Infineon IPD90R1K2C3ATMA1

Отличный выбор! IPD90R1K2C3ATMA1 — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET от Infineon, созданный по передовой технологии CoolMOS™ C7 Gold. Он предназначен для приложений, где критически важны высокая эффективность, надежность и компактность.

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание и назначение

IPD90R1K2C3ATMA1 — это силовой транзистор в популярном корпусе TO-252 (DPAK). Ключевые особенности, благодаря технологии CoolMOS™ C7:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 12 мОм (при 10 В на затворе). Это минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая эффективность: Оптимизирован для работы на высоких частотах (десятки-сотни кГц), что позволяет уменьшить размеры пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов) в схемах.
• Отличные характеристики переключения: Быстрое время включения/выключения и низкие заряды (Qg, Qgd), что снижает динамические потери.
• Золотая середина: Технология C7 Gold предлагает оптимальный баланс между низким RDS(on) и высокими скоростями переключения.
• Высокая надежность: Соответствие строгим стандартам Infineon, отличная стойкость к лавинным процессам (UIS).

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS): В частности, сильноточные части DC-DC преобразователей, синхронные выпрямители в топологиях типа Forward, Half/Full-Bridge.
• Коррекция коэффициента мощности (PFC): В схемах как в режиме CCM, так и TM (Critical Conduction Mode).
• Мощные DC-DC преобразователи: В телекоммуникационном оборудовании, серверах, промышленной электронике.
• Цепи управления двигателями и инверторы.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | CoolMOS™ C7 Gold | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Пакет для поверхностного монтажа (SMD) | | Сток-исток напряжение (VDSS) | 900 В | Максимальное напряжение отключения | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 12 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 11.6 А (ключевой параметр) | | Сток ток (ID) непрерывный | 23.5 А | При Tc = 25°C | | Сток ток (ID) импульсный | 94 А | | | Мощность рассеяния (PD) | 156 Вт | На пластине корпуса (при идеальном теплоотводе) | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.5 В | Тип. 3.75 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 85 нКл (тип.) | VGS = 10 В — важный параметр для расчета драйвера | | Заряд обратной передачи (Qgd) | ~ 15 нКл (тип.) | Влияет на скорость переключения | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Класс эффективности | Подходит для стандартов 80 PLUS Titanium | В высокоэффективных БП |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот конкретный компонент имеет уникальный порядковый номер Infineon. Однако существуют прямые функциональные и форм-факторные аналоги от Infineon и других производителей с идентичными или очень близкими параметрами.

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же корпусе и технологии):

• IPP90R1K2C7 — Ближайший "собрат" в корпусе TO-220 FullPAK (с изолированной металлической подложкой). Внимание: Корпус другой, но электрические характеристики кристалла идентичны.
• SPP90R1K2C3 — Аналог в корпусе TO-263 (D2PAK). Более крупный корпус для лучшего теплоотвода.
• В линейке C7 Gold также есть модели с близким RDS(on): IPP90R125C7 (12.5 мОм), IPP90R099C7 (9.9 мОм) — но они могут иметь отличия в динамических характеристиках.

2. Совместимые модели / конкурирующие аналоги от других производителей:

При поиске замены необходимо сверять не только RDS(on) и напряжение, но и динамические параметры (Qg, Qgd) и паразитные емкости.

• STMicroelectronics:
  • STW90N30K5 (900В, 30мОм, TO-247) — менее эффективный, но популярный.
  • Из серии MDmesh™ K5 или M6 можно подобрать аналог по току и напряжению.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP90N10 (100В, 10мОм) — НЕ АНАЛОГ! (Напряжение всего 100В). Это пример, почему важно смотреть на VDS.
  • Ищите в сериях SuperFET® II / III или MOSFET HV с напряжением 800-900В и низким RDS(on).
• Vishay / Siliconix:
  • SUP90N20-30 (200В, 30мОм) — НЕ АНАЛОГ!
  • Серии E Series или Power MOSFET с подходящими параметрами.
• Toshiba:
  • TK90N12W (900В, 120мОм) — устаревший и менее эффективный.
  • Более современные серии DTMOS IV / V.

Важные замечания по замене и использованию

1. Не только RDS(on): При замене критически важно учитывать заряды затвора (Qg, Qgd). Если драйвер рассчитан на 85 нКл, а аналог имеет 150 нКл, это может привести к его перегрузке, увеличению времени переключения и перегреву.
2. Корпус и монтаж: DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263) и TO-220 имеют разную площадь теплоотвода и требования к пайке. Прямая замена на другой корпус требует переразводки платы.
3. Рекомендуемый драйвер: Для полного раскрытия потенциала этого MOSFET необходим драйвер затвора с достаточным током (рекомендуется пиковый ток 2-4А) и низким сопротивлением.
4. Проверка даташита: Перед заменой всегда изучайте официальный даташит (техническую документацию) как оригинальной детали, так и аналога. Особое внимание разделам: Absolute Maximum Ratings, Electrical Characteristics, Switching Characteristics, Typical Application Characteristics.

Вывод: IPD90R1K2C3ATMA1 — это современный, высокоэффективный MOSFET для требовательных силовых приложений. Его основное преимущество — уникальное сочетание высокого напряжения (900В) и очень низкого сопротивления (12 мОм) в компактном корпусе, что делает его отличным выбором для новых разработок. При поиске аналога фокус следует делать на модели от Infineon в других корпусах или на продукты конкурентов с использованием аналогичных суперджункционных технологий (SuperJunction).