Infineon FS75R12KE3

Конечно, вот подробное описание модуля Infineon FS75R12KE3.

Описание

Infineon FS75R12KE3 — это IGBT-модуль третьего поколения (TrenchStop 3) в классическом промышленном корпусе 62 мм. Он предназначен для построения мощных преобразователей частоты, импульсных источников питания, сварочного оборудования и других силовых инверторных систем.

Модуль представляет собой полный трехфазный мостовой инвертор (6 в 1), включающий в себя шесть IGBT-транзисторов и шесть обратных диодов. Низкое падение напряжения насыщения коллектор-эмиттер (Vce_sat) и высокоскоростные диоды с мягким восстановлением обеспечивают высокий КПД и низкие коммутационные потери, что позволяет работать на повышенных частотах.

Ключевые преимущества:

• Высокая эффективность: Благодаря технологии TrenchStop 3 и мягким диодам.
• Высокая надежность: Пайка силиконовым припоем (SiSiC), мощные клеммные соединения.
• Низкая индуктивность контура: Оптимизированная внутренняя компоновка снижает паразитные индуктивности, что уменьшает выбросы напряжения при коммутации.
• Температурная стабильность: Широкий рабочий температурный диапазон.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура модуля | 3-фазный мостовой инвертор (6-in-1) | | | Коллектор-эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | | | Номинальный ток (при Tc=80°C) | I_C,nom = 75 А | | | Максимальный ток | I_C,max = 150 А | | | Падение напряжения на IGBT | V_CE(sat) ≈ 1.75 В (тип.) | При I_C=75А, V_GE=15В | | Падение напряжения на диоде | V_F ≈ 1.9 В (тип.) | При I_F=75А | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) = 0.25 К/Вт | На пару IGBT+диод | | Максимальная температура перехода | T_vj(max) = 150 °C | | | Рабочая температура корпуса | T_c = от -40 до +150 °C | Рекомендуемая до 100-110°C | | Индуктивность внутренней цепи | L_s ≤ 22 нГн | | | Входная емкость | C_ies ≈ 12 нФ (тип.) | | | Энергия включения (E_on) | ≈ 18 мДж (тип.) | При I_C=75А, V_CC=600В | | Энергия выключения (E_off) | ≈ 9 мДж (тип.) | При I_C=75А, V_CC=600В | | Заряд обратного восстановления (Q_rr) | ≈ 2.6 мкКл (тип.) | На диоде, при I_F=75А | | Напряжение изоляции | V_iso = 2500 В (эфф.) | | | Вес | ~ 170 г | | | Монтаж | Винтовые клеммы для силовых цепей, пружинные зажимы для управления | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто имеют свою собственную систему маркировки для одних и тех же модулей. FS75R12KE3 является базовым парт-номером от Infineon.

Прямые аналоги и кросс-ссылки

Это полные или очень близкие аналоги, которые, как правило, являются взаимозаменяемыми:

• Infineon: FS75R12KE3G (вероятно, просто логистическая или экологическая ревизия, технически идентичен)
• Eupec: BSM75GB120DN2 (Eupec — бывший бренд, поглощенный Infineon, этот модуль является прямым предшественником или аналогом)
• SEMIKRON: SK75GH12T (модуль схожей структуры, мощности и корпуса от другого ведущего производителя)

Совместимые и аналогичные модели (требуется проверка даташитов и посадочных мест)

Эти модули имеют схожие характеристики, структуру и, часто, корпус. Они могут быть использованы в качестве замены или в новых разработках аналогичного класса, но требуют проверки:

• Распиновки (pin-to-pin compatibility)
• Механических размеров
• Характеристик драйвера (заряда затвора)

Список совместимых моделей:

| Производитель | Модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Fuji Electric | 7MBR75UA120-50 | Аналоговая серия 7MBR, 75А / 1200В | | Mitsubishi Electric | CM75TU-24T | 75А / 1200В | | SEMIKRON | SK75GH12T | Уже упомянут как прямой аналог | | Powerex (Mitsubishi) | CM75DU-24TF | 75А / 1200В | | Hitachi | -- | Аналогичные серии, но требуют уточнения конкретной модели |

Важное примечание по замене

Перед заменой модуля FS75R12KE3 на аналог от другого производителя обязательно необходимо:

1. Скачать и сравнить Datasheets обоих модулей.
2. Убедиться в полной механической совместимости (размеры, расположение и тип клемм, отверстия для крепления).
3. Проверить электрическую совместимость (распиновка управляющих выводов, значения пороговых напряжений затвора V_GE(th), рекомендованые напряжения управления V_GE).
4. Учесть возможные различия в динамических характеристиках (потери, Q_rr), которые могут потребовать корректировки схемы управления или снабберных цепей.