Infineon BGS13GA14

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для RF-транзистора Infineon BGS13GA14.

Общее описание

Infineon BGS13GA14 — это N-канальный E-режим (enhancement-mode) транзистор с высокой подвижностью электронов (pHEMT), выполненный по передовой кремний-германиевой (SiGe) технологии. Он разработан специально для приложений усиления мощности на сверхвысоких частотах (СВЧ).

Ключевые особенности и применение:

• Основное назначение: Усилители мощности (PA) в мобильной инфраструктуре, особенно для маломощных сотовых станций, пикосот и фемтосот.
• Диапазон частот: Оптимизирован для работы в частотных диапазонах 3.4 - 3.8 ГГц, что делает его идеальным для стандартов LTE (Band 42, Band 43) и 5G NR в диапазонах n78, n77.
• Высокая эффективность: Обеспечивает отличное соотношение коэффициента усиления и линейности при высокой энергоэффективности, что критически важно для снижения энергопотребления базовых станций.
• Высокий коэффициент усиления: Позволяет сократить количество каскадов усиления в тракте, упрощая конструкцию и снижая стоимость системы.
• Корпус: Выполнен в современном, компактном и термостабильном корпусе PG-HVQFN-8-1 (также известном как DFN 2x2), который обеспечивает хорошие тепловые и высокочастотные характеристики.

Технические характеристики (Типовые значения, при Vd = 5В, Idq = 140 мА)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 3.4 - 3.8 ГГц | Оптимизированная рабочая полоса | | Выходная мощность (Pout) | +27 дБм (0.5 Вт) | При ACPR < -50 дБc для LTE | | Коэффициент усиления по мощности (Gps) | 17.5 дБ | На частоте 3.5 ГГц | | КПД (PAE) | 45% | Пиковый коэффициент усиления мощности | | Линейность (OIP3) | +42 дБм | Точка пересечения 3-го порядка | | Напряжение стока (Vd) | 5 В | Типовое рабочее напряжение | | Напряжение отсечки (Vth) | -0.75 В | Напряжение затвора для отсечки тока | | Ток стока (Idq) | 140 мА | Типовой ток смещения (квартирный) | | Электрическая прочность | > 20 В | Напряжение пробоя сток-исток | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 25 К/Вт | От перехода к корпусу | | Корпус | PG-HVQFN-8-1 (2x2 мм) | Бессвинцовый (Pb-free), совместимый с пайкой оплавлением |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги от Infineon

Infineon часто выпускает компоненты в рамках семейств или с различными маркировками для разных рынков. BGS13GA14 является частью такого семейства.

• BGS13GA14: Основной и самый распространенный номер для заказа.
• BGS13GA14E6327XTSA1: Полный номер для автоматизированного заказа (A-orderable part number). Суффикс указывает на тип упаковки (лента-кассета, без свинца и т.д.).
• В рамках одного семейства могут существовать версии с разными токами смещения (Idq), оптимизированные для компромисса между линейностью и эффективностью. Например, BGS13GA12 или BGS13GA10 могут иметь чуть меньшую выходную мощность или ток.

Совместимые и конкурирующие модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены или аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и корпус, схему включения (matching) и рабочую точку.

Прямые аналоги / Аналоги от других производителей:

Эти транзисторы имеют схожие характеристики, корпус и предназначены для той же частотной полосы.

• NXP (Ampleon)
  • CLF1G0035S-100: Очень близкий аналог по мощности, частоте и корпусу.
  • CLF1G0060S-100: Может иметь немного более высокую мощность.
• Qorvo
  • TQP9111: Транзистор pHEMT для схожих применений.
  • TQP9102: Аналог в похожем корпусе.
• MACOM
  • MAGB-000561-0001P: Транзистор pHEMT для инфраструктурных применений.
  • MAAP-008290: Усилитель в аналогичном корпусе.

Функциональные аналоги (для похожих задач, но могут отличаться параметрами):

• Infineon BGS12AL7N10: Более старое поколение, для диапазона 2.3 - 2.7 ГГц.
• Infineon BGS12S5N10: Для диапазона 2.5 - 2.7 ГГц.
• NXP CLF1G0040S-100: Для диапазона 2.3 - 2.7 ГГц.
• Broadcom (Avago) MGA-43128: Транзистор pHEMT для широкополосных применений.

Важные замечания при замене:

1. Даташит и evaluation board: Перед заменой обязательно изучайте официальный даташит и рекомендации по применению (Application Note) как для исходного, так и для заменяемого компонента.
2. Схема согласования: Параметры S-параметров и импедансы у аналогов могут отличаться. Схема согласования (matching network) на печатной плате, рассчитанная под BGS13GA14, скорее всего, потребует перерасчета и подстройки для другого транзистора для достижения заявленных характеристик.
3. Смещение (Bias): Напряжения смещения и рекомендуемый ток покоя (Idq) могут различаться. Необходимо проверить и, возможно, скорректировать цепь смещения.
4. Термостабильность: У разных моделей может быть разная чувствительность к изменению температуры.

Вывод: Infineon BGS13GA14 — это высокоэффективный и популярный транзистор для построения маломощных усилителей в базовых станциях 4G/5G. При поиске аналога CLF1G0035S-100 от NXP является наиболее прямым и часто используемым вариантом, но успешная замена всегда требует внимательной инженерной проработки.