Infineon 2N06L13

Конечно, давайте разберем информацию по компоненту Infineon 2N06L13.

Сразу стоит уточнить, что стандартный формат маркировки Infineon для таких компонентов — IPP060N06L13 (или аналогичный в других корпусах). "2N06L13", скорее всего, является сокращенной записью или частью кода, указывающей на ключевые параметры: N-канальный, 60В, технология L13 (OptiMOS™). Мы будем рассматривать компонент IPP060N06L13 как наиболее вероятного кандидата, так как он точно соответствует указанной технологии и параметрам.

Это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высокоэффективных приложений.

Описание

Infineon IPP060N06L13 (аналог 2N06L13) — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 6. Данная технология обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления открытого канала (RDS(on)) в сочетании с отличной переключательной характеристикой.

Основные преимущества и области применения:

• Высокая эффективность: Низкое RDS(on) минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая плотность мощности: Позволяет создавать более компактные и мощные решения.
• Быстрое переключение: Подходит для высокочастотных импульсных преобразователей.
• Надежность: Высокая стойкость к перегрузкам и качественная конструкция.
• Типичные применения:
  • Силовые цепи материнских плат и серверов (VRM - Voltage Regulator Module)
  • Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS)
  • DC-DC преобразователи
  • Управление двигателями
  • Автомобильная электроника (например, системы управления электродвигателями)

Технические характеристики (для IPP060N06L13)

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный | - | MOSFET | | Технология | OptiMOS™ 6 | - | | | Корпус | TO-220 | - | Открытый | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 60 | В | | | Сопротивление откр. канала (R_DS(on)) | 0.60 | мОм | при V_GS = 10 В, I_D = 60 А | | Максимальный ток стока (I_D) | 160 | А | при T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток (I_DM) | 560 | А | | | Напряжение отсечки (V_GS(th)) | 2.1 - 4.0 | В | | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (V_GS) | ±20 | В | | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~ 130 | нКл | при V_GS = 10 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 | Вт | при T_C = 25°C | | Диод "Сток-Исток" | Есть | - | Встроенный обратный диод |

Примечание: Характеристики могут незначительно отличаться в зависимости от производителя партии и корпуса. Всегда сверяйтесь с официальным даташитом для вашего конкретного заказа.

Парт-номера и совместимые модели

Поскольку "2N06L13" — это, вероятно, обобщающий код, вот список прямых аналогов и парт-номеров от Infineon и других производителей с похожими характеристиками.

1. Прямые аналоги от Infineon (в разных корпусах):

Эти компоненты имеют одинаковую кремниевую структуру (чип), но размещены в разных корпусах.

• IPP060N06L13 G (TO-220) - самый вероятный кандидат.
• IPB060N06L13 G (TO-263-3, D²PAK) - корпус для поверхностного монтажа (SMD).
• IPLU060N06L13 G (TO-262) - аналог TO-220, но с другим форм-фактором выводов.

2. Совместимые / аналогичные модели от других производителей:

При поиске аналога обращайте внимание на ключевые параметры: V_DSS = 55-60В, I_D > 150А, R_DS(on) < 1 мОм.

• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDP0610 (60V, 160A, 0.60 мОм)
• Vishay / Siliconix:
  • SQJ414EP (60V, 170A, 0.60 мОм) - это силовой модуль, но с очень близкими параметрами.
  • SUD60N06-60L (60V, 60A, 6.5 мОм) - внимание: у этого параметры слабее, он не является прямым аналогом по току.
• STMicroelectronics:
  • STP160N6F7 (60V, 160A, 1.7 мОм) - R_DS(on) выше.
  • STL160N6F7 (60V, 160A, 1.7 мОм) - в корпусе D²PAK.
• Texas Instruments:
  • CSD17573Q3 (60V, 130A, 1.9 мОм) - параметры слабее.

Важно: При замене компонента всегда необходимо сверяться с даташитами как оригинальной, так и заменяемой детали. Обращайте внимание не только на электрические параметры, но и на распиновку корпуса, тепловые характеристики и характеристики встроенного диода.