Infineon BSP149H6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSP149H6327XTSA1 — это высоконадежный и эффективный P-канальный MOSFET в компактном корпусе, популярный в приложениях управления питанием.

Описание

BSP149H6327XTSA1 — это P-канальный силовой MOSFET, изготовленный по передовой технологии OptiMOS™ от Infineon. Этот транзистор предназначен в первую очередь для коммутации низкого напряжения и управления питанием (ключ нагрузки, защита от обратной полярности, управление шиной питания) в электронных устройствах.

Его ключевые преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Высокая эффективность: Благодаря технологии OptiMOS™, идеально подходит для энергочувствительных приложений.
• Компактный корпус SOT-223 (TO-261AA): Удобен для монтажа на печатную плату и позволяет экономить место.
• Логический уровень управления (Logic Level Gate): Полностью открывается при напряжении на затворе (VGS) всего -5 В или даже ниже, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (3.3В или 5В) без дополнительных драйверов.
• Высокая стойкость к статическому электричеству (ESD): Защита до 2 кВ (по модели человеческого тела), что повышает надежность при сборке и эксплуатации.

Основное применение:

• Коммутация питания (Load Switch) в потребительской электронике, IoT-устройствах, материнских платах.
• Защита от обратной полярности (Reverse Polarity Protection).
• Управление двигателями и реле.
• Импульсные источники питания (DC-DC преобразователи).
• Модули питания различных периферийных устройств.

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Значение | Условия (если указано) | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | P-канальный MOSFET (Power MOSFET) | — | | Корпус | SOT-223 (TO-261AA) | 4 вывода (3 активных + тепловая площадка) | | Стандартный полный номер | BSP149H6327XTSA1 | H6327 — код ленты/упаковки | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | -60 В | Максимальное допустимое напряжение | | Постоянный ток стока (ID) | -2.7 А | При Tc=25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | ~110 мОм (макс.) | При VGS = -10 В | | | ~180 мОм (макс.) | При VGS = -5 В (логический уровень!) | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | от -1.0 В до -2.5 В | Тип. -1.8 В | | Емкость затвора (Ciss) | ~340 пФ | | | Макс. мощность рассеяния (PD) | 2.5 Вт | При Tc=25°C | | Диапазон рабочей температуры (Tj) | от -55°C до +150°C | — |

Важное примечание: Для P-канальных MOSFET полярности напряжений отрицательные относительно истока (S). Обычно исток подключается к плюсу питания, сток (D) — к нагрузке, а на затвор (G) подается отрицательное напряжение для открытия.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Точные аналоги (прямая замена от Infineon):

• BSP149H6327 — базовая часть номера. Суффиксы указывают на упаковку:
  • BSP149H6327XTSA1 (аммо-пак, на ленте)
  • BSP149 (возможна другая упаковка или маркировка)

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей: При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: P-Channel, VDS = -60В, ID ~ -2.5...-3А, RDS(on) при VGS=-5В/ -10В, корпус SOT-223.

Популярные аналогичные модели:

• Diodes Incorporated: DMP2065LDM-7 (-60В, -3.2А, 120 мОм при -10В)
• Nexperia: PMV65XP,245 (-60В, -2.3А, 180 мОм при -10В)
• ON Semiconductor: NTMFS4935N (-60В, -5.5А, 28 мОм) — мощнее, но в другом корпусе (SO-8).
• STMicroelectronics: STD17P3LLH6 (-60В, -3.2А, 150 мОм при -10В, SOT-23-6) — корпус другой.
• Vishay / Siliconix: Si2345DS (-60В, -3.5А, 105 мОм при -10В, SOT-23) — корпус другой.

Как искать аналоги:

1. Используйте параметрический поиск на сайтах дистрибьюторов (LCSC, Mouser, Digi-Key, Chipdip).
2. Задайте фильтры: P-Channel, Vds = -60V, Id = -2.5A...-3.5A, Package = SOT-223.
3. Обращайте внимание на RDS(on) при VGS = -4.5В или -5В, если управление от логики 3.3В/5В.

Рекомендация: Всегда сверяйте datasheet кандидата на замену, особенно разделы с характеристиками переключения, емкостями и диаграммами безопасной рабочей области (SOA) для вашего конкретного применения. BSP149H6327XTSA1 является оптимальным балансом цены, характеристик и доступности для многих задач.