SMC MGPM20N-50

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора SMC MGPM20N-50.

Описание

SMC MGPM20N-50 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Super-Mesh™. Ключевые особенности этого транзистора:

• Высокое напряжение: Рассчитан на работу в цепях с напряжением до 500 В, что делает его пригодным для сетевых (off-line) применений.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Очень низкое значение сопротивления в открытом состоянии (0.20 Ом при 10В на затворе) минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов, повышая общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии Super-Mesh и низким емкостям, транзистор способен работать на высоких частотах, что важно для современных импульсных источников питания.
• Улучшенная стойкость к лавинному пробою (UIS): Обладает повышенной надежностью в условиях импульсных перенапряжений, характерных для индуктивных нагрузок.
• Планарная технология: Обеспечивает высокую повторяемость параметров и надежность.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, промышленного оборудования.
• Сетевые инверторы и преобразователи (PFC, мостовые, прямоходовые схемы).
• Управление мощными двигателями и индуктивными нагрузками.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, Enhancement Mode | — | | Макс. напряжение "сток-исток" | Vdss | 500 В | — | | Макс. постоянный ток стока | Id | 20 А | при Tc=25°C | | Сопротивление "сток-исток" (откр.) | Rds(on) | 0.20 Ом | Vgs=10 В, Id=10 А | | | | 0.25 Ом | Vgs=10 В, Id=20 А (тип.) | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 3.0 - 5.0 В | Vds=Vgs, Id=250 мкА | | Макс. напряжение "затвор-исток" | Vgs | ±30 В | — | | Общий заряд затвора | Qg | 60 нКл (тип.) | Vds=400 В, Id=20 А, Vgs=10 В | | Время включения / выключения | tr / tf | 35 нс / 35 нс (тип.) | — | | Макс. рассеиваемая мощность | Pd | 190 Вт | при Tc=25°C | | Корпус | — | TO-247 (или TO-3PF) | Изолированный или нет (уточнять у производителя) | | Диод исток-сток (встроенный) | — | Есть | Быстрый восстановительный диод |

Парт-номера и прямые аналоги

Транзисторы с аналогичными или очень близкими параметрами от других производителей. Внимание: При замене всегда сверяйтесь с даташитом, особенно по динамическим характеристикам (Qg, емкости) и схеме подключения корпуса.

| Производитель | Парт-номер | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP20NM50FP | Очень близкий и популярный аналог в корпусе TO-220FP (изолированный). | | STMicroelectronics | STP20NM50 | Тот же кристалл, но в корпусе TO-220 (не изолированный). | | Infineon | SPP20N50S5 | Аналог от Infineon в линейке CoolMOS™. | | Fairchild/ON Semiconductor | FQP20N50 | Аналог в корпусе TO-220. | | International Rectifier | IRFP450 | Классический аналог, 500В, 14А, Rds(on) 0.40 Ом. По току слабее, но часто используется в схожих схемах. | | NXP | BUK20N50-50E | — |

Важно: У самого SMC (или его партнеров) транзистор может поставляться под разными индексами в зависимости от корпуса (например, MGPM20N50, MGP20N50). Номер MGPM20N-50 часто указывает на корпус TO-247.

Совместимые модели (для замены в аппаратуре)

Этот транзистор часто используется в качестве силового ключа в конкретных моделях оборудования. Он может быть совместим или прямым оригиналом для:

• Блоки питания для ПК и серверов: Мощные БП от 500W и выше, особенно в канале +12В или в схеме PFC.
• Инверторы и сварочные аппараты: В первичной цепи инвертора.
• ИБП (UPS): В инверторном каскаде онлайн и линейно-интерактивных ИБП средней мощности.
• Промышленные контроллеры: Для управления двигателями, соленоидами.

Рекомендации по замене:

1. STP20NM50FP — наиболее безопасный и распространенный аналог для ремонта, если позволяет пространство (корпус TO-220FP с изолирующей теплопроводящей прокладкой).
2. При замене на аналог в другом корпусе (например, с TO-247 на TO-220) обязательно проверьте возможность монтажа и теплоотвода.
3. Убедитесь, что новый транзистор имеет сопоставимое или меньшее значение Rds(on) и достаточный максимальный ток.
4. Обратите внимание на емкость затвора (Qg). Если она значительно отличается, может потребоваться проверка работы драйвера затвора.

Перед установкой всегда проверяйте транзистор на пробой мультиметром в режиме диода (между стоком и истоком, приложив + к стоку, - к истоку должно показывать падение на внутреннем диоде, в обратном направлении — обрыв).