Infineon DD260N16K

Infineon DD260N16K
Артикул: 562824

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon DD260N16K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon DD260N16K.

Описание

Infineon DD260N16K — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchSTOP™ 5. Этот компонент предназначен для применения в силовых электронных устройствах, где требуются высокий КПД, надежность и устойчивость к тяжелым режимам работы.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Высокая эффективность: Низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) минимизирует проводимостные потери.
  • Технология Fast-Switching: Оптимизирован для работы на высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов) в конечном устройстве.
  • Высокая стойкость к перенапряжениям: Напряжение сток-исток (VDS) 1600 В делает его идеальным для сетевых применений с высокими бросками напряжения.
  • Высокотемпературная стабильность: Параметры транзистора остаются стабильными в широком диапазоне температур.
  • Прочная конструкция: Корпус TO-247 обеспечивает хороший отвод тепла и механическую прочность.
  • Оптимизированный ключ тела (Body Diode): Диод с обратным восстановлением обладает хорошими характеристиками, что важно для инверторных и мостовых схем.

Основные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно топологии PFC (корректор коэффициента мощности).
  • Инверторы и частотные преобразователи.
  • Системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы).
  • Промышленное оборудование и системы управления.
  • Сварочное оборудование.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | TrenchSTOP™ 5 | | | Корпус | TO-247 | 3 вывода | | Напряжение "Сток-Исток" (VDS) | 1600 В | | | Непрерывный ток стока (ID) | 27.4 А | При Tc = 25°C | | Непрерывный ток стока (ID) | 16.5 А | При Tc = 100°C | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 260 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 13.7 А | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 320 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 13.7 А, Tj = 150°C | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 415 Вт | При Tc = 25°C | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В (макс.) | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 4.5 - 7.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 175 нКл (тип.) | VGS = 10 В, ID = 13.7 А | | Время включения (ton) | ~ 37 нс (тип.) | | | Время выключения (toff) | ~ 110 нс (тип.) | | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

У одного и того же компонента могут быть разные парт-номера в зависимости от упаковки (на отрезке, в тубе, на катушке) или региона. Основной порядковый номер — DD260N16K.

Полное описание заказа (Ordering Code):

  • DD260N16KXKSA1 - Стандартная поставка.

Совместимые модели и аналоги (Прямые и функциональные замены)

При поиске аналога или замены необходимо сверять ВСЕ ключевые параметры: напряжение VDS, ток ID, RDS(on), заряд затвора Qg, корпус и цоколевку.

Прямые аналоги от Infineon:

  • SPW35N60CFD - 600В, 35А, 80 мОм (Менее высокое напряжение, но популярная модель для сравнения).
  • IPP60R099C7 - 600В, 30А, 99 мОм (Другая технология, CoolMOS).

Функциональные аналоги от других производителей (требуют проверки по даташиту):

  • STMicroelectronics:

    • STW20NK50Z - 550В, 20А, 0.18 Ом (Меньшее напряжение и ток).
    • STW34N60DM2 - 600В, 34А, 0.065 Ом (Более современный и мощный, но на 600В).
  • ON Semiconductor / Fairchild:

    • FCP20N60 - 600В, 20А, 0.22 Ом.
    • FGH40N60SMD - 600В, 40А, 0.075 Ом (от International Rectifier, теперь часть ON Semi).
  • IXYS (ныне часть Littelfuse):

    • IXFH26N60 - 600В, 26А, 0.12 Ом.

Важное замечание: Найти прямого и широко распространенного аналога на 1600В от другого производителя может быть сложно. Infineon является одним из лидеров в сегменте высоковольтных MOSFET. Указанные выше аналоги в основном рассчитаны на 600В и являются функциональными заменами только в схемах, где не требуется полное напряжение 1600В. Перед заменой обязательно необходимо свериться с техническими описаниями (datasheet) и проверить, подходит ли компонент для вашей конкретной схемы.

Товары из этой же категории