Infineon BSD316SNH6327XTSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon BSD316SNH6327XTSA1.

Описание

Infineon BSD316SNH6327XTSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой SGT (Split-Gate Trench) технологии от Infineon. Данная технология сочетает в себе низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и высокую стойкость к динамическим сбоям (avalanche ruggedness).

Ключевые особенности и преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление RDS(on): Всего 16.5 мОм при напряжении затвора 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и нагрев в ключевом режиме.
• Низкое пороговое напряжение затвора (VGS(th)): Позволяет эффективно управлять транзистором от низковольтных контроллеров (например, от 3.3 В или 5 В).
• Высокая энергоэффективность: Идеально подходит для приложений, где критично снижение энергопотребления.
• Компактный корпус: Выполнен в современном корпусе PG-TSDSON-8 (SuperSO8), который имеет малые габариты и два вывода стока для лучшего отвода тепла и снижения паразитной индуктивности.
• Безгалогенный и соответствующий RoHS: Отвечает современным экологическим стандартам.

Основные области применения:

• Системы управления питанием (DC-DC преобразователи, стабилизаторы)
• Схемы управления двигателями (например, в маломощных двигателях постоянного тока)
• Коммутация нагрузок в потребительской электронике
• Синхронное выпряление в импульсных источниках питания
• Модули управления батареями (BMS)

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | - | N-канальный, MOSFET | - | | Технология | - | SGT (Split-Gate Trench) MOS | - | | Корпус | - | PG-TSDSON-8 | - | | Сток-Исток Напряжение | V_DS | 30 В | - | | Непрерывный ток стока | I_D | 9.5 А | при T_C = 25°C | | Сопротивление сток-исток | R_DS(on) | 16.5 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 5.5 А | | | | 21 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 4.5 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 0.9 ... 1.8 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Макс. напряжение затвор-исток | V_GS | ±20 В | - | | Общий заряд затвора | Q_g (тип.) | 6.8 нКл | V_GS = 10 В | | Время включения | t_d(on) | 7.7 нс | - | | Время выключения | t_d(off) | 20 нс | - |

Парт-номер (Part Number) и аналоги

Полный порядковый номер (Ordering Code) выглядит так: BSD316SNH6327XTSA1. Однако производитель и дистрибьюторы могут использовать его в slightly different форматах.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• BSD316SNH6327 (основная часть номера, часто используется в поиске)
• В одной линейке находятся модели с другими значениями RDS(on) и тока, например: BSD312SN, BSD315SN.

Совместимые модели / Прямые аналоги от других производителей:

При поиске аналога необходимо ориентироваться на ключевые параметры: 30V, ~9.5A, RDS(on) ~16-20 мОм, SuperSO-8 (SO-8 с термопадой).

Наиболее вероятные аналоги от других брендов:

• ON Semiconductor (now onsemi):

  • NX3008NBK (30 В, 12 А, 16 мОм)
  • FDS6898A (30 В, 9 А, 13.5 мОм)

• STMicroelectronics:

  • STL110N3LLH6 (30 В, 11 А, 11 мОм)
  • STL180N3LLH6 (30 В, 18 А, 6.5 мОм) - более мощный, но проверять по цоколевке.

• Vishay / Siliconix:

  • SiS414DN (30 В, 10.5 А, 13.5 мОм)
  • SiS416DN (30 В, 11.5 А, 10.5 мОм)

• Diodes Incorporated:

  • DMN3012LSDQ-7 (30 В, 9 А, 19 мОм)

Важное примечание по совместимости: Перед заменой на аналог обязательно необходимо:

1. Свериться с datasheet на конкретную модель.
2. Проверить соответствие цоколевки (pinout) корпуса.
3. Убедиться, что критические для вашей схемы параметры (такие как заряд затвора Qg, емкости, параметры диода) находятся в допустимых пределах.

Транзистор Infineon BSD316SNH6327XTSA1 является отличным решением для компактных и эффективных низковольтных преобразователей и систем управления нагрузкой.