Infineon BSM150GD60DLC

Конечно. Предоставляю подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для модуля Infineon BSM150GD60DLC.

Описание

Infineon BSM150GD60DLC — это двухимпульсный IGBT-модуль (Dual IGBT Module), представляющий собой сборку из двух IGBT-транзисторов и двух диодов в одном корпусе. Он предназначен для построения силовых полумостовых (Half-Bridge) инверторных схем.

Этот модуль относится к серии GD от Infineon, которая характеризуется высокой эффективностью, низкими динамическими потерями и высокой стойкость к перегрузкам по току и напряжению. Он разработан для применения в мощных промышленных приводах, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании и системах преобразования энергии.

Ключевые особенности:

• Высокая надежность: Используется пайка бессвинцовым припоем и керамика AL2O3 (Alumina), что обеспечивает долгий срок службы.
• Низкие потери: Продвинутая технология Trenchstop IGBT 4-го поколения обеспечивает низкое падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)) и низкие коммутационные потери.
• Высокая перегрузочная способность: Модуль выдерживает значительные токи перегрузки в течение короткого времени.
• Изоляция: Корпус модуля обеспечивает электрическую изоляцию между силовыми выводами и монтажной базой (радиатором), что упрощает систему охлаждения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура модуля | Два IGBT с антипараллельными диодами (Dual) | Полумостовая конфигурация | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 600 В | | | Номинальный ток (при Tc=80°C) | I_C,nom = 150 А | Для каждого IGBT | | Ток коллектора макс. (пиковый) | I_CM = 300 А | | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | V_{CE(sat)</sub) ≈ 1.85 В (тип.) | При IC=150А, VGE=15В | | Прямое напряжение диода | VFM ≈ 1.95 В (тип.) | При IF=150А | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) = 0.25 К/Вт | Для каждого IGBT+диод | | Макс. температура перехода | Tvj max = 150 °C | | | Температура хранения | Tstg = от -40 до +125 °C | | | Напряжение изоляции | Visо = 2500 В (эфф. зн.) | Между выводами и базовой пластиной | | Вес | ≈ 95 г | | | Монтаж | Винтовое соединение (M5, M6) | |}

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот модуль имеет несколько вариантов маркировки и прямых или функциональных аналогов.

1. Парт-номера Infineon для того же продукта

• BSM150GD60DLC - Основной и полный порядковый номер.
• BSM 150 GD 60 DLC - Тот же номер, часто пишется с пробелами для удобочитаемости.

2. Функциональные и Прямые Аналоги от других производителей

При поиске аналога важно сверять не только электрические параметры (Vces, Ic), но и механический корпус (layout выводов) и характеристики ключей.

Прямые/очень близкие аналоги (сверяйте даташиты!):

• SEMIKRON: SKM150GB063D (аналогичный модуль на 600В/150А в том же форм-факторе).
• Fuji Electric: 2MBI150N-060 (серия 2MBI, 600В/150А, полумост).
• Mitsubishi Electric: CM150DU-12F (CM150DU-12F, 600В/150А, полумост).
• Powerex (Mitsubishi): CM150DU-12F (тот же модуль, что и под маркой Mitsubishi).

3. Совместимые модели (для замены в схемах)

При замене модуля BSM150GD60DLC в существующей схеме можно рассматривать следующие модели от самого Infineon, которые являются либо его предшественниками, либо обновленными версиями, либо имеют очень близкие параметры:

• BSM150GB60DLC: Модуль предыдущего поколения (IGBT3). Может использоваться как замена, но имеет несколько более высокие коммутационные потери.
• BSM150GD60DLC (рассматриваемая модель) - актуальная версия.
• BSM150GAL120DN2: Более современный модуль с технологией IGBT7 (напряжение 1200В, но может использоваться в 600В схемах с огромным запасом по напряжению и меньшими потерями). Внимание: Это модуль в другом корпусе (34mm), механически несовместим, требует переделки платы и системы охлаждения. Указывается как пример современной альтернативы при проектировании нового оборудования.

Важное примечание по замене: Перед заменой модуля обязательно сверяйте распиновку (pinout) и геометрические размеры (особенно расположение монтажных отверстий). Даже при совпадении электрических параметров механическая несовместимость может сделать замену невозможной. Всегда рекомендуется обращаться к официальным даташитам.