Infineon BSL308PEH6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSL308PEH6327XTSA1 — это высокоэффективный силовой MOSFET-транзистор, один из самых популярных в своем классе. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание

BSL308PEH6327XTSA1 — это N-канальный MOSFET в компактном и современном корпусе PG-TSDSON-8 (также известном как SuperSO8 или PowerSO8). Он принадлежит к серии OptiMOS™ 5, которая славится исключительно низким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) и превосходной эффективностью переключения.

Ключевые особенности и применение:

• Основное назначение: Высокоэффективное силовое переключение в цепях низкого напряжения.
• Ключевые преимущества: Низкие потери на проводимость и переключение, высокая энергоэффективность, отличное соотношение цена/качество.
• Типичные области применения:
  • DC-DC преобразователи (особенно синхронное выпрянение в понижающих (buck) преобразователях).
  • Источники питания для материнских плат, серверов, телекоммуникационного оборудования.
  • Системы управления питанием (PMIC) и цепи питания процессоров/FPGA.
  • Моторные приводы и управление нагрузкой в потребительской и промышленной электронике.
  • Вторичная сторока ИБП и солнечных инверторов.

Корпус PG-TSDSON-8 имеет открытую термическую площадку (exposed pad) снизу, что обеспечивает отличный отвод тепла на печатную плату.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Серия | OptiMOS™ 5 | 5-е поколение, технология 100V | | Структура | TrenchFET | | | Корпус | PG-TSDSON-8 | SuperSO8, PowerSO8 (8-выводной, с термоплощадкой) | | Стандартная упаковка | Лента (Tape & Reel) | Количество в катушке зависит от производителя, обычно 2500 или 3000 шт. | | Полярность | N-Channel | |

Электрические характеристики (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Символ | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | — | — | 80 | В | | Сопротивление канала | R_DS(on) | — | 3.0 | 3.8 | мОм | @ V_GS = 10 V, I_D = 15 A | | | | — | 3.8 | 4.7 | мОм | @ V_GS = 4.5 V, I_D = 15 A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 | 2.5 | 3.0 | В | @ I_D = 250 µA | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | — | — | 50 | А | @ T_C = 100°C | | Максимальный импульсный ток стока | I_DM | — | — | 200 | А | | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | — | — | 3.6 | Вт | @ T_C = 25°C | | Заряд затвора (полный) | Q_g | — | 32 | — | нКл | @ V_GS = 10 V | | Емкость "вход-выход" | C_oss | — | 230 | — | пФ | @ V_DS = 40 V |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот компонент имеет несколько вариантов маркировки, а также прямые аналоги от Infineon и других производителей.

1. Парт-номера Infineon для той же детали:

• BSL308PE H6327 — основная часть номера. Суффикс указывает на корпус и упаковку.
• BSL308PEH6327XTSA1 — полный номер для заказа, включающий все спецификации.
• На корпусе микросхемы будет нанесена маркировка: "308" или "308P".

2. Совместимые/аналогичные модели от Infineon (в том же корпусе и с близкими параметрами):

• BSL308PE — базовая модель.
• BSL310PE — имеет чуть более высокое R_DS(on) (~4.2 мОм), но может быть более доступной.
• BSL305PE — имеет более высокое R_DS(on) (~5.0 мОм).
• IPD090N08S5-03 — аналог из серии StrongIRFET™, очень близкие характеристики.
• Серия IRF (например, IRFSxx) в корпусах TO-220/TO-263 — функциональные аналоги, но с другим форм-фактором и, как правило, худшими динамическими характеристиками.

3. Аналоги от других производителей (прямая или близкая замена):

• Vishay / Siliconix: SiR308DP — один из самых популярных прямых аналогов.
• ON Semiconductor: FDMS3080 (серия PowerTrench®), NTMFS5C308NL.
• STMicroelectronics: STL308N8F7.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS): AONR21357.
• Diodes Incorporated: DMN3087LK3-13.

Важное примечание по замене: Несмотря на схожесть ключевых параметров (V_DSS, I_D, R_DS(on)), перед заменой обязательно необходимо свериться с даташитами, особенно по таким параметрам как:

• Распиновка (pinout) корпуса.
• Емкости (C_iss, C_oss, C_rss) и заряд затвора (Q_g) для оценки работы на высоких частотах.
• Характеристики внутреннего диода (скорость восстановления, Q_rr).
• Рекомендуемая площадь пада для теплоотвода.

Рекомендация: Для поиска аналогов и проверки наличия на рынке используйте платформы вроде Octopart, LCSC, FindChips, а также проверяйте разделы "Cross-Reference" на сайтах производителей.