Infineon IPD60N10S4L-12
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPD60N10S4L-12
Отличный выбор! IPD60N10S4L-12 — это очень популярный и надежный MOSFET-транзистор от Infineon Technologies. Вот подробное описание и вся необходимая информация.
Описание
IPD60N10S4L-12 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Это семейство известно своим исключительно низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокими показателями эффективности, что делает данные транзисторы идеальными для импульсных источников питания (SMPS) и других приложений, где критичны потери на проводимость и переключение.
Ключевая особенность этой конкретной модели — низкое пороговое напряжение (VGS(th)) в линейке Logic Level (12V), что позволяет управлять ей напрямую от большинства микроконтроллеров (логических уровней 3.3В или 5В) без использования дополнительных драйверов, хотя для лучшей производительности на высоких частотах драйвер все же рекомендуется.
Основные области применения:
- Импульсные источники питания (SMPS), особенно в синхронных выпрямителях на низковольтной стороне.
- DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие).
- Управление двигателями (например, в электромобилях, дронах, силовом инструменте).
- Инверторы и системы ИБП.
- Цепи управления высокой мощностью в промышленной и потребительской электронике.
Технические характеристики (ключевые параметры)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | OptiMOS™ 5 | 5-е поколение, оптимизировано для эффективности | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 100 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить | | Постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 60 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 240 А | Максимальный кратковременный импульсный ток | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 4.0 мОм (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 30 А. Ключевой параметр для эффективности. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.8 - 3.0 В | Тип. 2.4 В. Logic Level, управляется от 5В. | | Напряжение управления затвором (VGS) | ±20 В (макс.) | Стандартный диапазон | | Заряд затвора (Qg) | ~55 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Важно для расчета драйвера. | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Пластиковый, для поверхностного монтажа (SMD), с теплоотводящей площадкой | | Класс рабочей температуры (Tj) | от -55 °C до +175 °C | Максимальная температура кристалла |
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
Важно понимать, что у одной и той же детали могут быть разные маркировки в зависимости от производителя, партии или упаковки. IPD60N10S4L-12 — это полный и уникальный порядковый номер Infineon.
1. Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (Second Source): Эти модели имеют максимально близкие характеристики и часто являются прямой заменой в схеме (всегда проверяйте распиновку и даташит!):
- International Rectifier (IR): IRL1004, IRL1404 (также Logic Level, близкие параметры).
- Vishay/Siliconix: SQJ460EP-T1_GE3 (очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог).
- Fairchild/ON Semiconductor: FDBL86062_F085 (аналог в корпусе DPAK).
- STMicroelectronics: STL160N4F7 (из серии STripFET F7, с еще более низким RDS(on)).
- Nexperia: PSMN4R0-100BSE (очень близкий современный аналог).
2. Совместимые/аналогичные модели из линейки OptiMOS 5 Infineon (для выбора по параметрам):
- IPD65N10S4L-12 — аналог на 65А, с чуть более низким RDS(on) (~3.5 мОм).
- IPD50N10S4L-12 — аналог на 50А.
- IPP60N10S4L-12 — практически идентичная модель, но в корпусе TO-220 (THT, для сквозного монтажа).
- IPP60N10S4L-12ATMA1 — модель в корпусе TO-220 с прямой (straight) ножкой.
Важные замечания при замене
- Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (DPAK, TO-220, D2PAK). Они имеют разную монтажную площадь и способность рассеивать тепло.
- Распиновка: Всегда проверяйте цоколевку (pinout) в даташите, особенно у аналогов других брендов.
- Динамические характеристики: Для высокочастотных применений критически важно сравнивать не только RDS(on) и ток, но и заряды затвора (Qg, Qgd), внутренние индуктивности и параметры защитного диода (Body Diode). Полная совместимость по статическим параметрам не гарантирует одинакового поведения на высоких частотах.
- Даташит: Перед заменой всегда изучайте официальный даташит (Datasheet) как оригинальной детали, так и аналога.
Рекомендация: Для новых проектов всегда проверяйте актуальность модели на сайте Infineon, так как линейка OptiMOS постоянно обновляется. Модель IPD60N10S4L-12 является проверенным временем и оптимальным по цене решением для множества задач средней мощности.