Infineon 47N60

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для транзистора Infineon 47N60.

Описание

Infineon 47N60 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™. Данная серия транзисторов оптимизирована для работы в импульсных источниках питания (SMPS) и других силовых приложениях, где критически важны высокий КПД, надежность и стойкость к перегрузкам.

Ключевые особенности, которые делают этот транзистор популярным:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Позволяет минимизировать проводимостные потери и нагрев в открытом состоянии, что повышает общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Технология CoolMOS обеспечивает малые времена включения/выключения, что снижает коммутационные потери.
• Высокое пробивное напряжение 600 В: Делает транзистор устойчивым к выбросам напряжения в сетевых (линейных) источниках питания.
• Высокая стойкость к лавинному пробою (Avalanche Rugged): Транзистор способен выдерживать кратковременные импульсы напряжения, превышающие его рабочее напряжение, что повышает надежность схемы в тяжелых условиях работы.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление, снижая требования к драйверу затвора.

Типичные применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, промышленного оборудования.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC).
• Инверторы и сварочное оборудование.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | CoolMOS™ | | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Улучшенная технология | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 600 В | | | Непрерывный ток стока (ID при 25°C) | 47 А | | | Импульсный ток стока (IDM) | 188 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.065 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 24 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ± 30 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 120 нКл (тип.) | При VDS = 480 В, ID = 47 А | | Время включения (tr) | 35 нс (тип.) | | | Время выключения (tf) | 22 нс (тип.) | | | Корпус | TO-247 | | | Рабочая температура перехода (Tj) | от -55 °C до +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers)

Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах или с разными префиксами. Основные парт-номера для этого транзистора:

• SPP47N60C3 — один из самых распространенных парт-номеров для этого транзистора.
• SPP47N60C3XKSA1 — полный номер для заказа.
• 47N60C3 — часто используется как сокращенное обозначение.

Важно: При заказе всегда указывайте полный парт-номер (например, SPP47N60C3), чтобы избежать путаницы.

Совместимые модели (Аналоги)

При поиске аналога для замены необходимо обращать внимание на ключевые параметры: напряжение VDSS, ток ID, сопротивление RDS(on) и корпус. Идеального "пин-ту-пин" аналога может не существовать, поэтому всегда сверяйтесь с даташитом.

Вот список популярных и близких по характеристикам аналогов от других производителей:

Прямые или очень близкие аналоги (600В, ~47А, TO-247)

• STMicroelectronics:
  • STW47N60M2 — очень близкий по параметрам аналог.
  • STP47N60M2 (в корпусе TO-220) — аналог в другом корпусе.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP47N60 — мощный MOSFET с похожими характеристиками.
  • FCH47N60 — аналог от Fairchild.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP47N06-08 — может быть совместим по характеристикам (требует проверки даташита).
• IXYS:
  • Производит много мощных MOSFET, можно подобрать аналог по параметрам, например, серии IXFH47N60.

Аналоги с "запасом" по параметрам (для повышения надежности)

Если требуется больший запас по току или меньшее сопротивление:

• Infineon 50N60 (50А, 0.065 Ом)
• Infineon 60N60 (60А, 0.045 Ом)
• STMicroelectronics STW60N60M2 (60А, 0.045 Ом)

Важное замечание по замене

Перед заменой всегда необходимо:

1. Сравнить распиновку корпусов (TO-247 может иметь разное расположение Drain).
2. Проверить значения заряда затвора (Qg) и внутренних паразитных емкостей, так как они влияют на работу драйвера. Замена на транзистор с сильно отличающимся Qg может потребовать доработки цепи управления.
3. Убедиться в совместимости характеристик диода обратного восстановления (Body Diode), особенно в мостовых и инверторных схемах.

Для окончательного выбора аналога рекомендуется использовать сервисы сравнения компонентов (например, на сайтах Octopart, LCSC, Mouser, Digikey) или обратиться к технической документации (даташитам) на конкретные модели.