Infineon BGM1033N7E6327XUSA1

Infineon BGM1033N7E6327XUSA1
Артикул: 562249

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BGM1033N7E6327XUSA1

Отличный выбор! BGM1033N7 — это высококачественный, надежный и широко используемый силовой полевой транзистор (MOSFET) от Infineon. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Краткое описание

Infineon BGM1033N7 — это N-канальный MOSFET в современном и компактном корпусе PG-TSDSON-8 (также известный как SuperSO8 или PowerSO8). Он предназначен для применения в схемах управления питанием, где критически важны высокий КПД, низкое энергопотребление и малые габариты.

Ключевое назначение: Коммутация высоких токов с минимальными потерями. Идеально подходит для:

  • Синхронное выпряление в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в низковольтных цепях.
  • DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие) на материнских платах, графических картах, серверах.
  • Управление нагрузкой в системах питания процессоров (VRM - Voltage Regulator Module).
  • Силовая электроника в телекоммуникационном и промышленном оборудовании.

Основные преимущества:

  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 1.6 мОм при 10 В, что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
  • Высокая энергоэффективность благодаря оптимизированному заряду затвора (Qg).
  • Компактный корпус с эффективным отводом тепла через открытую тепловую площадку (exposed pad) на нижней стороне.
  • Логический уровень управления (Logic Level): Полноценно открывается уже при напряжении на затворе 4.5 В, что позволяет управлять напрямую от современных контроллеров PWM.

Полное обозначение и расшифровка

BGM1033N7E6327XUSA1 — это полный порядковый номер (Ordering Code).

  • BGM: Серия OptiMOS 3, низковольтная логическая линейка.
  • 1033: Обозначение конкретной модели в серии.
  • N7: N-канальный, 7-е поколение технологии (в рамках OptiMOS 3).
  • E6327: Код упаковки (Tape & Reel, 13-дюймовая катушка).
  • XUSA1: Вариант маркировки и производственный код.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Корпус | PG-TSDSON-8 (SuperSO8) | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 30 В | Максимальное напряжение | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 30 В | Максимальное напряжение | | Непрерывный ток стока (Id) | 100 А | При Tc=25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.6 мОм | Vgs=10 В, Id=50 А | | | 2.0 мОм | Vgs=4.5 В, Id=50 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.35 - 2.35 В | Тип. 1.85 В | | Заряд затвора (Qg) | 60 нКл (тип.) | Vgs=10 В | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | | | Диод сток-исток | Есть (интегрированный обратный диод) | | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 4.2 Вт | При Tc=25°C | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | |


Прямые аналоги и парт-номера (Pin-to-Pin совместимые)

Следующие модели являются прямыми аналогами в том же корпусе SuperSO8 и имеют схожие или идентичные характеристики. Всегда проверяйте даташит для критичных параметров.

От Infineon (той же или более новой серии):

  • BSC010NE2LSI (OptiMOS 5, более новый, с лучшими параметрами)
  • BSC014N06LS (OptiMOS 3, очень близкий аналог)
  • IPD030N10N3 (N-канальный, 100В, если нужно выше напряжение)
  • Модели серий IPB*N10N3, IPP*N10N3 в корпусах D²PAK/TO-220 (для монтажа через отверстия, если нужна другая форма).

От других производителей:

  • Vishay (Siliconix): SQJ410EP (очень популярный и распространенный аналог)
  • ON Semiconductor: FDMS86255 (FDM - PowerTrench, отличный аналог)
  • STMicroelectronics: STL110N10F7 (STripFET F7)
  • Alpha & Omega Semiconductor: AON7410 (и другие из серии AON74xx)
  • Nexperia: PSMN1R0-30YLD (LFPAK56 - аналог корпуса)

Совместимые модели для замены (важные замечания)

При замене необходимо учитывать не только электрические параметры, но и:

  1. Распиновка (Pinout): Все перечисленные аналоги в корпусе SuperSO8 имеют одинаковую распиновку.
  2. Тепловые характеристики: Разные модели могут иметь разное тепловое сопротивление. При работе на пределе это важно.
  3. Паразитные емкости (Ciss, Coss, Crss) и заряд затвора (Qg): Влияют на скорость переключения и потери. Для высокочастотных преобразователей это критично.

Рекомендация: Для прямой замены в существующей схеме SQJ410EP (Vishay) и FDMS86255 (ON Semi) являются наиболее частыми и успешными кандидатами. BSC010NE2LSI (Infineon) — это более современный и эффективный "апгрейд" от того же производителя.

Где искать информацию? Всегда сверяйтесь с официальными даташитами (datasheet) на сайтах производителей (Infineon, Vishay, ON Semiconductor и т.д.) перед окончательным выбором аналога для вашего проекта.

Товары из этой же категории