Infineon BUZ78

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и список аналогов для мощного полевого транзистора Infineon BUZ78.

Описание

Infineon BUZ78 — это классический N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор), выполненный по технологии Vertical DMOS. Это один из "рабочих лошадок" в мире силовой электроники, известный своей надежностью и высокой стойкостью к перегрузкам.

Ключевые особенности и применение:

• Высокое напряжение: Предназначен для работы в цепях с высоким напряжением (до 800 В), что делает его пригодным для работы от сетевого напряжения (220/380В после выпрямления).
• Высокий импульсный ток: Способен выдерживать значительные токовые перегрузки в импульсном режиме.
• Медленное переключение: Относится к поколению транзисторов с неоптимизированными динамическими характеристиками. Имеет большое время переключения и значительные заряды затвора. Это делает его непригодным для современных высокочастотных импульсных преобразователей (например, в SMPS с частотой выше 40-50 кГц), но он отлично подходит для:
  • Низкочастотных преобразователей и инверторов.
  • Управления мощными нагрузками (двигатели, нагреватели) в ключевом режиме.
  • Устройств промышленной автоматики.
  • Замены в старых, классических схемах.

Основные технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 800 | В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Непрерывный ток стока | I_D | 8.0 | А | При T_c=25°C (температура корпуса). | | Импульсный ток стока | I_DM | 32 | А | Максимальный кратковременный пиковый ток. | | Сопротивление "сток-исток" во включенном состоянии | R_DS(on) | 1.2 | Ом | При V_GS=10 В, I_D=4 А. Ключевой параметр, определяющий потери на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 | В | Типовое ~3В. Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Заряд затвора | Q_g | 75 | нКл | Высокое значение, требует мощного драйвера для быстрого переключения. | | Время нарастания / спада | t_r / t_f | ~100 / ~250 | нс | Подтверждает низкую скорость переключения. | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 125 | Вт | При T_c=25°C. Зависит от условий охлаждения. | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 | °C | | | Корпус | - | TO-220 | - | Классический корпус для монтажа на радиатор. |

Part-номера (полные обозначения) и совместимые модели (аналоги)

BUZ78 — это базовая часть номера. Полное обозначение может включать в себя информацию о корпусе, упаковке и т.д. (например, BUZ78-800A).

Прямые аналоги и совместимые замены:

При подборе аналога необходимо проверять распиновку (pinout), так как у некоторых моделей она может отличаться.

1. Прямые функциональные аналоги (с очень близкими параметрами):

• STMicroelectronics: STP8NB80, STP8NK80Z, STP8NK80ZFP (с защитным диодом).
• Fairchild/ON Semiconductor: FQP8N80C, FQA8N80C.
• Vishay/Siliconix: IRFBE30 (600В, но часто используется как аналог), IRFB9N80A.
• International Rectifier (IR): IRFBE30, IRFB9N80A.
• Motorola (устаревшие, но встречаются): MTP8N80E.

2. Более современные и улучшенные аналоги (лучшие динамические характеристики, ниже Rds(on)): Эти транзисторы часто являются предпочтительной заменой, так как имеют лучшую эффективность.

• Infineon: SPP8N80C3 (суперджанкшен, более быстрое переключение).
• STMicroelectronics: STP8NM60 (600В, но с Rds(on)=1.0 Ом), STW8NB80.
• ON Semiconductor: NCE8N80 (с улучшенным соотношением цена/качество).
• Vishay: SUP8N80-18 (Rds(on)=0.9 Ом).

3. Аналоги в других корпусах:

• TO-247: Аналоги с большей мощностью рассеяния (например, IXFH8N80, FQA8N80C).
• TO-220FP (изолированный): STP8NK80ZFP, BUZ78-800A.

Важные замечания при замене:

1. Напряжение V_DSS: У аналога оно должно быть не ниже 800В. Можно брать с запасом (например, 900В).
2. Ток I_D: Должен быть не менее 8А. Предпочтительно с запасом.
3. R_DS(on): Чем меньше, тем лучше (меньше нагрев).
4. Динамические характеристики (Q_g, t_r, t_f): Если схема высокочастотная, необходим быстрый аналог с низким зарядом затвора. Для низкочастотных схем это не критично.
5. Корпус и монтаж: Обращайте внимание на расположение выводов (pinout). У моделей с защитным диодом (например, с буквой "Z" у ST) может быть другая внутренняя структура.

Рекомендация: Для новых разработок не рекомендуется использовать BUZ78. Следует выбирать более современные MOSFETы из линейки Superjunction (CoolMOS, MDmesh, SuperFET и т.п.), которые при тех же напряжениях и токах имеют на порядок лучшее быстродействие и меньшее сопротивление. BUZ78 актуален в основном для ремонта старой аппаратуры или простых низкочастотных ключевых схем.