Infineon 804SF2

Отличный выбор! Infineon 804SF2 — это высоковольный N-канальный силовой MOSFET, разработанный специально для коммутации в жёстких условиях, характерных для импульсных источников питания (SMPS). Он является частью линейки CoolMOS™, известной своими рекордно низкими динамическими потерями и высокой эффективностью.

Вот подробное описание, характеристики и совместимые модели.

Описание и область применения

Infineon 804SF2 — это MOSFET с суперстепенью (Superjunction) технологии CoolMOS™. Его ключевая особенность — оптимизация для работы в резонансных и жёстких коммутационных топологиях с частотой переключения до нескольких сотен кГц.

Основные преимущества:

• Чрезвычайно низкие потери при переключении (E_oss, E_as): Это главное преимущество, позволяющее снизить нагрев и повысить общий КПД преобразователя, особенно в режимах с высокой частотой и при работе с нулевым/резонансным переключением (ZVS).
• Высокая стойкость к импульсным токам (I_pulse): Выдерживает значительные кратковременные перегрузки по току.
• Встроенный обратный диод (Body Diode) с хорошим временем восстановления (Q_rr).
• Высокая надёжность и стойкость к лавинным процессам: Важно для защиты от выбросов напряжения в индуктивных нагрузках.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, промышленного оборудования.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Сварочные инверторы.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC).
• Резонансные преобразователи (LLC, ZVS).

Технические характеристики (кратко)

• Тип транзистора: N-канальный, MOSFET, Superjunction (CoolMOS™).
• Корпус: TO-220 FullPAK (или просто TO-220). FullPAK означает, что задняя металлическая пластина (теплоотвод) изолирована от стока (D). Это позволяет крепить транзистор на общий радиатор без изолирующих прокладок, что улучшает тепловые характеристики.
• Полярность: Enhancement-mode (нормально закрытый).

Ключевые электрические параметры (при T_j=25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 800 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока | I_D | 4.3 А | При T_C=100°C (температура корпуса). | | Импульсный ток стока | I_DM | 17 А | Кратковременный пиковый ток. | | Сопротивление "сток-исток" во включ. состоянии | R_DS(on) | 1.2 Ом | Максимальное значение при V_GS=10 В. | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В. Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Заряд затвора (полный) | Q_g | ~ 24 нКл | Влияет на требования к драйверу затвора. | | Энергия переключения (общая) | E_oss | Очень низкая | Основное преимущество CoolMOS для ZVS. | | Заряд обратного восстановления встр. диода | Q_rr | ~ 0.9 мкКл | Характеристика встроенного диода. | | Макс. температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | |

Тепловые параметры:

• Тепловое сопротивление "переход-корпус" R_thJC ≈ 1.5 °C/Вт
• Тепловое сопротивление "переход-среда" R_thJA ≈ 62 °C/Вт (без радиатора, на плате)

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Оригинальный номер Infineon:

• SPP04N80C3 — это основной и полный парт-номер для транзистора в корпусе TO-220 FullPAK. Именно его нужно искать в спецификациях.
• Маркировка на корпусе обычно сокращённая: 804SF2.

2. Прямые функциональные аналоги и совместимые модели от других производителей (с близкими параметрами V_DSS=800В, I_D~4-5А):

• STMicroelectronics:
  • STP4NK80Z (или STP4NK80ZFP для изолированного корпуса) — очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог.
  • STP5NK80ZFP, STW5NK80Z
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FQP4N80 (TO-220), FQPF4N80 (TO-220F)
  • K3548 (часто встречается в блоках питания)
• Vishay / Siliconix:
  • IRFBE40 (более старый, но распространённый аналог).
• Power Integration (встроенные в сборки):
  • Хотя это не прямой аналог, в ремонте блоков питания на их чипах (TNY, TOP) часто используют именно такие дискретные MOSFET.

3. Совместимые модели из более новых/старых поколений Infineon CoolMOS:

• SPP04N80C3 (это и есть 804SF2, поколение C3).
• Более новые поколения (C6, C7, CFD7) имеют улучшенные параметры, но могут отличаться по цене и динамическим характеристикам. Прямая замена возможна, но лучше проверять разводку платы (особенно цепи затвора) на предмет возможных колебаний.
  • Пример: IPD60R360P7S (600В, но из нового поколения P7, для сравнения по технологичности).

Важные замечания при замене

1. Обязательная проверка: При замене в ремонте всегда проверяйте не только сгоревший транзистор, но и драйвер затвора, снабберные цепи, предохранитель и диодный мост. Часто выход MOSFETа из строя является следствием неисправности других компонентов.
2. Термопаста: При установке в корпус FullPAK изолирующая прокладка не нужна. Но обязательно используйте термопасту для улучшения теплового контакта с радиатором.
3. Параметры замены: При выборе аналога в первую очередь ориентируйтесь на V_DSS (не меньше!), I_D, R_DS(on) и корпус. Заряд затвора (Q_g) сильно влияет на работу драйвера — если он значительно отличается, драйвер может не справиться.
4. Поколения CoolMOS: Линейка постоянно развивается. 804SF2 (поколение C3) — это уже не самая новая разработка, но она остается надежным и популярным решением для ремонта и конструкций.

Вывод: Infineon 804SF2 (SPP04N80C3) — это классический, надежный силовой MOSFET для построения эффективных импульсных источников питания средний мощности. Его прямые аналоги (вроде STP4NK80Z) широко доступны и часто используются для взаимозаменяемости.