Infineon IPB180N10S402

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET-транзистора Infineon IPB180N10S4-02.

Описание

Infineon IPB180N10S4-02 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 4. Этот транзистор предназначен для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, моторных приводах и системах управления питанием (например, в схемах синхронного выпрямления).

Ключевые преимущества этого компонента:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Очень низкое значение, которое минимизирует потери проводимости и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокая эффективность переключения: Оптимизирован для работы на высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).
• Высокая стойкость к импульсным перенапряжениям (Avalanche Rugged): Устройство обладает повышенной надежностью и способно выдерживать кратковременные выбросы напряжения, превышающие максимальное рабочее.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери при переключении, так как для управления требуется меньше энергии.
• Соответствие стандарту RoHS: Не содержит свинца и других вредных веществ.

Корпус — TO-263-3 (D²PAK), который предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и обеспечивает эффективный отвод тепла благодаря большой контактной площадке.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Technoogy OptiMOS 4 | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 100 В | | | Максимальный ток стока (Id) | 180 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление откр. канала (Rds(on)) | 2.0 мОм (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 90 А | | | 2.4 мОм (макс.) | При Vgs = 4.5 В, Id = 45 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.7 - 3.9 В | Стандартное значение ~3.3 В | | Макс. напряжение Затвор-Исток (Vgs) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 150 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В, Id = 90 А | | Энергия перенапряжения (Avalanche) | 950 мДж | Одиночный импульс | | Диод обратного хода | Встроенный (Body-Diode) | | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.45 °C/Вт | Корпус-кристалл | | Температура хранения (Tstg) | от -55 до +150 °C | | | Макс. температура перехода (Tj) | +175 °C | | | Корпус | TO-263-3 (D²PAK) | |

Парт-номера и аналоги

Производитель Infineon часто присваивает несколько парт-номеров для одного и того же кристалла в разных корпусах или для разных вариантов маркировки. Прямым парт-номером для IPB180N10S4-02 является:

• IPB180N10S4-02ATMA1 — это, скорее всего, полный номер для заказа, где суффикс указывает на упаковку (например, на катушке для автоматического монтажа).

Совместимые модели / Прямые аналоги

При поиске аналога или замены необходимо ориентироваться на ключевые параметры: Vds = 100В, Id ~180А, Rds(on) ~2.0 мОм, корпус TO-263-3.

Аналоги от Infineon:

• IPP180N10S4-02: Очень похожая модель, часто отличается встроенным обратным диодом или другими незначительными нюансами. Является ближайшим аналогом.
• IAUC180N10S5N015: Модель из более новой серии OptiMOS 5, может иметь лучшие характеристики (более низкое Rds(on)).
• IPT180N10S5-02: Еще одна модель из серии OptiMOS 5 в корпусе TO-220.

Аналоги от других производителей:

• ON Semiconductor (Fairchild):
  • FDP180N10A (100V, 180A, 3.5 мОм)
• Vishay Siliconix:
  • SUD180N10-20P (100V, 180A, 2.0 мОм)
• STMicroelectronics:
  • STH180N10F2 (100V, 180A, 2.2 мОм) - серия STripFET F2.
• Texas Instruments:
  • CSD18542Q5B (100V, 180A, 2.2 мОм) - обратите внимание на корпус (может отличаться).

Важные замечания по совместимости

1. Всегда проверяйте даташит (datasheet)! Перед заменой одного компонента на другой необходимо тщательно сверить все характеристики, особенно распиновку корпуса, параметры встроенного диода и зависимости Rds(on) от Vgs и температуры.
2. Корпус: Убедитесь, что физический корпус аналога (TO-263-3) полностью соответствует по размерам и расположению выводов.
3. Характеристики переключения: Даже при схожих статических параметрах (Rds(on), Vds), динамические характеристики (Qg, Ciss, Coss, Crss) могут отличаться, что повлияет на работу схемы на высоких частотах. Может потребоваться подстройка драйвера затвора.

Таким образом, Infineon IPB180N10S4-02 — это высококачественный и мощный MOSFET, для которого существует несколько прямых аналогов как от Infineon, так и от других ведущих производителей. Выбор замены должен основываться на тщательном анализе требований вашей конкретной схемы.