Infineon IGP20N65H5

Конечно, вот подробное описание IGP20N65H5 от Infineon, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

IGP20N65H5 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по передовой технологии Superjunction (CoolMOS™) от Infineon Technologies.

Ключевые особенности и применение:

• Технология: CoolMOS™ C7. Эта технология обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) в сочетании с высоким быстродействием и отличной устойчивостью к перегрузкам. Это делает транзистор очень эффективным.
• Основное назначение: Предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях, где требуется высокая эффективность и надежность, таких как:
  • Корректор коэффициента мощности (PFC)
  • Резонансные преобразователи (LLC)
  • Прямоходовые и обратноходовые преобразователи
• Ключевые преимущества:
  • Высокая эффективность: Низкие динамические потери и низкое RDS(on) способствуют снижению энергопотребления и тепловыделения.
  • Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к импульсным перенапряжениям (dv/dt) и переключательным перегрузкам.
  • Улучшенная коммутация: Оптимизирована для работы на высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).

Этот компонент является отличным выбором для построения современных, компактных и энергоэффективных блоков питания.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | CoolMOS™ C7 | | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Улучшенный | | Структура | Superjunction | | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 650 В | | | Сопротивление в откр. сост. (R_DS(on)) | 0.200 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 10 А | | Максимальный ток стока (I_D) | 20 А | При T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток (I_DM) | 80 А | | | Мощность рассеяния (P_tot) | 156 Вт | При T_C = 25°C | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (R_thJC) | 0.8 °C/Вт | | | Напряжение затвора (V_GS) | ± 30 В | Максимальное | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Емкость "вход-выход" (C_oss) | 90 пФ (тип.) | При V_DS = 25 В, f = 1 МГц | | Заряд затвора (Q_g) | 46 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В | | Время включения (t_d(on)) | 11 нс (тип.) | | | Время выключения (t_d(off)) | 40 нс (тип.) | | | Корпус | TO-247 | | | Срок службы (свинец/олово) | Последний заказ: 31.03.2021 | Деталь снята с производства (EOL) |

Парт-номера и совместимые модели

Поскольку компонент IGP20N65H5 официально снят с производства (EOL), при поиске замены важно учитывать не только электрические параметры, но и корпус, а также характеристики коммутации.

Прямые аналоги (Функционально совместимые)

Это модели, которые имеют максимально близкие характеристики и являются прямой или улучшенной заменой. Рекомендуется в первую очередь рассматривать аналоги от Infineon из более новых серий.

• От Infineon:

  • IPP20N65H5: Практически полный аналог, но может иметь незначительные отличия в динамических характеристиках. Также часто EOL.
  • IPP20N65C7: Более новая версия в том же семействе CoolMOS C7.
  • IPA20R650C7: Аналог в корпусе TO-220 FullPAK.
  • Из новых серий (CoolMOS P7, G7, CFD7): необходимо искать модель с близкими значениями V_DSS = 650 В, I_D ~ 20 А и R_DS(on) ~ 0.2 Ом. Например, IPP20R65C7.

• От других производителей:

  • STMicroelectronics: Семейство MDmesh™ DM5 или DM6. Например, STW20N65DM5.
  • ON Semiconductor: Семейство SuperFET II или III. Например, FCP20N65.
  • Texas Instruments: Семейство PowerMOS. Нужно проверять по даташитам.
  • Vishay / Siliconix: Модели серии SupreMOS.

Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитами! Перед заменой обязательно скачайте и сравните технические описания (datasheet) как оригинальной детали, так и предполагаемой замены.
2. Корпус: IGP20N65H5 выполнен в корпусе TO-247. Убедитесь, что аналог имеет тот же корпус (например, TO-247, TO-220, D²PAK) для совместимости с монтажом и теплоотводом.
3. Распиновка: Убедитесь, что распиновка (расположение выводов Drain, Gate, Source) у аналога совпадает.
4. Характеристики коммутации: Особое внимание уделите динамическим параметрам, таким как заряд затвора (Q_g), емкости (C_iss, C_oss, C_rss), а также временам переключения. Значительные отличия могут потребовать доработки драйвера затвора.

Вывод: IGP20N65H5 — это высококачественный, но устаревший MOSFET. Для новых проектов и замены в существующих рекомендуется выбирать аналоги из более современных серий CoolMOS от Infineon или аналогичные решения от STMicroelectronics и ON Semiconductor.