Infineon IGBT600V50ATO247

Infineon IGBT600V50ATO247
Артикул: 563742

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IGBT600V50ATO247

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-модуля Infineon IGBT600V50ATO247.

Общее Описание

IGBT600V50ATO247 — это дискретный (отдельный) IGBT-транзистор в популярном корпусе TO-247, предназначенный для мощных и высокоэффективных ключевых применений. Это устройство сочетает в себе преимущества биполярного транзистора (высокая плотность тока, низкое напряжение насыщения) и полевого транзистора (высокоомное управление затвором).

Он оптимизирован для работы на средних и высоких частотах переключения (до 20-40 кГц) и идеально подходит для инверторов, импульсных источников питания (SMPS), сварочного оборудования, приводов двигателей и систем управления мощностью.


Ключевые Технические Характеристики

  • Напряжение коллектор-эмиттер: VCES = 600 В (Максимальное повторяющееся напряжение)
  • Непрерывный ток коллектора: IC @ 25°C = 50 А (При температуре корпуса 25°C)
  • Импульсный ток коллектора (1 мс): ICM = 100 А
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: VCE(sat) типовое ~1.7 В (при IC=25A, VGE=15V) — низкое значение, что снижает потери на проводимость.
  • Напряжение управления затвором: VGE = ±20 В (макс.), стандартное рабочее напряжение +15В / -5...-15В для включения/выключения.
  • Энергия включения/выключения (Eon/Eoff): Оптимизирована для компромисса между скоростью переключения и уровнем помех (dV/dt).
  • Диод обратного восстановления: Встроенный быстрый обратный диод (FRD) не является стандартной опцией для базовой версии IGBT600V50ATO247. Наличие диода указывается в полном парт-номере.
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: RthJC ~ 0.5 °C/Вт (зависит от конкретной версии), что требует эффективного теплоотвода.
  • Максимальная температура перехода: Tvj max = 175 °C
  • Корпус: TO-247 (также известный как TO-218), 3 вывода (Collector, Gate, Emitter).

Парт Номера (Part Numbers) и Модификации

Важно понимать, что "IGBT600V50ATO247" — это общее обозначение семейства. Полный парт-номер включает суффиксы, указывающие на конкретные характеристики, такие как наличие диода и класс напряжения насыщения.

Основные серии и примеры парт-номеров:

  1. IKW серия (TRENCHSTOP™):

    • IKW50N60T — Флагманская серия с оптимизированными динамическими потерями.
    • IKW50N60H3 — С улучшенными характеристиками (более низкое Vce(sat) или скорость переключения).
  2. IGW серия (более ранние/альтернативные модели):

    • IGW50N60T — Аналогична IKW, может быть с другим уровнем параметров.
  3. Ключевые суффиксы, указываемые в даташитах и маркировке на корпусе:

    • Без суффикса или T — Базовая версия.
    • H3 — Улучшенная версия (например, с более низким Vce(sat)).
    • DНаличие встроенного быстрого обратного диода (FRD). Например: IKW50N60T — без диода, IKW50N60TD — с диодом. Это критически важное отличие при замене!

На корпусе устройства обычно нанесена укороченная маркировка, например: IKW50N60T или 50N60T. Для точной идентификации необходимо сверяться с упаковкой или документацией.


Совместимые модели и Аналоги

При поиске аналога или замены необходимо учитывать основные параметры: VCES (600В), IC (50А), наличие/отсутствие диода, корпус (TO-247) и характеристики Vce(sat)/переключения.

Прямые аналоги от других производителей:

  • STMicroelectronics:
    • STGW50H60DFB (600В, 50А, с диодом, TO-247)
    • STGP50H60DF (аналогичный)
  • Fuji Electric:
    • 2MBI50N-060 (сборка из двух штук, но можно использовать один элемент) или аналогичные дискретные модели.
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FGH50N60SMD (600В, 50А, с диодом, TO-247)
    • HGTG50N60B3 (более старая модель)
  • Toshiba:
    • GT50J301 (600В, 50А, без диода)
  • IXYS (Littelfuse):
    • IXGH50N60B3 (600В, 50А, без диода, TO-247)

Важные замечания по совместимости:

  1. Диод: Если в оригинальной схеме используется IGBT без диода, а вы устанавливаете модель с диодом — это почти всегда допустимо и часто является улучшением. Обратная замена (с диода на без диода) недопустима, если схема рассчитана на работу этого диода (например, в инверторных мостах).
  2. Характеристики: Новые аналоги (особенно серии с суффиксами H3, S5, FD и т.д.) могут иметь лучшие параметры. Это обычно идет на пользу, но в редких случаях очень высокие скорости переключения (высокий dV/dt) могут создать проблемы с ЭМП. Рекомендуется проверять схему затвора.
  3. Радиатор: Все перечисленные модели в корпусе TO-247 имеют идентичную механическую конструкцию и расположение выводов, поэтому совместимы с одними и теми же теплоотводами и креплениями.

Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами (datasheet) обоих компонентов, уделяя особое внимание распиновке (pinout), пороговому напряжению затвора VGE(th) и наличию внутреннего диода.

Товары из этой же категории