Infineon DD260N12K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon DD260N12K.

Описание

Infineon DD260N12K — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchStop™ 5. Он принадлежит к семейству OptiMOS™ 5, известному своими выдающимися показателями эффективности.

Ключевая особенность этой модели — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при напряжении 1200 В, что делает его одним из лидеров на рынке в своем классе. Это достигается за счет использования корпуса TO-247-3, который обеспечивает хороший отвод тепла.

Основное назначение: Применение в высоковольтных и высокоэффективных силовых преобразователях, где критически важны минимальные потери на проводимость и коммутацию.

• Промышленные приводы и сервоусилители
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы
• Системы электроснабжения телекоммуникаций
• Сварочное оборудование
• Высоковольтные импульсные источники питания (SMPS)

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 5, TrenchStop™ 5 | Технология для низких потерь | | Корпус | TO-247-3 | | | Напряжение сток-исток (Vds) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток стока (Id) при 25°C | 44 А | Непрерывный, в установившемся режиме | | Ток стока (Id) при 100°C | 28 А | Непрерывный, с учетом перегрева | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 176 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 26 мОм (макс.) | Ключевой параметр! При Vgs=15V, Id=44A | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.5 - 5.0 В | Тип. 4.2 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 220 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера | | Макс. температура перехода (Tj) | +175 °C | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | Благодаря технологии OptiMOS 5 |

Ключевые преимущества:

1. Рекордно низкое Rds(on): 26 мОм для 1200В — обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
2. Высокая перегрузочная способность: Выдерживает высокие импульсные токи.
3. Оптимизированные динамические характеристики: Низкие заряды (Qg, Qrr) позволяют работать на высоких частотах с минимальными коммутационными потерями.
4. Технология TrenchStop™ 5: Обеспечивает высокую надежность и устойчивость к динамическим процессам.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно компоненты имеют различные маркировки в зависимости от упаковки (на бобине, в тубе) или незначительных изменений в маркировке. Для DD260N12K основным и единственным общепризнанным номером является:

• DD260N12K

Это полный и официальный артикул Infineon.

Совместимые модели / Аналоги (Cross-Reference)

При поиске аналога или замены необходимо учитывать ключевые параметры: Vds (1200В), Id (~44А), Rds(on) (~26 мОм) и корпус TO-247. Прямых 100% аналогов с такими выдающимися характеристиками от других производителей может не быть, но есть схожие по применению конкурирующие модели.

Аналоги от других производителей (на близком уровне):

| Производитель | Модель | Vds | Id | Rds(on) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STW88N12K5 | 1200 В | 44 А | 28 мОм | Очень близкий аналог по характеристикам и корпусу (TO-247). | | ON Semiconductor | FCH041N12E | 1200 В | 41 А | 41 мОм | Хороший аналог, но Rds(on) выше. | | IXYS (Littelfuse) | IXFH44N120P | 1200 В | 44 А | 32 мОм | Классический надежный транзистор. | | Microchip | MSC040SMA120B | 1200 В | 40 А | 40 мОм | |

Совместимые модели от Infineon (внутри семейства):

Для проектирования или ремонта можно рассматривать другие транзисторы из того же семейства OptiMOS 5 1200В в корпусе TO-247, если требуется немного иной баланс параметров:

• DD300N12K5 - 300 мОм, 30А (менее мощный)
• DD400N12K5 - 400 мОм, 25А (менее мощный)
• IPW60R041P6 (серия CoolMOS P6) - 1200В, 40А, 41 мОм - Обратите внимание: Это транзистор серии CoolMOS, у него иная внутренняя структура (Superjunction) и динамические характеристики. Прямая замена без анализа работы схемы не рекомендуется, хотя электрические параметры похожи.

Важное предупреждение: При замене, особенно на модель другого производителя или семейства (например, CoolMOS вместо OptiMOS), обязательно необходимо:

1. Сравнить все ключевые параметры в даташите.
2. Уделить особое внимание динамическим характеристикам (Qg, Qgd, Ciss, Coss) и параметрам встроенного обратного диода (Qrr, trr).
3. Проверить разводку выводов (pinout) корпуса.
4. В идеале — провести тестовые испытания в реальной схеме.

Вывод: Infineon DD260N12K — это высококлассный компонент для требовательных применений, где на первом месте стоит энергоэффективность. Его прямым и самым близким конкурентом является STW88N12K5 от STMicroelectronics.