Infineon 9R120C
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon 9R120C
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для силового транзистора Infineon 9R120C.
Общее описание
Infineon 9R120C — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Этот транзистор принадлежит к семейству, оптимизированному для высокой эффективности и надежности в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, моторных приводах и других силовых приложениях, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.
Ключевая особенность — сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)), что позволяет минимизировать тепловыделение и повысить общий КПД системы.
Технические характеристики (основные параметры)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Обогащение | | Технология | OptiMOS™ | | | Корпус | TO-220 | Классический силовой корпус с отверстием для крепления радиатора | | Схема выводов | Стандартная: 1 - Затвор (Gate), 2 - Сток (Drain), 3 - Исток (Source) | | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 100 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Непрерывный ток стока (ID) | 75 А при Tc=25°C | При температуре корпуса 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 9.2 мОм (макс.) при VGS=10 В | Ключевой параметр. Чем меньше, тем ниже потери на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.0 - 4.0 В | Типовое ~3.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 60 нКл (тип.) | Влияет на легкость управления и потери на переключение | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 250 Вт | При идеальных условиях охлаждения (Tc=25°C) |
Парт-номера и аналоги (кросс-референсы)
Поскольку Infineon часто обновляет линейки и маркировку, а также из-за наличия прямых аналогов, этот транзистор может встречаться под разными номерами.
1. Основные парт-номера Infineon:
- SPP15N10C3 — Один из самых известных и исторических парт-номеров для 9R120C. Фактически, это одно и то же устройство под разной маркировкой.
- IPP15N10C3 — Вариант в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, без металлической площадки).
- В современных каталогах Infineon может фигурировать в составе более новых серий, но с сохранением ключевых параметров.
2. Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:
- International Rectifier (IR): IRF1405 (100В, 75А, 9.3 мОм) — практически полный аналог, один из самых популярных.
- STMicroelectronics: STP75NF10 (100В, 75А, 9.5 мОм).
- Vishay (Siliconix): SUD75N10-11 (100В, 75А, 11 мОм).
- Fairchild/ON Semiconductor: FDP75N10 (100В, 75А, 10.5 мОм).
Важное примечание по совместимости: Несмотря на схожесть ключевых параметров (VDSS, ID, RDS(on)), перед заменой всегда необходимо сверять:
- Распиновку выводов (особенно в SMD-корпусах) — у TO-220 она стандартная.
- Характеристики переключения (заряды Qg, Qgd) — могут отличаться и повлиять на работу драйвера на высоких частотах.
- Вольт-амперную характеристику и параметры внутреннего диода (если используется).
Типичные области применения
- Импульсные источники питания (SMPS): В качестве ключевого транзистора в низковольтных цепях (например, вторичная сторона 12В/24В).
- DC-DC преобразователи: В понижающих (Buck), повышающих (Boost) и мостовых схемах.
- Управление двигателями: В драйверах моторов постоянного тока, сервоприводов, вентиляторов.
- Инверторы и UPS: В силовых цепях низковольтных инверторов и источников бесперебойного питания.
- Усилители класса D (автомобильные аудиосистемы): В выходных каскадах.
Преимущества
- Высокая эффективность благодаря низкому RDS(on).
- Высокая стойкость к перегрузкам.
- Быстрое переключение, снижающее динамические потери.
- Надежность и проверенная временем технология OptiMOS™.
Резюме: Infineon 9R120C (он же SPP15N10C3) — это классический, мощный и надежный MOSFET, который долгое время был и остается "рабочей лошадкой" в силовой электронике. Благодаря удачному балансу параметров и наличию множества аналогов, он является отличным выбором для ремонта или разработки новых устройств.