Infineon BSM200GA120DN2C

Infineon BSM200GA120DN2C – Описание и технические характеристики

Описание

BSM200GA120DN2C – это высокомощный IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для применения в силовой электронике, включая промышленные приводы, генераторы, инверторы и системы возобновляемой энергии. Модуль объединяет IGBT-транзисторы с диодами обратного восстановления (FRD) в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Основные характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 140 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 1250 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,05 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 42 нс |
| Время выключения (t_off) | 380 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
| Корпус | модуль 62 мм (BSM) |

Эквиваленты и совместимые модели

• Парт-номер Infineon: BSM200GA120DN2
• Аналоги и замены:
  • Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
  • Mitsubishi Electric: CM200DY-12NFH
  • Semikron: SKM200GB12T4
  • IXYS (Littelfuse): MIXA200PA1200T

Применение

• Промышленные инверторы
• Электроприводы и сервоприводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы
• Тяговая электротранспортная техника

Модуль BSM200GA120DN2 является надежным решением для высоковольтных и сильноточных приложений, обеспечивая высокую эффективность и долговечность.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики потерь, схемы подключения), уточните запрос.