Infineon FZ2400R12HE4

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для модуля IGBT Infineon FZ2400R12HE4.

Описание

Infineon FZ2400R12HE4 — это мощный IGBT-модуль с двумя ключами (Dual) серии IHV B, предназначенный для применения в высоковольтных и высокотоковых преобразователях. Этот модуль является частью платформы TRENCHSTOP™ IGBT7, которая представляет собой последнее поколение технологии IGBT от Infineon на момент своего выпуска.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология IGBT7: Обеспечивает значительно более низкое падение напряжения насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) по сравнению с предыдущими поколениями. Это приводит к снижению прямых потерь проводимости и, как следствие, к повышению общего КПД системы.
• Высокая плотность мощности: Модуль рассчитан на очень высокие токи (до 2400 А) и напряжения (1200 В), что позволяет создавать компактные и мощные преобразовательные установки.
• Эмиттер-управляемый диод (EC7): Встроенные антипараллельные диоды также используют передовую технологию, что обеспечивает низкие динамические потери и высокую стойкость к перенапряжениям при коммутации.
• Низкие динамические потери: Благодаря оптимизированной технологии, потери при включении и выключении (E_on, E_off) сведены к минимуму, что позволяет работать на более высоких частотах переключения.
• Высокая надежность: Корпус модуля с керамической изоляцией обеспечивает высокую стойкость к циклическим нагрузкам и отличные теплоотводящие свойства. Конструкция оптимизирована для низкой паразитной индуктивности.
• Основное применение: Преобразователи часты для мощных электродвигателей, тяговые преобразователи, промышленные инверторы и сварочное оборудование, системы накопления энергии (BESS), мощные источники питания.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | | | Номинальный ток (при T_c=80°C) | I_C,nom = 2400 А | | | Максимальный ток | I_C,max = 4800 А | Пиковый ток | | Напряжение насыщения (IGBT) | V_{CE(sat)</sub) ~ 1.55 В (тип.) | При VGE=15В, IC=2400А | | Падение напряжения на диоде | VFM</sub) ~ 1.45 В (тип.) | | | Полные потери энергии на переключение | Ets ~ 3400 мДж (тип.) | При VCC=600В, IC=2400А, Tj=150°C | | Температура перехода | Tj = -40 ... +150 °C | Максимальная рабочая | | Температура хранения | Tstg = -40 ... +125 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) ~ 5.5 мК/Вт (на IGBT) | | | Сопротивление изоляции | Ris ≥ 10.5 кВ | | | Индуктивность контура | Ls ≤ 22 нГн | Низкая паразитная индуктивность | | Вес | ~ 470 г | | | Монтаж | Винтовые зажимы (M8) для силовых выводов | |}

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот модуль имеет уникальный парт-номер, но может быть прямым или функциональным аналогом для модулей других производителей или предыдущих поколений Infineon.

Парт-номера Infineon (собственные):

• FZ2400R12HE4 - Основной и полный парт-номер.
• FZ2400R12HE4BPSA1 - Часто используется для обозначения полной версии продукта, включая упаковку или конкретную ревизию.

Функциональные аналоги и конкурирующие модели от других производителей:

Прямых "кальковых" аналогов с идентичными характеристиками обычно нет, но существуют модули схожей мощности и топологии от конкурентов:

• SEMIKRON: Модули серий SKiiP или SEMiX с аналогичными значениями тока и напряжения (например, конструкции на 1200В / ~2000-2500А).
• Mitsubishi Electric: Модули серий CM* или NV*.
• Fuji Electric: Модули серий 2MBI* или 7MBR*.
• Hitachi: Модули серии HIG.

Важно: Замена на модуль другого производителя требует тщательной проверки всех электрических и механических характеристик, расположения выводов, теплового импеданса и требований к драйверу.

Совместимые по корпусу и заменяемые модели (в основном, предыдущие поколения Infineon):

Платформа IHV B имеет стандартизированные корпуса. Модуль FZ2400R12HE4 часто является прямой drop-in заменой (механически и по разводке выводов) для модулей предыдущих поколений с тем же форм-фактором, что позволяет легко модернизировать оборудование:

• Предыдущее поколение (IGBT4): Модули серии FZ2400R12KE4 (с технологией IGBT4). Замена на IGBT7 (HE4) позволяет существенно снизить потери и повысить КПД без изменения схемы и механики.
• Более ранние версии: Модули с аналогичным номиналом 1200В/2400А в корпусе IHV-B от Infineon.

Критически важно: Перед заменой всегда необходимо сверяться с официальными даташитами обоих модулей и учитывать возможные различия в:

• Напряжении управления затвором (V_GE).
• Рекомендациях по драйверу затвора.
• Требованиях к цепи снаббера.
• Характеристиках теплового сопротивления.

Настоятельно рекомендуется для проектирования и замены использовать официальную техническую документацию с сайта Infineon.