Infineon BUZ31

Артикул: 562744

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon BUZ31

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для мощного полевого транзистора Infineon BUZ31.

Описание

Infineon BUZ31 — это N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по классической технологии Vertical DMOS. Это один из "рабочих лошадок" в мире силовой электроники, известный своей надежностью и способностью выдерживать высокие импульсные токи.

Ключевые особенности и применение:

Мощный и надежный: Предназначен для коммутации значительных токов и напряжений.
Высокий импульсный ток: Способен выдерживать кратковременные токи до 48А, что делает его подходящим для индуктивных нагрузок (например, управление электродвигателями, соленоидами).
Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Для своего времени и класса имел хороший показатель, что минимизировало потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
Классический корпус TO-220: Удобен для монтажа на радиатор.
Типичные области применения:
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Управление двигателями (DC-моторы, шаговые двигатели)
- Преобразователи напряжения (инверторы, H-мосты)
- Реле и соленоидные драйверы
- Аудиоусилители класса D (в выходных каскадах)

Основные технические характеристики (ТХ)

Приведены абсолютные максимальные и ключевые электрические параметры при Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 500 | В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока | I_D | 8.5 | А | При T_c = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 48 | А | Максимальный кратковременный ток | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.12 | Ом | При V_GS = 10 В, I_D = 8.5 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 | В | Тип. 3.0 В | | Входная емкость | C_iss | 1000 | пФ | Типовое значение | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 125 | Вт | При T_c = 25°C (на радиаторе) | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 | °C | | | Крутизна | g_fs | 6.0 | См (А/В) | Минимум |

Важное примечание: BUZ31 — довольно "старый" и не самый эффективный транзистор по современным меркам. Его Rds(on) и динамические характеристики (емкости, время переключения) значительно уступают современным аналогам на основе Superjunction или с низким зарядом затвора (Low Qg). Для новых разработок рекомендуется выбирать более современные модели.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

BUZ31 производился разными компаниями. Встречаются под практически идентичными названиями, иногда с небольшими суффиксами, обозначающими корпус или упаковку.

BUZ31 (базовая версия в TO-220AB)
BUZ31A (часто то же самое, что и BUZ31)
IRF BUZ31 (от International Rectifier, ныне часть Infineon)
ST BUZ31 (от STMicroelectronics)

Совместимые и аналогичные модели (Modern & Classic)

При замене важно обращать внимание на напряжение Vdss, ток Id и цоколевку. Ниже приведены как классические аналоги, так и более современные и эффективные варианты для замены.

1. Прямые классические аналоги (сопоставимые параметры):

IRF740 (400В, 10А, Rds(on) ~ 0.55 Ом) — менее мощный по току, но очень распространенный.
IRF840 (500В, 8А, Rds(on) ~ 0.85 Ом) — ближайший аналог по напряжению и току.
STP8NK50Z (500В, 7.2А, Rds(on) ~ 0.9 Ом) — аналог от ST.
2SK2545 (500В, 10А) — аналог от Toshiba.

2. Более современные и эффективные аналоги (рекомендуется для новых проектов):

Эти транзисторы имеют значительно более низкое Rds(on) и лучшие динамические характеристики при сравнимом или меньшем размере корпуса.

STP8NM50 (500В, 7.7А, Rds(on) ~ 0.7 Ом) — улучшенный потомок.
IRFBE30 (800В, 5.6А, Rds(on) ~ 1.2 Ом) — для схем с более высоким напряжением.
FDPF5N50NZ (500В, 5А, Rds(on) ~ 0.75 Ом) — от Fairchild/ON Semi.
IPP50R250CP (500В, 16А, Rds(on) ~ 0.25 Ом) — очень мощный современный аналог в корпусе TO-220, превосходит BUZ31 по всем параметрам.
STP16NK50Z (500В, 15.5А, Rds(on) ~ 0.29 Ом) — еще один мощный современный вариант.