Infineon BSC030N04NS

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET-транзистора Infineon BSC030N04NS.

Описание

Infineon BSC030N04NS — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 4. Этот транзистор предназначен для применения в силовых электронных устройствах, где ключевыми требованиями являются высокий КПД, малые потери и надежность.

Основные сферы применения:

• Системы питания материнских плат и серверов (ЦПУ, GPU VRM - модули регуляторов напряжения)
• ШИМ-контроллеры в мощных блоках питания и импульсных преобразователях
• Синхронное выпряление в DC-DC преобразователях
• Управление двигателями и другие приложения, требующие высокочастотного переключения.

Ключевые преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)) — всего 0,75 мОм, что минимизирует проводимые потери и нагрев.
• Высокая эффективность переключения благодаря низким емкостям и зарядам затвора.
• Оптимизирован для работы от логических уровней напряжения (затвором можно управлять напряжением 4.5 В и 10 В), что упрощает драйвер.
• Высокая стойкость к лавинному пробою обеспечивает надежность в условиях бросков напряжения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | OptiMOS™ 4 | | Стандартный парт-номер | BSC030N04NS | | | Корпус | TO-263-3 (D2PAK) | | | Количество выводов | 3 | | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 40 В | | | Непрерывный ток стока (I_D) | 230 А | При T_C = 25°C | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0,75 мОм (макс.) | V_GS = 10 В | | | 1,0 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.1 ÷ 3.1 В | Тип. 2.6 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Q_g) | 130 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Заряд затвора для включения (Q_gd) | 28 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Время включения (t_d(on)) | 13 нс (тип.) | | | Время выключения (t_d(off)) | 35 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | 110 нКл (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 417 Вт | При T_C = 25°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто используют свои собственные системы маркировки. BSC030N04NS — это парт-номер Infineon. У этого транзистора есть несколько вариантов маркировки:

• Полный номер (на чертежах и в спецификациях): BSC030N04NS
• Краткая маркировка на корпусе: Из-за ограниченного места на корпусе транзистора наносится сокращенный код. Для этой модели это, как правило, что-то вроде: 030N04NS или еще более короткий вариант. Для точной идентификации необходимо сверяться с даташитом (datasheet) от Infineon.

Совместимые модели и прямые аналоги

При поиске аналога или замены необходимо обращать внимание на ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on), корпус и заряды затвора.

Прямые или очень близкие аналоги от других производителей:

• Vishay / Siliconix:
  • SQJ230EP - Очень популярный и часто используемый аналог в том же корпусе с похожими характеристиками.
• ON Semiconductor (ныне часть of onsemi):
  • FDBL2301 - Мощный транзистор с сопоставимыми параметрами.
• STMicroelectronics:
  • STL230N4F7 - Аналог из линейки STripFET F7.
• Nexperia:
  • PSMN4R0-30YS - Хорошая альтернатива с низким R_DS(on).

Аналоги от самого Infineon (из других линеек или с улучшенными параметрами):

• BSC010N04LS (OptiMOS™ 4) — Имеет еще меньшее R_DS(on) (0,4 мОм), но, как правило, дороже.
• BSC016N04LS (OptiMOS™ 4) — Промежуточный вариант по сопротивлению.
• IAUC030N04S (OptiMOS™ 5) — Более новая генерация, обладает лучшими характеристиками потерь.

Важное примечание: Несмотря на то, что перечисленные модели являются аналогами, перед заменой обязательно необходимо свериться с текущей версией даташита как оригинальной детали, так и аналога. Особое внимание уделите распиновке (pinout), номинальным напряжениям затвора и значениям паразитных емкостей, так как даже небольшие отличия могут критично повлиять на работу схемы, особенно в высокочастотных преобразователях.