Infineon IPI90R340C3XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IPI90R340C3XKSA1.

Описание

Infineon IPI90R340C3XKSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Данная серия является дальнейшим развитием знаменитой линейки CoolMOS™ и оптимизирована для достижения исключительного баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокими скоростями переключения.

Ключевая особенность технологии CoolMOS™ C3 — это высочайшая эффективность. Транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (hard switching), таких как:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Выпрямители с резонансными преобразователями (LLC)
• Инверторы и мостовые схемы

Благодаря низким динамическим потерям и отличной устойчивостью к лавинному пробою, этот компонент позволяет создавать более компактные, надежные и энергоэффективные решения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | CoolMOS™ C3 | Оптимизированы для жесткого переключения | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Структура | Superjunction | | | Корпус | TO-220 | Открытый корпус | | Количество выводов | 3 | | | Полярность | Enhancement-mode | |

Основные электрические характеристики (при Tj = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" (VDSS) | 900 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.340 Ом (макс.) | VGS = 10 В, ID = 5.7 А | | Максимальный ток стока (ID) | 5.7 А | При Tc = 100°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 22.8 А | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (VGS) | ±30 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 28 нКл (тип.) | VDS = 675 В, ID = 5.7 А | | Время включения (ton) | 21 нс (тип.) | | | Время выключения (toff) | 65 нс (тип.) | | | Емкость "Сток-Исток" (Coss) | 47 пФ (тип.) | VDS = 25 В, f = 1 МГц | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 0.65 мкКл (тип.) | Очень низкое значение |

Тепловые характеристики

| Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Максимальная температура перехода (Tj) | +175 °C | | Тепловое сопротивление "Переход-Корпус" (RthJC) | 1.4 °C/Вт | | Тепловое сопротивление "Переход-Окружающая среда" (RthJA) | 62 °C/Вт |

Парт-номера и аналоги

Производитель может использовать различные суффиксы для обозначения упаковки или уровня качества. Основной парт-номер — IPI90R340C3.

Прямые аналоги и совместимые модели (с максимально близкими параметрами):

При поиске аналога важно ориентироваться на три ключевых параметра: VDSS (900В), RDS(on) (~0.34 Ом) и корпус (TO-220).

Аналоги от Infineon (в других корпусах или смежных сериях):

• SPI90R340C3 — Тот же кристалл, но в корпусе TO-220FP (полностью изолированный).
• IPI90R340C3 (без суффикса KSA1) — Может быть вариантом для другой упаковки (на катушке/в трубке).

Аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics:

  • STW9N90K3 — MOSFET 900В, 0.35 Ом, TO-247 (более мощный корпус, но электрически очень близок).
  • STP9N90K3 — MOSFET 900В, 0.35 Ом, TO-220. Очень близкий прямой аналог.

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FCP9N90 / FCPF9N90 — MOSFET 900В, ~0.40 Ом, TO-220/TO-220F.

• Vishay / Siliconix:

  • SUP9N90-90 — MOSFET 900В, 0.40 Ом, TO-220.

Важно!

1. Полная совместимость не гарантирована. Перед заменой необходимо внимательно сравнивать даташиты, особенно такие параметры, как динамические характеристики (Qg, Ciss, Coss), характеристики встроенного диода (Qrr) и зависимости параметров от температуры.
2. Корпус: Обращайте внимание на суффиксы. Например, версии с "F" (как TO-220F или TO-220FP) имеют изолированную площадку для монтажа, что не требует изолирующей прокладки, но имеет худший теплоотвод.
3. Происхождение: На рынке много компонентов от разных поставщиков. Рекомендуется приобретать продукцию у официальных дистрибьюторов Infineon или проверенных поставщиков.

Данное описание основано на официальной документации (даташит) от Infineon. Для проектирования критичных узлов всегда обращайтесь к полному техническому описанию на сайте производителя.