Infineon BSP78

Отличный запрос. BSP78 — это классический и широко известный компонент от Infineon. Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Общее описание

Infineon BSP78 — это NPN-транзистор Дарлингтона в компактном пластиковом корпусе SOT-223, предназначенный для коммутации низковольтных нагрузок. Его ключевая особенность — очень высокий коэффициент усиления по току (hFE), что позволяет управлять относительно большими токами коллектора (до 1.5 А) с помощью слабого сигнала от микроконтроллера, логической схемы или драйвера.

Основное назначение: Замена механических реле, управление соленоидами, клапанами, реле, лампами, небольшими двигателями, светодиодными лентами в автомобильной, промышленной и потребительской электронике.

Ключевые преимущества:

• Интегрированный демпфирующий диод: Встроенный обратный диод между коллектором и эмиттером для подавления выбросов напряжения от индуктивных нагрузок (например, катушек реле, соленоидов). Это критически важно для защиты транзистора и упрощения схемы.
• Высокий коэффициент усиления: Позволяет управлять напрямую от выходов микроконтроллеров (3.3В / 5В).
• Низкое напряжение насыщения (Vce_sat): Минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Компактный корпус SOT-223: Удобен для монтажа на плату, имеет хорошее соотношение габаритов и рассеиваемой мощности.

Технические характеристики (кратко)

• Тип транзистора: NPN Дарлингтона (с диодом)
• Корпус: SOT-223
• Полярность: NPN
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): -60 В (Обратите внимание: в документации часто указывается как -60В, что подчеркивает использование со встроенным диодом для коммутации нагрузок с обратной ЭДС. По сути, это рабочее напряжение.)
• Постоянный ток коллектора (IC): 1.5 A (максимальный)
• Ток базы (IB): макс. 50 мА
• Коэффициент усиления по току (hFE): мин. 1000 (при IC=0.5A, VCE=2V) — это очень высокое значение.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCEsat): макс. 1.5 В (при IC=1.0A, IB=5mA)
• Рассеиваемая мощность (Ptot): 2.0 Вт (при температуре корпуса до 25°C)
• Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C
• Встроенные компоненты: Защитный диод (свободно-колеблющий диод), резистор на базе.

Парт-номера (Part Numbers)

Основной и полный парт-номер — BSP78. Однако в зависимости от упаковки (лента, катушка) и производственных маркировок могут встречаться вариации:

• BSP78 — стандартное обозначение.
• BSP78E6433 — возможно, расширенный код для заказа у дистрибьютора.
• На корпусе SOT-223 обычно нанесена маркировка: 78.

Важные аналоги и преемники от Infineon: Сам BSP78 является частью более широкого семейства. Для новых разработок Infineon часто рекомендует более современные аналоги:

• BSP772T — Прямая и улучшенная замена в том же корпусе SOT-223. Имеет схожие параметры, но более современный технологический процесс.
• BSP772R — Тот же транзистор, но в корпусе SOT-223R (с другим расположением выводов).
• BSP772 — Базовая версия.
• BSP752 — Аналогичный транзистор Дарлингтона, но в корпусе SOT-89.

Совместимые модели и прямые аналоги от других производителей

BSP78 является настолько популярным компонентом, что его выпускают и другие ведущие производители полупроводников под своими номерами. Эти модели являются прямыми аналогами (pin-to-pin compatible) и могут быть использованы в одной и той же посадочной площадке без изменения схемы.

Полные аналоги (с встроенным диодом):

• STMicroelectronics: BD678 (SOT-223) — один из самых известных и распространенных аналогов.
• ON Semiconductor / Fairchild: BDW93C (но чаще в корпусе TO-220, проверяйте datasheet). Более точным аналогом в SOT-223 может быть FMMT718TA (от Diodes Inc.) или серия MJD112 (в корпусе DPAK).
• NXP (Philips): BD678
• Diodes Incorporated: ZXT13N20DE6TA или FMMT718TA (требует проверки распиновки).
• Компания «Кремний» (Россия): КТ829А (но в другом корпусе).

Что важно проверять при замене:

1. Распиновка (Pinout) корпуса SOT-223: У некоторых аналогов (например, BSP772R vs BSP772) выводы могут быть в другом порядке.
2. Наличие встроенного демпфирующего диода: Это критически важно для индуктивных нагрузок. Не все транзисторы Дарлингтона имеют его.
3. Пороговое напряжение база-эмиттер (VBE): У транзисторов Дарлингтона оно выше (~1.2В...1.4В), чем у обычных BJT (~0.7В). Это общая черта всех аналогов.
4. Напряжение насыщения VCEsat: Чем оно ниже, тем меньше нагрев.

Области применения (Резюме)

• Драйверы реле и соленоидов.
• Управление лампами (габариты, стоп-сигналы).
• Драйверы небольших двигателей постоянного тока.
• Управление светодиодными лентами или массивами светодиодов.
• Выходные каскады для логических схем и микроконтроллеров.

Рекомендация: Для новых проектов стоит рассмотреть более современный аналог от Infineon — BSP772T. Однако оригинальный BSP78 остается отличным, проверенным и широко доступным решением для задач низковольтной коммутации. Всегда сверяйтесь с официальным даташитом (Datasheet) перед использованием.