Infineon BSS806NEH6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSS806NEH6327XTSA1 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET в компактном и популярном корпусе SOT-23, оптимизированный для ключевых приложений с низким напряжением и высокой скоростью переключения.

Описание и основные особенности

BSS806NEH6327XTSA1 — это MOSFET, созданный по передовой технологии OptiMOS™ от Infineon. Основная цель этого транзистора — обеспечить максимальную энергоэффективность в условиях низкого рабочего напряжения (до 30 В). Его ключевые преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 8.5 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев в открытом состоянии.
• Низкий пороговый уровень напряжения затвора (VGS(th)): Позволяет эффективно управлять транзистором от низковольтных логических уровней (3.3 В или 5 В), что делает его идеальным для современных цифровых микроконтроллеров.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора (Qg) и выходной емкости (Coss), транзистор быстро переключается, что снижает динамические потери в импульсных схемах (DC-DC преобразователи, ШИМ-управление).
• Компактный корпус SOT-23: Один из самых распространенных 3-выводных корпусов для поверхностного монтажа (SMD), обеспечивающий малые габариты на печатной плате.
• Основное назначение: Применяется в качестве ключа (низкая сторона — low-side switch) в цепях питания, управлении нагрузками (моторы, светодиоды), в схемах синхронного выпрямления и DC-DC преобразователях.

Технические характеристики (Electrical Characteristics, Ta = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, Enhancement Mode | — | | Корпус | — | SOT-23 | — | | Стойкость к электростатике (ESD) | HBM | > 2 кВ | Человеческое тело | | Максимальное напряжение "сток-исток" | V_DS | 30 В | — | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±20 В | — | | Непрерывный ток стока | I_D | 6.3 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 25 А | — | | Сопротивление "сток-исток" в открытом состоянии | R_DS(on) | 8.5 мОм | V_GS = 10 В, I_D = 4.5 A | | | | 10.5 мОм | V_GS = 4.5 В, I_D = 4.5 A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.35 — 2.35 В | V_DS = V_GS, I_D = 1 mA | | Полный заряд затвора | Q_g | ~ 8.2 нКл | V_GS = 10 В | | Входная емкость | C_iss | ~ 480 пФ | V_DS = 15 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц | | Выходная емкость | C_oss | ~ 110 пФ | V_DS = 15 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 1.4 Вт | При T_A = 25°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки (катушка, россыпь) и маркировки на корпусе.

• Полное имя для заказа: BSS806NEH6327XTSA1

  • BSS806N: Базовая часть номера модели.
  • EH6327: Код, указывающий на технологию и характеристики.
  • XTSA1: Суффикс, часто обозначающий тип упаковки (например, катушка для автоматического монтажа).

• Маркировка на корпусе SOT-23: На корпусе нанесен код T03.

• Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

  • Diodes Incorporated: DMN3012LSS-13 (очень близкие параметры, 30 В, 6.5 А, 9.5 мОм)
  • ON Semiconductor: NTJD4401N (30 В, 6.3 А, 10.5 мОм) или FDMC8610 (более старая, но популярная модель Fairchild, 30 В, 9 А, 10 мОм).
  • Vishay / Siliconix: Si2302BDS (20 В, но очень популярный и доступный аналог для 5В/12В систем).
  • Nexperia: PMN50UN (30 В, 5.6 А, 12 мОм) — хороший функциональный аналог.

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом, особенно по пороговому напряжению (VGS(th)), заряду затвора (Qg) и кривой зависимости RDS(on) от VGS. Для критичных по эффективности схем (например, преобразователей с питанием от батареи) даже небольшие различия могут быть важны.

Типичные области применения

• DC-DC преобразователи: Ключи в понижающих (buck), повышающих (boost) и инвертирующих преобразователях, особенно для питания процессоров, памяти и периферии (3.3В, 5В, 12В шины).
• Управление нагрузкой: Включение/выключение светодиодных лент, реле, моторчиков, соленоидов.
• Синхронное выпрямление: Вторичная сторона импульсных источников питания (SMPS).
• Защита от обратной полярности (Load Switch).
• Импульсные стабилизаторы и драйверы.

Вывод: Infineon BSS806NEH6327XTSA1 — это современный, высокопроизводительный MOSFET, который является отличным выбором для компактных и энергоэффективных низковольтных приложений, где важны минимальные потери и малый размер.