Infineon FF50R12RT4

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для модуля Infineon FF50R12RT4.

Описание

Infineon FF50R12RT4 — это IGBT-модуль четвертого поколения (Trenchstop 4), предназначенный для построения мощных импульсных преобразователей, в частности, для использования в качестве инвертора/конвертера в силовой части частотных преобразователей (ЧПП, VFD), сервоприводов, источников бесперебойного питания (ИБП) и сварочного оборудования.

Этот модуль представляет собой полумост (Half-Bridge) из двух IGBT-транзисторов с антипараллельными диодами. Такая конфигурация является базовым строительным блоком для создания мостовых схем (например, трехфазного инвертора).

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология Trenchstop 4: Обеспечивает низкие динамические потери и низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce_sat), что приводит к высокой энергоэффективности и снижению тепловыделения.
• Высокая перегрузочная способность: Модуль способен выдерживать кратковременные токи, значительно превышающие номинальный.
• Низкоиндуктивная конструкция: Способствует снижению перенапряжений при коммутации.
• Высокотемпературная пайка чипов: Позволяет использовать модуль в жестких температурных условиях.
• Изоляция керамической пластины (DCB): Обеспечивает электрическую изоляцию между силовыми выводами и радиатором, который обычно заземляется. Теплоотводящая основа (base plate) электрически изолирована от чипов.
• Встроенный NTC-термистор: Позволяет осуществлять мониторинг температуры модуля для организации системы защиты от перегрева.

Основная область применения:

• Трехфазные инверторы для двигателей переменного тока (частотные преобразователи).
• Серво- и шаговые приводы.
• Промышленные ИБП большой мощности.
• Сварочные инверторы.
• Лазерные системы.

Технические характеристики

Здесь приведены основные параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

Общие характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 IGBT + 2 диода | | Класс изоляции | 2500 В (RMS) | В течение 1 мин. | | Монтаж | Винтовой | | | Корпус | EconoPACK 4 | Стандартный корпус для токов ~50-100А |

Характеристики IGBT

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES | 1200 В | | | Номинальный ток коллектора (при 80°C) | I_{C nom} | 50 А | T_vj = 80°C | | Макс. импульсный ток коллектора | I_CM | 100 А | | | Напряжение насыщения | V_CE(sat) | 1.7 В (тип.) | I_C = 50А, V_GE=15V | | Общие потери мощности | P_tot | 268 Вт | T_case = 80°C | | Макс. температура перехода | T_vj | 175 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | 0.47 К/Вт | на IGBT |

Характеристики Свободного ходящего диода (FWD)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Повторяющееся импульсное обратное напряжение | V_RRM | 1200 В | | | Средний прямой ток | I_F | 50 А | T_vj = 80°C | | Прямое напряжение | V_F | 1.55 В (тип.) | I_F = 50А | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | 0.65 К/Вт | на диод |

Динамические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Время включения | t_on | 32 нс (тип.) | | | Время выключения | t_off | 250 нс (тип.) | | | Энергия включения | E_on | 7.0 мДж (тип.) | | | Энергия выключения | E_off | 5.5 мДж (тип.) | |

Встроенный термистор

| Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Тип | NTC (Negative Temperature Coefficient) | | Сопротивление при 25°C | 10 кОм |

Парт-номера и совместимые модели

Парт-номера (Ordering Codes)

Официальное название для заказа у Infineon:

• FF50R12RT4

Это полный и единственный парт-номер производителя.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены или аналога важно учитывать конфигурацию, номинальные напряжение и ток, а также корпус.

1. Прямые аналоги от Infineon (того же поколения и корпуса):

• FF75R12RT4 — Аналог на 75А. Корпус и напряжение те же, но ток выше. Может рассматриваться как замена с запасом по току, если позволяет конструкция и驱动ная схема.
• FF100R12RT4 — Аналог на 100А. Корпус тот же (EconoPACK 4), но ток значительно выше.

2. Функциональные аналоги от других производителей (требуют проверки распиновки и характеристик!):

• SEMIKRON:

  • SKM50GB12T4 — Модуль полумоста на 50А / 1200В. Очень близкий по параметрам и назначению.
  • SKM75GB12T4 (на 75А)

• Fuji Electric:

  • 2MBI50S-120 — Полумост на 50А / 1200В.
  • 2MBI75S-120 (на 75А)

• Mitsubishi Electric:

  • CM50DY-12S — Модуль полумоста на 50А / 1200В.
  • CM75DY-12S (на 75А)

• IXYS (Littelfuse):

  • MII50-12A4 — Модуль полумоста на 50А / 1200В.

Важные замечания по совместимости:

1. Распиновка (Pinout): Перед заменой на аналог от другого производителя обязательно необходимо свериться с datasheet и сравнить цоколевку выводов. Они могут отличаться, даже если электрические параметры схожи.
2. Характеристики драйвера: Разные модули могут иметь разную входную емкость и требуемый заряд затвора, что может потребовать корректировки驱动ной схемы.
3. Геометрические размеры и крепление: Хотя корпус EconoPACK 4 является стандартным, всегда проверяйте чертежи (mechanical drawing) на предмет возможных незначительных отличий.

Таким образом, модуль Infineon FF50R12RT4 — это надежный и эффективный компонент для построения силовой части преобразовательной техники средний мощности, имеющий множество прямых и функциональных аналогов на рынке.