Infineon BSM75GD120DLC

Конечно, вот подробное описание модуля Infineon BSM75GD120DLC.

Описание

Infineon BSM75GD120DLC — это один из самых популярных и широко используемых двухимпульсных IGBT-модулей (Dual IGBT Module) третьего поколения (TrenchStop 3). Он представляет собой сборку двух полностью независимых IGBT-транзисторов с обратными диодами (антипараллельными диодами), соединенных в топологии "полумост" (Half-Bridge).

Модуль предназначен для построения силовых частей преобразователей частоты, импульсных источников питания, сварочных инверторов, сервоприводов и других систем управления электродвигателями.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология TrenchStop 3: Обеспечивает низкое падение напряжения насыщения (Vce(sat)) и высокую плотность мощности, что приводит к уменьшению коммутационных потерь и высокому КПД.
• Низкие динамические потери: Высокая скорость переключения позволяет работать на повышенных частотах.
• Встроенные обратные диоды: N-типа, оптимизированы для работы с IGBT, что обеспечивает надежную работу в инверторных схемах.
• Высокая изоляция: Керамическая подложка (DCB-керамика) обеспечивает электрическую изоляцию между кристаллами и радиатором с напряжением до 2500 В (сил. перем.) / 4000 В (сил. пост.).
• Низкая индуктивность контура: Конструкция модуля минимизирует паразитную индуктивность силовых выводов, что снижает выбросы напряжения при коммутации.
• Паяная медная основа: Обеспечивает эффективный отвод тепла на внешний радиатор.
• Рабочая температура перехода T_vj до 175°C: Повышенный запас по температуре для работы в тяжелых условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Общие характеристики | | | | | Класс напряжения коллектор-эмиттер | V_CES = 1200 | В | | | Номинальный ток коллектора (при T_c=80°C) | I_C = 75 | А | Для каждого IGBT | | Максимальный ток коллектора (импульсный) | I_CM = 150 | А | | | Статические характеристики IGBT | | | | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | V_CE(sat) ≈ 2.1 (тип.) | В | @ I_C=75A, V_GE=15V | | Напряжение управления затвором | V_GES = ±20 | В | Максимальное | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) = 5.3 (тип.) | В | | | Динамические характеристики IGBT | | | | | Время включения | t_on ≈ 35 | нс | | | Время выключения | t_off ≈ 200 | нс | | | Встроенный обратный диод (FWD) | | | | | Непрерывный прямой ток | I_F = 75 | А | | | Прямое напряжение диода | V_FM ≈ 1.7 (тип.) | В | @ I_F=75A | | Время восстановления обратного диода | t_rr ≈ 80 | нс | | | Тепловые характеристики | | | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) ≈ 0.25 | К/Вт | Для каждого ключа (IGBT+Diode) | | Максимальная температура перехода | T_vj = -40 ... +175 | °C | | | Температура хранения | T_stg = -40 ... +150 | °C | | | Изоляция | | | | | Изоляционное напряжение (перем.) | V_iso = 2500 | В (RMS) | | | Изоляционное напряжение (пост.) | V_iso = 4000 | В | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто выпускают аналогичные модули под своими номерами. BSM75GD120DLC является частью обширного семейства.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon

Это модули с точно такими же электрическими параметрами и корпусом.

• BSM75GD120DLC (основной номер)
• BSM75GD120DLC2 (часто обозначает ту же ревизию или незначительные изменения в упаковке)

Совместимые и аналогичные модели (включая замену)

Совместимость может быть полной (прямая замена) или требовать проверки по datasheet, особенно по механическому креплению и расположению выводов.

1. От Infineon (другие токи из той же серии):

• BSM50GD120DLC — 50А, тот же корпус.
• BSM100GD120DLC — 100А, тот же корпус.
• BSM150GD120DLC — 150А, тот же корпус (но крупнее по размеру).
• BSM75GB120DLC — Модуль в корпусе "полумост" с изолированным фланцем. Внимание: Механика крепления отличается!

2. Аналоги от других производителей (прямые или функциональные замены):

• SEMIKRON:
  • SKM75GB12T4 (очень популярный прямой аналог)
  • SKM75GB12E4
• Fuji Electric:
  • 2MBi75U2B-120 (прямой аналог)
  • 2MBi75U4B-120
• Mitsubishi Electric:
  • CM75TU-12T (CM75DY-12T - устаревший)
• Powerex (Mitsubishi):
  • CM75DU-12NF (прямой аналог)
• ON Semiconductor:
  • FGB75N60 (и другие из серии FGBxxN60)

Важные замечания по замене и использованию

1. Всегда сверяйтесь с даташитами (datasheet)! Перед заменой необходимо убедиться, что распиновка, монтажные отверстия и механические размеры полностью идентичны.
2. Схемы управления затвором (Gate Driver): Для эффективного и безопасного управления этим IGBT обязательно требуется использование специализированной драйверной микросхемы (например, серии IR21xx от Infineon, 1ED系列 от Infineon, или других производителей). Драйвер должен обеспечивать достаточный ток для быстрого переключения и иметь защиту от "сквозных токов" (shoot-through).
3. Теплоотвод: Модуль требует установки на качественный радиатор с применением теплопроводной пасты для эффективного отвода тепла. Момент затяжки винтов указан в даташите и его необходимо соблюдать.
4. Паразитная индуктивность: При монтаже силовой шины необходимо минимизировать площадь контура для снижения паразитной индуктивности, которая вызывает опасные выбросы напряжения.

Модуль BSM75GD120DLC является классическим, надежным и проверенным временем решением для силовой электроники средней и высокой мощности.