Infineon BUZ30A

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного полевого транзистора Infineon BUZ30A.

Описание

Infineon BUZ30A — это классический N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор) с высоким напряжением и высоким током, выполненный по передовой на момент создания технологии MOSFET (HEXFET). Он предназначен для коммутации значительных мощностей в импульсных источниках питания, инверторах, контроллерах двигателей и других силовых электронных схемах.

Ключевые особенности:

• Устаревшая, но проверенная конструкция: BUZ30A — это "рабочая лошадка" 80-90-х годов, известная своей надежностью и устойчивостью в жестких условиях.
• Корпус TO-220: Универсальный и удобный для монтажа корпус, позволяющий эффективно отводить тепло через радиатор.
• Высокое рабочее напряжение: Позволяет использовать в сетевых (220В) схемах с запасом по напряжению.
• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Для своего времени и класса обеспечивает приемлемые потери проводимости.

Технические характеристики (ТТХ)

Основные электрические параметры при Tj = 25°C, если не указано иное:

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, обогащение | — | | Корпус | — | TO-220 (Isolated) | С изолированной площадкой | | Макс. напряжение "сток-исток" | V_DSS | 500 В | Основной параметр стойкости | | Макс. постоянный ток стока | I_D | 8.5 А | При T_C = 25°C | | Макс. импульсный ток стока | I_DM | 30 А | — | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 1.0 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 4.3 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 В | — | | Макс. напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±20 В | Затвор чувствителен к статике! | | Общий заряд затвора | Q_g | ~ 30 нКл (тип.) | Влияет на требования к драйверу | | Макс. рассеиваемая мощность | P_tot | 75 Вт | При T_C = 25°C, с радиатором | | Диод истока-стока | — | Есть (интегрированный обратный диод) | Параметры: I_SD = 8.5A, t_rr ~ 600 нс |

Тепловые параметры:

• Температура перехода: от -55 до +150 °C
• Тепловое сопротивление "переход-корпус" (R_thJC): 1.67 °C/Вт
• Тепловое сопротивление "переход-окружающая среда" (R_thJA): 62.5 °C/Вт (без радиатора)

Парт-номера и совместимые аналоги (Direct Replacements)

BUZ30A производился многими компаниями и имеет множество прямых или улучшенных аналогов.

1. Прямые аналоги (с тем же или очень похожим названием):

• STMicroelectronics: BUZ30A (прямой аналог от другого производителя).
• Fairchild/ON Semiconductor: BUZ30A, FQP8N50 (аналог с улучшенными характеристиками).
• International Rectifier (IR): IRF830, IRF840 (очень близкие по параметрам, более распространены).
• Vishay/Siliconix: IRF830, IRF840.

2. Современные и улучшенные аналоги от Infineon и других:

Эти транзисторы имеют лучшие характеристики (ниже R_DS(on), выше скорость переключения, лучшее соотношение цена/качество) и являются предпочтительной заменой для новых разработок.

| Производитель | Модель-аналог | Ключевые отличия / Преимущества | | :--- | :--- | :--- | | Infineon | SPP08N50C3 | Более современный, ниже R_DS(on) (0.75 Ом), улучшенный диод, корпус TO-220. | | Infineon | IPP8N50N | Еще более низкое R_DS(on) (0.65 Ом), технология Superjunction, высокая эффективность. | | STMicroelectronics | STP8NK50Z | Аналог в TO-220, часто с лучшей доступностью. | | ON Semiconductor | FDP8N50NZ | N-канальный, 500В, 7.5А, низкое R_DS(on) (0.9 Ом). | | Vishay | SUP8N50-18 | Прямая замена с улучшенными параметрами. |

3. Близкие по параметрам (для выбора в ремонте или новых схемах):

• Напряжение 500В, ток ~8А: IRF840, IRFBC40, 2SK2837, STP8NB50.
• Напряжение >500В, ток ~8А: BUZ90A (900В), STP9NK50Z (500В), STP9NB90 (900В).

Важные замечания по применению и замене:

1. Проверка цоколевки: Все аналоги в корпусе TO-220, как правило, имеют стандартную цоколевку (1-Затвор, 2-Исток, 3-Сток). Однако всегда сверяйтесь с даташитом конкретной модели.
2. Драйвер затвора: Из-за относительно высокого заряда затвора (Q_g) рекомендуется использовать специализированный драйвер MOSFET (например, IR21xx, TC42xx) для быстрого переключения, а не управлять напрямую с вывода микроконтроллера.
3. Тепловой режим: Обязателен расчет и установка радиатора достаточной площади. Мощность рассеивания 75 Вт достигается только при температуре корпуса 25°C, что на практике недостижимо без серьезного охлаждения.
4. Устаревание: При разработке новых устройств лучше выбирать более современные аналоги (например, Infineon SPP08N50C3 или IPP8N50N), так как они эффективнее, надежнее и часто экономичнее.

Вывод: Infineon BUZ30A — надежный "ветеран" силовой электроники. Для ремонта старой аппаратуры можно искать его прямые аналоги (ST BUZ30A, IRF840). Для модернизации или новых проектов настоятельно рекомендуется выбирать его современные аналоги с улучшенными параметрами.