Infineon BCW66KHE6327

Infineon BCW66KHE6327
Артикул: 562159

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BCW66KHE6327

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon BCW66KHE6327, его технические характеристики, а также список парт-номеров и совместимых аналогов.

Описание

Infineon BCW66KHE6327 — это маломощный биполярный NPN-транзистор общего назначения, предназначенный для широкого спектра применений в усилительных и переключающих схемах.

  • Тип: NPN
  • Корпус: SOT-23 (3 вывода) — компактный поверхностный монтаж (SMD), что делает его идеальным для плотной компоновки печатных плат в современной электронике.
  • Ключевые особенности: Этот транзистор характеризуется низким напряжением насыщения, высоким коэффициентом усиления по току (hFE) и низким собственным шумом, что делает его подходящим для предусилителей и обработки слабых сигналов.
  • Основные применения:
    • Усиление сигналов (низкочастотные и ВЧ-усилители)
    • Цифровые ключи (коммутация нагрузок)
    • Драйверы для маломощных реле, светодиодов и т.д.
    • Импульсные схемы
    • Используется в потребительской электронике, аудиоаппаратуре, источниках питания и системах управления.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

Характеристики приведены при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 45 В | Максимальное | | Напряжение коллектор-база | VCBO | 50 В | Максимальное | | Напряжение эмиттер-база | VEBO | 5 В | Максимальное | | Постоянный ток коллектора | IC | 100 мА | Максимальный | | Рассеиваемая мощность | Ptot | 250 мВт | При Tamb ≤ 25°C | | Коэффициент усиления по току (hFE) | | 200 - 450 | VCE = 5 В, IC = 2 мА | | Граничная частота усиления | fT | 100 МГц | VCE = 5 В, IC = 10 мА | | Напряжение насыщения кол.-эмит. | VCE(sat) | 0.25 В (макс.) | IC = 10 мА, IB = 0.5 мА | | Напряжение насыщения база-эмиттер | VBE(sat) | 0.9 В (макс.) | IC = 10 мА, IB = 0.5 мА | | Шумовое напряжение | en | 8 нВ/√Гц (тип.) | f = 1 кГц, IC = 100 мкА | | Рабочая температура перехода | Tj | от -55 до +150 °C | |


Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

Транзистор BCW66 является частью большой семьи, и у разных производителей есть свои версии. Модели в одном и том же корпусе и с одинаковым порядковым номером, как правило, являются прямыми аналогами.

Прямые аналоги (прямые замены) от других производителей:

  • NXP (Freescale): BCW66
  • ON Semiconductor: BCW66
  • Diodes Incorporated: BCW66
  • STMicroelectronics: BCW66
  • Fairchild (часть ON Semi): BCW66

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом конкретного производителя, так как некоторые параметры (например, разброс коэффициента усилия hFE) могут незначительно отличаться.

Близкие аналоги и аналоги в других корпусах:

  • BCW66 в корпусе SOT-23:
    • BCW67 — это PNP-комплементарная пара для BCW66.
    • BC847, BC848, BC849 — очень популярные NPN-транзисторы общего назначения с похожими характеристиками (часто используются вместе с BCW66).
    • 2N2222 — классический универсальный транзистор, но в корпусе THT (TO-92). Для замены SMD на THT может подойти.
    • MMBT2222 — SMD-версия транзистора 2N2222 в корпусе SOT-23.
    • 2SC2712, 2SC3356 — другие популярные NPN транзисторы общего назначения.

Как найти точный аналог:

При поиске аналога для BCW66KHE6327 обратите внимание на полную маркировку на корпусе. Обычно на маленьком SOT-23 корпусе наносится код, например, 1P или W1P. Этот код нужно использовать для поиска эквивалента, так как разные производители используют разные коды для одних и тех же электрических параметров.

Резюме: Infineon BCW66KHE6327 — надежный и распространенный NPN-транзистор для поверхностного монтажа. Его легко заменить на аналоги от NXP, ON Semiconductor и других крупных производителей, что делает его удобным для производства. При замене учитывайте код маркировки на корпусе.

Товары из этой же категории