Infineon BSS670S2LH6327XTSA

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и список аналогов для полевого транзистора Infineon BSS670S2LH6327XTSA.

Описание

Infineon BSS670S2LH6327XTSA — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой TrenchMOS технологии от Infineon. Данная модель относится к линейке OptiMOS™, которая характеризуется чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on) и высокой эффективностью.

Ключевые особенности и применение:

• Низкое сопротивление RDS(on): Всего 6.5 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Низкое пороговое напряжение затвора (VGS(th)): Позволяет легко управлять транзистором от низковольтных логических схем (например, микроконтроллеров с напряжением 3.3 В или 5 В).
• Высокая энергоэффективность: Идеально подходит для приложений, где критично снижение энергопотребления.
• Компактный корпус: Выполнен в современном корпусе PG-TDSON-8-22 (также известном как SuperSO8), который обеспечивает хороший отвод тепла при малых размерах.
• Основные области применения:
  • Схемы управления питанием (DC-DC преобразователи, стабилизаторы напряжения).
  • Системы управления двигателями (например, в потребительской электронике, охлаждающих вентиляторах).
  • Коммутация нагрузок в силовых цепях.
  • Источники питания для материнских плат, серверов и телекоммуникационного оборудования.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (TrenchMOS) | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 60 В | | | Непрерывный ток стока (ID) | 17 А | при T_C = 25°C | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 6.5 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 10 А | | | 8.5 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 10 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.35 - 2.35 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 25 нКл (тип.) | VGS = 10 В, ID = 10 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 2.5 Вт | при T_A = 25°C | | Диапазон рабочих температур (Tj) | от -55 °C до +150 °C | | | Корпус | PG-TDSON-8-22 | Размеры: 5x6 мм |

Парт-номер (Part Number) и варианты упаковки

Полное название компонента указывает на его упаковку:

• BSS670S2LH6327XTSA1 — стандартный парт-номер.
• BSS670S2LH6327XT — может использоваться как сокращенная версия.
• Упаковка: Обычно поставляется на ленте (Tape & Reel). Цифры "6327" в номере часто указывают на это.

Совместимые модели и аналоги (Direct Replacements / Cross-Reference)

Следующие транзисторы являются прямыми или очень близкими аналогами с похожими или лучшими характеристиками и совместимыми корпусами.

Аналоги от Infineon

• IPD090N06S4-02: 60 В, 17 А, RDS(on) = 2.3 мОм (более современный и эффективный).
• IPP060N06S4-02: Аналогичен IPD090N06S4-02.

Аналоги от других производителей

NXP (Freescale)

• PSMN4R6-60BS: 60 В, 17 А, RDS(on) = 4.6 мОм (более высокие характеристики).

Vishay / Siliconix

• SiS476DN: 60 В, 17 А, RDS(on) = 4.75 мОм.

STMicroelectronics

• STL180N6F7: 60 В, 18 А, RDS(on) = 5.5 мОм.

ON Semiconductor

• NTMFS6H806NL: 60 В, 16 А, RDS(on) = 5.8 мОм.

Diodes Incorporated

• DMN6012KQ-7: 60 В, 16 А, RDS(on) = 6.5 мОм (очень близкий аналог).

Важное примечание по замене

Хотя перечисленные модели являются аналогами, перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами (datasheet) обоих компонентов. Особое внимание уделите:

1. Распиновке (Pinout) корпуса.
2. Рабочей температуре и условиям охлаждения.
3. Характеристикам затвора (Qg, VGS(th)) для совместимости с вашей драйверной схемой.
4. Геометрическим размерам корпуса.

Модель BSS670S2LH6327XTSA является надежным и эффективным решением для задач коммутации и управления питанием, а наличие большого количества аналогов на рынке дает гибкость при проектировании и закупках.