Infineon BUZ102SL

Конечно, вот подробное описание инфракрасного MOSFET транзистора Infineon BUZ102SL.

Описание

Infineon BUZ102SL — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET от International Rectifier (компания, вошедшая в состав Infineon). Этот транзистор предназначен для коммутации больших токов и напряжений в различных импульсных и линейных схемах.

Ключевые особенности и применение:

• Технология: N-канальный MOSFET с вертикальной структурой (HEXFET), что обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую скорость переключения.
• Корпус: TO-220AB — один из самых популярных корпусов для силовых приборов, удобный для монтажа на радиатор.
• Основные применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Мостовые и полумостовые схемы
  • Управление двигателями (мотор-контроллеры)
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Системы управления мощностью (PWM-контроллеры)

Транзистор обладает низким пороговым напряжением затвора, что позволяет легко управлять им с помощью микроконтроллеров и логических схем через драйверы.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

При Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET | - | | Корпус | TO-220AB | - | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 50 | В | | Непрерывный ток стока (I_D) при T_C = 25°C | 38 | А | | Непрерывный ток стока (I_D) при T_C = 100°C | 24 | А | | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | < 0.040 | Ом | | Условия для R_DS(on): V_GS = 10 В, I_D = 19 А | | | | Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 | В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2 - 4 | В | | Общий заряд затвора (Q_g) (тип.) | 45 | нКл | | Время включения (t_d(on)) | 14 | нс | | Время выключения (t_d(off)) | 50 | нс | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 75 | Вт | | Диапазон рабочей температуры перехода (T_J) | от -55 до +175 | °C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

BUZ102SL является частью семейства и имеет несколько вариантов маркировки, а также множество прямых или улучшенных аналогов от других производителей.

Прямые аналоги и аналогичные модели от Infineon

• BUZ102S — версия в корпусе TO-262 (SOT-186), аналогичные параметры.
• IRFZ44NS — один из самых популярных и широко распространенных аналогов в корпусе TO-263 (D2PAK) от Infineon. Характеристики очень близки.
• IRFZ44N — версия в корпусе TO-220, практически полный аналог.
• IRFZ46NS / IRFZ46N — аналог с более высоким напряжением Vdss = 55В.
• IRFZ48NS / IRFZ48N — аналог с более высоким напряжением Vdss = 55В и чуть более высоким Rds(on).

Совместимые модели и аналоги от других производителей

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом, особенно по таким параметрам, как пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) и заряд затвора (Qg), если схема критична к скорости переключения.

• STMicroelectronics:
  • STP55NF06 — N-канальный, 60V, 50A, Rds(on) ~0.02 Ом (часто используется как улучшенная замена).
  • STP55NF06L — версия с логическим уровнем управления.
• Vishay / Siliconix:
  • SUD50N06-09 — 60V, 50A, Rds(on) ~0.027 Ом.
• Fairchild / ON Semiconductor:
  • FQP50N06 — 60V, 50A, Rds(on) ~0.022 Ом.
• Texas Instruments:
  • CSD19536KCS — Более современный аналог с лучшими характеристиками.

Важные замечания по замене

1. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (TO-220, TO-263, TO-252/D-PAK), так как они имеют разные размеры и монтажные особенности.
2. Rds(on): Чем ниже это значение, тем меньше потери мощности и нагрев транзистора.
3. Напряжение V_DSS: У заменяемой детали оно должно быть не меньше, чем у оригинала.
4. Ток I_D: Рекомендуется выбирать аналог с током не меньше исходного.
5. Драйвер: Убедитесь, что ваш драйвер или схема управления способны обеспечить достаточный ток для заряда/разряда затвора (особенно важно для аналогов с большим зарядом Qg).

Для точного подбора аналога в конкретной схеме всегда рекомендуется изучать официальные даташиты (technical datasheets) на обе модели.