Infineon G27W0
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon G27W0
Конечно! Вот подробное описание, технические характеристики и списки совместимости для силового MOSFET-транзистора Infineon G27W0.
Описание
Infineon G27W0 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 6. Эти транзисторы разработаны для приложений, где критически важны высочайшая эффективность и плотность мощности.
Ключевые особенности и преимущества:
- Сверхнизкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Это главное преимущество OptiMOS 6. Благодаря очень низкому сопротивлению, транзистор минимизирует потери мощности в открытом состоянии (потери на проводимость), что приводит к повышению общего КПД системы и уменьшению нагрева.
- Высокая коммутационная производительность: Обладает низкими зарядами (Qg, Qgd), что позволяет ему быстро переключаться. Это снижает коммутационные потери и позволяет работать на более высоких частотах, что, в свою очередь, позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).
- Повышенная надежность: Технология обеспечивает отличную стойкость к лавинным нагрузкам (UIS), что повышает надежность устройства в жестких условиях эксплуатации.
- Оптимизация для работы от низкого напряжения: Предназначен для использования в схемах с напряжением шины 12 В и 24 В, что делает его идеальным решением для:
- Систем управления питанием (POL - Point-of-Load)
- Низковольтных приводов двигателей
- Автомобильной электроники (например, управление двигателем, фары)
- Телекоммуникационного и серверного оборудования
- Источников бесперебойного питания (ИБП)
Корпус PG-TDSON-8 (также известный как SuperSO8) обладает низким тепловым сопротивлением и предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что важно для компактных плат.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | OptiMOS 6 | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 30 В | | | Максимальный непрерывный ток (Id) при 25°C | 170 А | Зависит от условий охлаждения | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | ~0,27 мОм (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 50 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.7 ... 2.4 В | Тип. 2.05 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~130 нКл | При Vgs = 10 В | | Заряд затвор-сток (Qgd) | ~32 нКл | | | Время включения (td(on) / tr) | 8.5 нс / 3.5 нс | | | Время выключения (td(off) / tf) | 25 нс / 3.5 нс | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | ~260 нКл | | | Корпус | PG-TDSON-8 | Пластиковый корпус с отводом тепла от стока | | Рабочая температура перехода (Tj) | от -55 °C до +175 °C | |
Внимание: Приведенные значения, особенно для зарядов и времен переключения, являются типичными и могут незначительно варьироваться. Для проектирования всегда используйте официальный даташит.
Парт-номера (Part Numbers)
Производитель (Infineon) часто присваивает несколько парт-номеров для одного и того же кристалла в зависимости от упаковки (катушка, рулон) и маркировки.
- Основной парт-номер: IPP030N03L G
- Эта полная маркировка указывает на конкретные параметры кристалла внутри семейства.
- Маркировка на корпусе: На маленьком корпусе наносится сокращенная маркировка, например, G27W0.
- Полные номера для заказа:
IPP030N03L GXKSA1(вероятно, для катушки/рулона)IPP030N03L G(базовый номер продукта)
При поиске на сайтах дистрибьюторов (например, Mouser, Digi-Key) используйте как основной номер IPP030N03L G, так и маркировку корпуса G27W0.
Совместимые модели и Аналоги
Прямые аналоги от других производителей, которые можно рассматривать для замены (всегда проверяйте распиновку и даташит!):
От других производителей:
- Nexperia: PSMN1R0-30YL (также в корпусе SuperSO8, очень близкие характеристики).
- ON Semiconductor (now onsemi): NVTFS6H830N (серия T10, корпус SuperSO8).
- STMicroelectronics: STL320N3LLH6 (серия STripFET F7, корпсу PowerFLAT 8x8).
- Vishay / Siliconix: SiRA12ADP (серия TrenchFET, корпус PowerPAK 8x8).
Из других поколений Infineon (для замены в новом дизайне):
- OptiMOS 5: Например, IPB030N03L G (более старое поколение, характеристики могут быть немного хуже).
- OptiMOS 3: Более старые серии, которые сильно уступают по характеристикам.
Важно: При замене обязательно обращайте внимание на:
- Распиновку (Pinout) корпуса PG-TDSON-8 / SuperSO8.
- Номинальное напряжение Vds (должно быть не менее 30В).
- Сопротивление Rds(on) при вашем рабочем токе.
- Заряды затвора (Qg, Qgd), если важна частота переключения.
Для новых проектов Infineon G27W0 (IPP030N03L G) является отличным выбором благодаря своему превосходному соотношению эффективности, размера и стоимости в классе 30В MOSFET.