Infineon IKQ75N120CS6XKSA1

Конечно. Предоставляю подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для транзистора Infineon IKQ75N120CS6XKSA1.

Описание

Infineon IKQ75N120CS6XKSA1 — это N-канальный功率 MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolSiC™ 1200V. Он относится к семейству SiC (карбид кремния) MOSFET, что кардинально отличает его от традиционных кремниевых (Si) MOSFET и IGBT.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolSiC™: Обеспечивает высочайшую эффективность, низкие динамические потери и возможность работы на высоких частотах (десятки и сотни кГц).
• Высокое напряжение: 1200 В — делает его идеальным для работы в сетях 400В и 800В.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 75 мОм при температуре 25°C.
• Высокая температурная стабильность: Параметры, особенно Rds(on), слабо меняются с повышением температуры.
• Отсутствие тока хвоста (Tail Current): В отличие от IGBT, SiC MOSFET не имеет задержки при выключении, что минимизирует коммутационные потери.
• Высокая скорость переключения (dv/dt): Позволяет создавать более компактные и легкие системы.
• Корпус TO-247-3: Стандартный и популярный корпус для силовых компонентов, удобный для монтажа и теплоотвода.
• Встроенный обратный диод (Body Diode): Имеет быстрое восстановление, что критично для инверторных и мостовых схем.

Основные области применения:

• Промышленные приводы и частотные преобразователи
• Системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы)
• Зарядные станции для электромобилей (EV Charging)
• Блоки питания серверов и телекоммуникационные системы (SMPS)
• Системы бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Семейство | CoolSiC™ MOSFET Generation 6 (G6) | - | | Тип канала | N-канал | Enhancement Mode | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 1200 В | - | | Непрерывный ток стока (Id) | 46 А | При Tc = 25°C | | Непрерывный ток стока (Id) | 28 А | При Tc = 80°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 75 мОм (макс.) | Vgs = 18 В, Id = 30 А, Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 110 мОм (макс.) | Vgs = 15 В, Id = 30 А, Tc = 25°C | | Напряжение затвора (Vgs) | ±20 В (макс.) | - | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 4.5 - 6.5 В | Vds = Vgs, Id = 1.5 мА | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 120 нКл | Vgs = 18 В, Id = 30 А | | Время включения (td(on) + tr) | ~ 27 нс | - | | Время выключения (td(off) + tf) | ~ 47 нс | - | | Энергия включения (Eon) | ~ 1.35 мДж | - | | Энергия выключения (Eoff) | ~ 0.55 мДж | - | | Корпус | TO-247-3 | - | | Свинцовосодержание | Бессвинцовый (Pb-free) | - |

Парт-номера и Совместимые модели (Аналоги)

Поскольку компонент производится Infineon, у него нет прямых "клонов" от других брендов с идентичным номером. Однако на рынке существуют прямые аналоги и конкурирующие модели с очень схожими характеристиками (1200В, ~75 мОм, TO-247).

Прямые аналоги от Infineon (в той же серии):

• IKW75N120CS6XKSA1 - Тот же чип, но в корпусе TO-247-4 (с отдельным выводом истока для затвора), что улучшает характеристики переключения.

Конкурирующие модели от других производителей (требуется проверка даташита и характеристик!):

• CREE / Wolfspeed:
  • C3M0075120K (75 мОм, TO-247-3)
• ROHM Semiconductor:
  • SCT3040KR (76 мОм, TO-247-3)
• STMicroelectronics:
  • SCT120N120G2-5 (72 мОм, TO-247-3)
• Microchip / Microsemi:
  • MSC040SMA120B (не точно 75 мОм, но близкий аналог по току/напряжению)

Важное замечание по совместимости: Несмотря на схожие электрические характеристики, при замене на аналог обязательно необходимо:

1. Внимательно изучить даташиты обеих моделей.
2. Проверить параметры динамического поведения: заряды затвора (Qg, Qgd), внутренние индуктивности, характеристики встроенного диода.
3. Убедиться в совместимости напряжения затвора (Vgs) и порогового напряжения.
4. Проверить разводку печатной платы (footprint), так как у аналогов от разных производителей могут быть незначительные отличия в расположении выводов.

Прямая замена без проверки этих параметров может привести к неоптимальной работе схемы или выходу компонента из строя.