Infineon IKW40T120

Infineon IKW40T120
Артикул: 563852

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IKW40T120

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon IKW40T120.

Описание

IKW40T120 — это дискретный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, разработанный компанией Infineon Technologies. Он принадлежит к серии TRENCHSTOP™ 5, что означает использование передовой trench-технологии. Это обеспечивает оптимальный баланс между низким напряжением насыщения (VCE(sat)) и высокой скоростью переключения, что является ключевым для энергоэффективности.

Основные особенности и применение:

  • Высокая эффективность: Низкие динамические и статические потери делают его идеальным для применений, где важна энергоэффективность.
  • Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к короткому замыканию (до 5 мкс) и широкой областью безопасной работы (RBSOA).
  • Интегрированный быстрый диод: В корпус встроен антипараллельный диод с мягким восстановлением, что упрощает разработку схем и улучшает производительность в инверторных приложениях.
  • Основные области применения:
    • Инверторы для бытовых и промышленных кондиционеров.
    • Частотно-регулируемые приводы (ЧРП) малой и средней мощности.
    • Источники бесперебойного питания (ИБП).
    • Сварочное оборудование.
    • Солнечные инверторы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение | VCES = 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать прибор. | | Непрерывный ток коллектора | IC = 40 А (при Tc=80°C) | Ток в открытом состоянии. | | Импульсный ток коллектора | ICM = 80 А | Максимальный кратковременный импульсный ток. | | Напряжение насыщения | VCE(sat) = 1.85 В (тип., при IC=40A) | Ключевой параметр, определяющий потери проводимости. Чем ниже, тем лучше. | | Энергия включения/выключения | Eon = 5.5 мДж, Eoff = 2.0 мДж (тип.) | Определяют потери при переключении. | | Напряжение затвор-эмиттер | VGE = ±20 В | Стандартный диапазон для управления. Рабочее обычно ±15В / -15В. | | Заряд затвора | Qg = 130 нКл (тип.) | Влияет на требования к драйверу затвора. | | Стойкость к короткому замыканию | tsc = 5 мкс | Время, в течение которого прибор может выдерживать режим КЗ. | | Тепловое сопротивление | RthJC = 0.5 К/Вт | Сопротивление от кристалла (junction) до корпуса (case). | | Температура перехода | Tj = -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. | | Корпус | TO-247 | Стандартный корпус для силовой электроники. |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальное полное обозначение от Infineon может включать в себя различные суффиксы, указывающие на упаковку или небольшие модификации. Основные варианты:

  • IKW40T120 — Базовое обозначение.
  • IKW40T120FKSA1 — Один из распространенных полных номеров для заказа.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые или улучшенные аналоги)

При поиске замены или аналога необходимо сверять ключевые параметры: VCES (1200В), IC (40А), корпус (TO-247) и особенно VCE(sat).

1. От Infineon (более новые или аналогичные серии):

  • IKW40N120T2 — Прямой аналог из более новой серии TRENCHSTOP™ 2. Имеет схожие характеристики, широко распространен.
  • IKW40N120H3 — Модель из серии TRENCHSTOP™ 5 H3 (третье поколение). Обладает более низким VCE(sat) (~1.7В), что повышает эффективность. Является улучшенной, рекомендуемой для новых разработок заменой.
  • IKW40N120CS6 — Из серии TRENCHSTOP™ 5 S6 (шестое поколение). Оптимизирован для очень высокой частоты переключения (до 40 кГц) с низкими Eon/Eoff.

2. От других производителей (кросс-совместимые аналоги): Перед заменой обязательна проверка даташитов и консультация со схемой, так как могут быть отличия в динамических характеристиках, емкостях и характеристиках встроенного диода.

  • STMicroelectronics:
    • STGW40H120DF2 — IGBT с быстрым диодом в корпусе TO-247. Очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог.
  • Fuji Electric:
    • 2MBI200UX-120-50 — Модуль, но дискретные аналоги серии 2DI могут быть подобраны.
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FGH40T120SMD — Мощный IGBT с аналогичными номиналами.
  • IXYS (Littelfuse):
    • IXGH40N120B3 — Классический аналог от другого ведущего производителя.

Важное замечание по замене:

Хотя электрические параметры (VCES, IC) могут совпадать, характеристики переключения (Eon, Eoff, Qg) и внутренние паразитные индуктивности могут отличаться. Это может повлиять на уровень электромагнитных помех (EMI), нагрев и общую эффективность системы. Всегда рекомендуется:

  1. Сравнивать ключевые графики в даташитах.
  2. Проводить тестовые испытания в реальной схеме.
  3. Для новых проектов рассматривать более современные аналоги (например, IKW40N120H3 от Infineon).

Товары из этой же категории