Infineon BSM25GP120

Infineon BSM25GP120
Артикул: 562356

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BSM25GP120

Конечно, вот подробное описание модуля Infineon BSM25GP120, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon BSM25GP120 — это IGBT-модуль второго поколения, предназначенный для построения силовых цепей в мощных преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления двигателями.

Модуль представляет собой полную силовую полумостовую схему (Half-Bridge), собранную в одном изолированном корпусе. Это означает, что внутри него находятся два IGBT-транзистора и два диода, образующие два плеча ключа. Такая компоновка значительно упрощает проектирование и сборку мощных преобразовательных устройств, сокращает количество внешних компонентов и улучшает массогабаритные показатели конечного изделия.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Технология IGBT 2-го поколения: Обеспечивает низкие потери проводимости и коммутации, что повышает общий КПД системы.
  • Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)): Позволяет снизить тепловыделение на ключе.
  • Высокочастотные диоды с мягким восстановлением: Уменьшают выбросы напряжения и электромагнитные помехи (EMI) при коммутации.
  • Керамическая изолированная подложка (DCB): Обеспечивает высокую электрическую прочность изоляции (более 2.5 кВ) и отличный отвод тепла от кристаллов к теплоотводу.
  • Встроенный NTC-термистор: Позволяет осуществлять температурный мониторинг модуля для организации защиты от перегрева.
  • Винтовые клеммы: Обеспечивают надежное подключение силовых и управляющих цепей.

Области применения

  • Частотные преобразователи (ПЧ, VFD)
  • Серво- и шаговые приводы
  • Промышленные инверторы и источники питания
  • Сварочное оборудование
  • Системы плавного пуска электродвигателей

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура модуля | Полумост (Half-Bridge) | 2 в 1 (Two in One) | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | | | Номинальный ток (при Tc=80°C) | I_C = 25 А | | | Пиковый ток | I_CP = 50 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) ≈ 2.05 В (тип.) | При I_C=25А, V_GE=15В | | Открывающее напряжение | V_GE = ±20 В макс. | Рекомендуемое: +15В / -15В | | Суммарные потери при коммутации | E_ts ≈ 4.5 мДж (тип.) | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) = 0.65 К/Вт | На каждый ключ | | Максимальная температура перехода | T_j = +150 °C | | | Встроенный термистор | Да, NTC | Сопротивление ~10 кОм при 25°C | | Электрическая прочность изоляции | ≥ 2500 В (перем.) | 50 Гц, 1 мин | | Крепежный момент | 2.0 Н·м | Для винтов силовых клемм | | Вес | ~ 38 г | |


Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Производители часто выпускают один и тот же модуль под разными номерами, указывая на различные партии, упаковку или незначительные модификации. BSM25GP120 также является частью более крупной серии.

Прямые парт-номера и аналоги от Infineon:

  • BSM25GP120E3: Наиболее распространенный номер, под которым модуль чаще всего ищут.
  • BSM25GP120E3 * (с различными суффиксами): Например, BSM25GP120E3C1, BSM25GP120E3CK. Суффиксы могут обозначать тип упаковки (трубка, трей), наличие/отсутствие термопасты и т.д. Электрически они идентичны.
  • BSM25GP120E3C17: Еще один распространенный вариант парт-номера.

Совместимые и аналогичные модели от других производителей:

При поиске замены или аналога важно сверять не только электрические параметры, но и механические габариты и расположение выводов (pinout).

  • Fuji Electric:
    • 2MBI25L-120 (Полумост, 25A, 1200V)
    • 2MBI25LB-120 (Аналогичная структура)
  • Mitsubishi Electric:
    • CM25TF-12H (Полумост, 25A, 1200V)
  • SEMIKRON:
    • SKM25GB12T4 (Полумост, 25A, 1200V)
  • ON Semiconductor:
    • NJR25G120L2 (Аналог по структуре и параметрам)

Важные замечания по совместимости:

  1. Проверка распиновки (Pinout): Перед заменой всегда сверяйте распиновку управляющих (gate-эмиттер) и силовых выводов. Они могут незначительно отличаться у разных производителей.
  2. Характеристики драйвера: Хотя рекомендуемое напряжение управления V_GE стандартно (+15В/-5...15В), внутренние емкости и требуемые токи затвора могут незначительно отличаться, что может потребовать корректировки параметров драйвера.
  3. Механическое крепление и footprint: Габариты и расположение монтажных отверстий должны совпадать.

Вывод: BSM25GP120 — это проверенный временем, надежный и популярный IGBT-модуль для применений в средней мощности. При его замене аналогами от других производителей необходимо тщательно проверять техническую документацию (Datasheet) на соответствие всех критических параметров.

Товары из этой же категории