Infineon IPD60R380C6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon IPD60R380C6.

Общее описание

Infineon IPD60R380C6 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS). Его основное предназначение — работа в качестве ключа в топологиях типа PFC (корректор коэффициента мощности) и LLC-резонансных преобразователях.

Главные преимущества серии C6, воплощенные в этой модели:

• Высокая эффективность: Достигается за счет оптимального баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (R DS(on)) и динамическими характеристиками (зарядами).
• Улучшенное поведение при коммутации: Минимальные потери на включение/выключение и отличная стойкость к dv/dt.
• Высокая надежность: Расширенный диапазон безопасной работы (SOA) и стойкость к лавинным процессам.

Этот транзистор является популярным выбором для блоков питания средней и высокой мощности (примерно от 300Вт до 800Вт), где критически важны КПД и надежность.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (CoolMOS™ C6) | Улучшенная технология для SMPS | | Структура | Суперджекшен (Superjunction) | | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Напряжение "сток-исток" (V DSS) | 650 В | Рабочее напряжение до ~400В в PFC | | Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)) | 0.38 Ом (макс.) | Ключевая характеристика при V GS=10В, I D=5.8A | | Максимальный постоянный ток стока (I D) | 11 А | При T корпуса = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (I DM) | 44 А | | | Заряд затвора (Q g (тип.)) | 28 нКл | Низкий заряд для снижения потерь на управление | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный диапазон | | Максимальная рассеиваемая мощность (P D) | 156 Вт | При T корпуса = 25°C (требуется радиатор) | | Температура хранения/перехода | от -55 до +150 °C | Максимум +150°C для p-n перехода |

Основные области применения:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC) — чаще всего в следующем за выпрямителем (Boost) топологии.
• Резонансные LLC-преобразователи (полумост, полный мост).
• Импульсные источники питания для ПК, серверов, промышленного оборудования, телевизоров.
• Обратноходовые преобразователи (Flyback) высокой мощности.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки и маркировки.

• Основной номер: IPD60R380C6
• Полный порядковый номер для заказа (с упаковкой):
  • IPD60R380C6ATMA1 — на катушке (Tape & Reel).
  • IPD60R380C6XKSA1 — в тубе (Tube).

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске замены или аналога важно сравнивать не только напряжение и ток, но и R DS(on), заряд затвора (Q g) и технологию (C6/С7 аналогичны, но не всегда взаимозаменяемы с более старыми сериями без проверки).

1. Ближайшие аналоги в семействе Infineon CoolMOS™ C6/C7:

• IPD60R360C6 / IPD60R360C7 (0.36 Ом) — немного лучшие параметры, прямая замена в большинстве схем.
• IPD60R400C6 / IPD60R400C7 (0.40 Ом) — ближайший аналог с чуть более высоким сопротивлением.
• IPP60R380C6 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
• SPD60R380C6 — аналог в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа (SMD).

2. Аналоги от других ведущих производителей (требуют проверки по datasheet и пинам!):

• STMicroelectronics:
  • STP21N65M6 (650V, 0.38Ω, MDmesh™ M6) — очень близкий и популярный аналог.
  • STF21N65M6 (в корпусе TO-220FP).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCPF21N65 (650V, 0.38Ω, SuperFET® III) — технологически схожий аналог.
• Power Integration (в составе их систем в корпусе):
  • Не являются прямыми аналогами, но могут использоваться в схожих по мощности схемах их чипы, например, серии HiperPFS со встроенным MOSFET.

3. Важные замечания по совместимости:

• Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet), особенно разделы с паразитными емкостями (C iss, C oss, C rss) и зарядами (Q g, Q oss). Отличия могут влиять на работу на высоких частотах.
• Распиновка (pinout) корпуса TO-220 обычно стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но у некоторых аналогов (особенно в изолированных корпусах) она может отличаться!
• Проверяйте рекомендации по обвязке затвора (gate resistor) — они могут различаться у разных производителей.

Вывод: Infineon IPD60R380C6 — это высококачественный и надежный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для построения эффективных силовых каскадов. При необходимости замены наиболее безопасным выбором будут аналоги из того же семейства CoolMOS™ C6/C7 от Infineon или технологически похожие серии (M6 от ST, SuperFET III от ON).