Infineon BSZ088N03MS

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для MOSFET транзистора Infineon BSZ088N03MS.

Описание

Infineon BSZ088N03MS — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой OptiMOS™ 5 технологии. Он предназначен для применения в низковольтных (до 30 В) цепях с высокой эффективностью, где критически важны низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и малые потери на переключение.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление RDS(on): Всего 0.88 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев в открытом состоянии.
• Высокая эффективность: Благодаря низкому RDS(on) и оптимальным динамическим характеристикам, этот транзистор идеально подходит для импульсных источников питания (SMPS), преобразователей DC-DC и цепей управления двигателями.
• Технология OptiMOS 5: Обеспечивает лучшие в своем классе показатели FOM (Figure of Merit).
• Низкое энергопотребление: Может использоваться в системах с низким напряжением управления, так как имеет пороговое напряжение около 1.8 В.
• Малый корпус: Выполнен в компактном корпусе SuperSO8 (PG-TSDSON-8), который позволяет экономить место на печатной плате и имеет отличные тепловые характеристики благодаря открытой контактной площадке на нижней стороне.
• Логический уровень: Управляющее напряжение 4.5 В и 10 В является стандартным для логических уровней, что позволяет легко управлять им с помощью микроконтроллеров и драйверов.

Основные области применения:

• Синхронное выпряление в импульсных источниках питания (SMPS)
• Низковольтные DC-DC преобразователи (например, для материнских плат, серверов)
• Цепи управления двигателями и нагрузкой (Load Switch)
• Системы управления батареями (BMS)
• Автомобильная электроника (некритичные к температуре узлы)

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | PG-TSDSON-8 (SuperSO8) | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 30 В | | | Максимальный непрерывный ток (ID) | 100 А | TC = 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.88 мОм | VGS = 10 В, ID = 40 A | | | 1.1 мОм | VGS = 4.5 В, ID = 20 A | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.4 - 2.2 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Емкость затвора (Ciss) | ~ 2500 пФ | VDS = 15 В, VGS = 0 В | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 65 нКл | VDS = 15 В, ID = 40 A | | Диод "сток-исток" | Есть (интегрированный обратный диод) | |

Парт-номера и Совместимые модели (Аналоги)

Поскольку Infineon является одним из крупнейших производителей, у этого компонента есть прямые аналоги от других вендоров, а также различные парт-номера для заказа.

1. Прямые аналоги (Функционально совместимые замены)

При поиске аналога обращайте внимание на ключевые параметры: VDS = 30В, RDS(on) ~ 0.8-1.2 мОм, корпус SuperSO8 и ток не менее 100А.

| Производитель | Парт-номер | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | SiR680DP | Очень близкий аналог по параметрам | | ON Semiconductor | FDMS86200 | Аналогичные характеристики, может незначительно отличаться по динамике | | STMicroelectronics | STL160N3LLH5 | Мощный аналог в том же корпусе | | Nexperia | PSMN1R0-30YLD | Хорошая альтернатива с низким RDS(on) | | Texas Instruments | CSD17571Q3 | Аналог от TI в корпусе SON 3.3x3.3 |

2. Кросс-ссылки и парт-номера

Это тот же самый компонент, но под другим номером для специфических каналов поставок или упаковок.

• SP001088472 — номер в системе складов/дистрибьюторов.
• На дистрибьюторских сайтах (например, Mouser, Digi-Key) он также может быть частью лотов с маркировкой, указывающей на тип упаковки (Tape & Reel).

Важные замечания по использованию и замене

1. Работа с корпусом SuperSO8: Несмотря на высокий ток, корпус очень маленький. Для рассеивания мощности обязательно использовать термопрокладку и полигон (тепловую площадку) на печатной плате под корпусом, как это рекомендовано в datasheet.
2. Проверка Datasheet: Перед заменой на аналог всегда сверяйтесь с даташитом конкретного производителя. Особое внимание уделяйте:
   • Распиновке (Pinout)
   • Параметрам динамических характеристик (Qg, Ciss, Coss)
   • Рекомендациям по пайке
3. Управление затвором: Из-за значительной входной емкости (Ciss) для быстрого переключения необходим драйвер MOSFET с достаточной выходной токовой способностью, чтобы избежать больших потерь на переключение.

Для получения самой точной и актуальной информации всегда обращайтесь к официальному даташиту (datasheet) на компонент BSZ088N03MS на сайте Infineon.