Infineon BCP56-16

Infineon BCP56-16
Артикул: 561978

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BCP56-16

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon BCP56-16.

Описание и применение

BCP56-16 — это N-канальный биполярный транзистор (BJT) структуры NPN, выполненный по передовой технологии SOT-223. Он принадлежит к семейству "BCx56", известному своей высокой надежностью и хорошим соотношением цена/производительность.

Ключевые особенности:

  • Высокий коэффициент усиления по току (hFE): Обладает высоким и стабильным коэффициентом усиления, что позволяет управлять относительно большими токами нагрузки при малом токе базы.
  • Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)): Обеспечивает минимальные потери мощности в режиме насыщения (полного открытия), что повышает энергоэффективность.
  • Высокая допустимая нагрузка по току: Способен коммутировать токи до 1А, что делает его универсальным решением для многих задач.
  • Компактный корпус SOT-223: Занимает мало места на плате, но при этом имеет металлическую теплоотводящую площадку, что улучшает рассеивание тепла по сравнению с SOT-23.

Типичные области применения:

  • Управление нагрузками (реле, соленоиды, светодиоды, небольшие двигатели).
  • Драйверы шаговых двигателей.
  • Усилители тока в линейных и импульсных источниках питания.
  • Инверторы и логические интерфейсы.
  • Общие схемы переключения и усиления в потребительской и промышленной электронике.

Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 80 | В | | Напряжение коллектор-база | VCBO | 100 | В | | Напряжение эмиттер-база | VEBO | 5 | В | | Постоянный ток коллектора | IC | 1 | А | | Ток коллектора (импульсный) | ICM | 2 | А | | Рассеиваемая мощность (при Ta=25°C) | Ptot | 1.5* | Вт | | Температура перехода | Tj | от -55 до +150 | °C | | Температура хранения | Tstg | от -55 до +150 | °C |

Мощность сильно зависит от условий теплоотвода. При монтаже на плату с площадью медной полигона ~6 см², Ptot может достигать 2 Вт.

Основные электрические характеристики (Tj = 25°C, типовые/макс.)

| Параметр | Условия | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коэффициент усиления (hFE) | VCE=5V, IC=100mA | 160 - 360 | - | | Напряжение насыщения К-Э | IC=500mA, IB=50mA | 0.25 (макс. 0.5) | В | | Напряжение насыщения Б-Э | IC=500mA, IB=50mA | 1.0 (макс. 1.2) | В | | Граничная частота усиления | VCE=5V, IC=50mA | 130 | МГц |


Парт-номера и прямые аналоги (Direct Replacements)

Эти транзисторы имеют полную или очень высокую степень совместимости по распиновке, электрическим и предельным характеристикам. Могут использоваться для прямой замены без изменений в схеме.

  1. ON Semiconductor / Fairchild: BCP56-16 (идентичное название, так как Infineon приобрела линейку у Fairchild).
  2. STMicroelectronics: BCP56-16 (полный аналог).
  3. Nexperia: BCP56-16 (полный аналог).
  4. Diodes Incorporated: BCP56-16 (полный аналог).
  5. Мыльцово (Россия): КТ3151В (отечественный функциональный аналог в корпусе SOT-223).

Совместимые и близкие по характеристикам модели (Alternatives/Cross-Reference)

Эти транзисторы имеют схожие параметры, но могут незначительно отличаться по коэффициенту усиления (hFE), частоте или предельным напряжениям. Требуется проверка даташита перед заменой в критичных узлах.

Из того же семейства (разные значения hFE):

  • BCP56-10 (hFE = 85 - 170)
  • BCP56-25 (hFE = 160 - 400)

Совместимые PNP-транзисторы (для комплементарных пар):

  • BCP53-16 (PNP, hFE = 100 - 250) — прямой комплементарная пара для BCP56-16.

Аналоги в корпусе SOT-223 с близкими параметрами:

  • MMBT4401 / PXT4401 (аналоги в SOT-223 для популярного MMBT4401 в SOT-23). VCEO=60В, IC=600mA.
  • FMMT617 / FMMT618 (от Diodes Inc.). Высокий hFE, VCEO=60В.
  • 2SC2411K (от Rohm и других). VCEO=50В, IC=1A.

Более мощные аналоги (в корпусах TO-92, TO-126, SOT-89):

  • 2N5551 (VCEO=160В, IC=0.6A) — для более высоких напряжений.
  • BD139 (VCEO=80В, IC=1.5A) — средняя мощность.
  • КТ815Г, КТ817Г (отечественные, IК=3А) — требуют проверки распиновки и монтажа.

Важное примечание по замене:

Всегда сверяйтесь с техническими описаниями (даташитами) обоих компонентов, особенно обращая внимание на:

  1. Распиновку (pinout) корпуса SOT-223.
  2. Класс усиления (hFE группу) — если он критичен для стабильности работы схемы.
  3. Частотные характеристики, если транзистор работает в импульсных или ВЧ-схемах.

Товары из этой же категории