Infineon IDP08E65D1XKSA1

Отличный выбор! Infineon IDP08E65D1XKSA1 — это высокоэффективный силовой транзистор (MOSFET), разработанный специально для требовательных приложений, где ключевыми факторами являются эффективность и компактность. Вот подробное описание и технические данные.

Краткое описание

IDP08E65D1XKSA1 — это N-канальный MOSFET в современном корпусе PG-HDSOP-8-37 (Infineon называет его DSOP-8). Он является частью линейки OptiMOS™ 5 65V, которая славится исключительно низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и превосходными динамическими характеристиками. Этот транзистор оптимизирован для синхронного выпряления и импульсных преобразователей в низковольтных и высокочастотных схемах.

Основное назначение:

• Синхронное выпряление в импульсных источниках питания (SMPS).
• Цепи вторичной стороны DC-DC преобразователей.
• Высокочастотные преобразователи (например, для телекоммуникационного и серверного оборудования).
• Моторные приводы и управление нагрузкой.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Структура | TrenchFET® (OptiMOS™ 5) | Передовая технология от Infineon | | Корпус | PG-HDSOP-8-37 | Компактный, с улучшенным теплоотводом через открытую площадку на плате | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 65 В | Рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ~0.8 мОм (макс.) при V_GS=10 В | Ключевое преимущество. Чрезвычайно низкое, минимизирует потери на проводимость. | | Ток стока (I_D) | 240 А (при T_C=25°C) | Очень высокий импульсный ток. | | | 120 А (при T_C=100°C) | Непрерывный ток с учетом нагрева. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | типично 2.3 В | Стандартный уровень для логических и ШИМ-контроллеров. | | Заряд затвора (Q_g) | ~120 нКл (тип.) | Умеренный заряд, позволяет работать на высоких частотах. | | Диод "сток-исток" | Встроенный body-diode | Есть, с характеристиками, важными для синхронного выпряления. |

Особенности и преимущества:

1. Сверхнизкое R_DS(on): Обеспечивает минимальные потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
2. Высокая эффективность: Идеален для энергоэффективных решений (соответствие стандартам 80 PLUS Titanium, Platinum).
3. Высокая стойкость к перегрузкам: Рассчитан на работу с высокими импульсными токами.
4. Оптимизированная динамика: Быстрое переключение с низкими потерями на включение/выключение (E_on/E_off).
5. Надежный корпус: Открытая теплопроводящая площадка (Exposed Pad) обеспечивает отличный отвод тепла на печатную плату.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот компонент может поставляться под несколькими маркировками в зависимости от упаковки или незначительных нюансов. Основной номер — IDP08E65D1.

• IDP08E65D1XKSA1 — Полное обозначение, включающее, вероятно, информацию о лоте или упаковке (на бобине/в трейсе).
• IDP08E65D1 — Базовый парт-номер.
• SP001071535 — Внутренний номер Infineon или номер для заказа.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске замены или аналога необходимо сравнивать ключевые параметры: V_DSS=65В, низкое R_DS(on), корпус с теплоплощадкой.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же или смежной серии):

• IPP08CE65D1XKSA1 — Аналог в корпусе TO-220, для монтажа на радиатор.
• BSC010NE2LS (от Onsemi, 100В, но с похожими характеристиками) — Внимание! Проверять распиновку!
• Другие транзисторы из серии OptiMOS™ 5 65V в корпусе DSOP-8 (например, с близким R_DS(on)).

2. Аналоги от других производителей (требуется проверка даташита и pin-to-pin совместимости):

• ON Semiconductor (ныне onsemi):
  • FDBL86062_F085 — Очень близкий аналог (65В, 0.85 мОм, Power56 корпус, аналог DSOP-8).
• STMicroelectronics:
  • STL160N65M5 (или аналоги в корпусе PowerFLAT 5x6).
• Vishay Siliconix:
  • SiR680DP — Мощный MOSFET в корпусе PowerPAK 8x8.
• Texas Instruments:
  • CSD17573Q3 — Аналог в корпусе SON 5x6 (не pin-to-pin!).

Важные замечания при замене:

1. Распиновка (Pinout): Корпус DSOP-8/HDSOP-8 может иметь разные варианты расположения выводов. Критически важно сверяться с datasheet перед заменой.
2. Параметры переключения: Даже при совпадении статических параметров (R_DS(on), V_DSS), динамические (Q_g, C_iss) могут отличаться, что повлияет на работу драйвера и частотные характеристики.
3. Тепловые характеристики: Эффективность отвода тепла зависит от конструкции печатной платы (размер и разводка тепловой площадки).

Рекомендация: Всегда используйте официальный даташит (datasheet) на Infineon IDP08E65D1XKSA1 для проектирования и проверяйте документацию на аналогичный компонент перед заменой в существующей схеме.