в мостовых схемах инверторов.
• Промышленным качеством и надежностью: Компонент рассчитан на работу в жестких промышленных условиях.

Основные области применения:

• Частотные преобразователи (инверторы)
• Промышленные сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП) большой мощности
• Индукционные нагреватели

Технические характеристики

В таблице ниже приведены ключевые параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 | В | | Максимальный ток коллектора (при 100°C) | I_C @ 100°C | 25 | А | | Максимальный ток коллектора (импульсный) | I_CM | 50 | А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 2.3 (тип.) | В | | (при I_C = 25А, V_GE = 15В) | | | | | Напряжение затвор-эмиттер | V_GES | ±20 | В | | Сопротивление теплопередачи (переход-корпус) | R_θJC | 0.70 | °C/Вт | | Сопротивление теплопередачи (переход-среда) | R_θJA | 40 | °C/Вт | | Мощность рассеяния (при T_C = 25°C) | P_C | 200 | Вт | | Температура перехода | T_J | -40 до +150 | °C | | Входная емкость | C_ies | 1800 | пФ | | Заряд затвора | Q_g | 140 | нКл |

Параметры встроенного обратного диода: | Максимальный прямой ток | I_F | 25 | А | | Прямое напряжение диода | V_F | 2.0 (тип.) | В | | Время обратного восстановления | t_rr | 120 | нс |

Парт-номера и совместимые модели

Этот транзистор является частью семейства и имеет прямые аналоги от других производителей, а также может быть совместим с другими моделями в зависимости от схемы.

Прямые аналоги и парт-номера:

• Mitsubishi Electric CM75TU-12H: Компания Mitsubishi Electric является материнской для Powerex, и это часто прямой аналог или оригинальная модель.
• Mitsubishi CM75TU-12H
• Powerex T7S14-75 (альтернативное написание того же номера)

Совместимые / Аналогичные модели (для замены):

При поиске замены обязательно сверяйтесь с даташитами, так как могут быть незначительные отличия в параметрах, которые критичны для вашей схемы. Ключевые параметры для поиска аналога: V_CES = 600В, I_C = 25-30А, корпус TO-3P(N).

Популярные аналоги от других производителей:

• SEMIKRON: SKM75GB12T4 (хотя это, скорее, модуль, но по мощности и току близок)
• Fuji Electric: 2MBI75N-060 (также модуль)
• International Rectifier (Infineon): IRG4PH30UD (более старый аналог, требует проверки по даташиту)
• Toshiba: GT25Q101 (требует проверки)

Важные замечания по замене:

1. Корпус: Убедитесь, что аналог имеет такой же корпус TO-3P(N) для совместимости с креплением и радиатором.
2. Характеристики: Особое внимание уделите напряжению V_CES, току I_C, напряжению насыщения V_CE(sat) и заряду затвора Q_g. Сильные отличия в Q_g могут потребовать изменения драйвера затвора.
3. Встроенный диод: Наличие и параметры встроенного обратного диода критически важны для большинства схем.

Рекомендация: Всегда старайтесь найти оригинальный компонент Powerex T7S01475 или его прямой аналог Mitsubishi CM75TU-12H для гарантированной работы и надежности.