Infineon D213E2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon D213E2.

Описание

Infineon D213E2 — это N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для использования в силовых электронных устройствах. Он является частью линейки SPT (Smart Power Technology), которая сочетает в себе высокую эффективность переключения и надежность.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая эффективность: Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (RDS(on)) и быстрому переключению, этот транзистор минимизирует потери мощности, что особенно важно в импульсных источниках питания.
• Надежность: Обладает высокой стойкостью к импульсным перенапряжениям и перегрузкам.
• Платформа TO-220: Корпус позволяет эффективно рассеивать тепло через радиатор.
• Основные области применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Силовые инверторы
  • Управление двигателями
  • DC-DC преобразователи
  • Различные виды силовых ключей и драйверов

Этот компонент широко использовался в силовой электронике, особенно в оборудовании, выпущенном в 2000-х годах.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

При Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DSS | 500 В | | | Сопротивление "Сток-Исток" | R_DS(on) | 0.45 Ом | I_D = 3.5 A, V_GS = 10 В | | Максимальный ток стока | I_D | 3.5 A | | | Максимальный импульсный ток стока | I_DM | 14 A | | | Крутизна передаточной характеристики | g_fs | 5.5 См (мин.) | I_D = 3.5 A, V_DS = 25 В | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | I_D = 1 мA, V_DS = V_GS | | Общий заряд затвора | Q_g | 18 нКл (тип.) | V_DS = 400 В, I_D = 3.5 A, V_GS = 10 В | | Время включения | t_d(on) | 15 нс (тип.) | | | Время выключения | t_d(off) | 55 нс (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 40 Вт | При T_C = 25°C | | Температура перехода | T_j | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера и Совместимые модели

D213E2 — это базовый парт-номер Infineon. Однако у этого транзистора есть несколько вариантов исполнения, которые отличаются упаковкой (тюбик, россыпь) и, возможно, некоторыми незначительными деталями маркировки.

Основные парт-номера от Infineon:

• SPD13N50S5 — Это более новый и распространенный аналог (или очень близкий по характеристикам) от Infineon. Является прямым и часто рекомендуемым replacement.
• D213E2-xxx (где xxx — код упаковки или версии)

Совместимые модели / Аналоги от других производителей:

При поиске аналога важно обращать внимание на ключевые параметры: V_DSS ≥ 500В, I_D ≥ 3.5А и низкое R_DS(on).

• STMicroelectronics:
  • STP4NA50
  • STP4NA50FP
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FQP4N50 (очень популярный и распространенный аналог)
• International Rectifier (IR):
  • IRF840 (но у него V_DSS = 500В, I_D = 8А, требует проверки цоколевки и характеристик)
  • IRFBC40
• Vishay Siliconix:
  • SUP4N50

Важное замечание по замене:

1. Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами обоих компонентов (старого и нового). Особое внимание уделите распиновке (pinout) корпуса TO-220, так как у некоторых производителей она может отличаться (затвор-сток-исток vs. затвор-исток-сток).
2. Хотя электрические параметры могут быть очень близки, динамические характеристики (заряды затвора, скорости переключения) могут незначительно отличаться, что в некоторых высокочастотных схемах может потребовать подбора или корректировки драйвера затвора.
3. SPD13N50S5 от Infineon является самым современным и прямым функциональным аналогом для замены.