Infineon IPI90R800C3XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IPI90R800C3XKSA1.

Описание

Infineon IPI90R800C3XKSA1 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS).

Основное назначение: Применяется в силовой части преобразователей, где критически важны высокий КПД и надежность. Типичные области использования:

• Импульсные источники питания (SMPS): Корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и обратноходовые топологии.
• Инверторы и драйверы для освещения (LED драйверы).
• Серверное и телекоммуникационное оборудование.
• Промышленные системы питания.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ C3:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость, что повышает общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на повышенных частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
• Оптимизированный динамический баланс: Хороший компромисс между скоростью переключения и уровнем электромагнитных помех (EMI).
• Высокая надежность и стойкость к лавинным процессам (Avalanche Ruggedness).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Технология Superjunction (CoolMOS) | | Серия | CoolMOS™ C3 | Оптимизирована для SMPS | | Корпус | TO-220 | Классический изолированный корпус | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 900 В | Высоковольтное исполнение | | Сток-Исток сопротивление (Rds(on)) | 0.80 Ом (макс.) | При Vgs=10 В, Id=2.5 А | | Сток ток (Id) | 4.5 А (при Tc=100°C) | Непрерывный ток через кристалл | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 18 А | Кратковременная нагрузка | | Заряд затвора (Qg) | ~ 15 нК (тип.) | Низкий заряд для управления | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный уровень управления | | Макс. напряжение Затвор-Исток (Vgs) | ±30 В | | | Рабочая температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналогичные модели)

Этот транзистор может поставляться под разными маркировками в зависимости от упаковки, региона или дистрибьютора. Основной парт-номер:

• SPI90R800C3 — часто используется как коммерческое обозначение или обозначение на корпусе.
• IPI90R800C3XKSA1 — полное и официальное название для заказа, где "TO-220" является частью номенклатуры.

При поиске на сайтах дистрибьюторов (например, Mouser, Digi-Key, TME) используйте основную часть 90R800C3.

Совместимые / Аналогичные модели (для замены и кросс-референса)

При замене необходимо учитывать не только электрические параметры, но и топологию печатной платы (распиновка корпуса), условия охлаждения и рабочие частоты.

1. От Infineon (прямые аналоги в других корпусах или соседние по номиналу):

• IPI90R800C3 (в других корпусах, например, TO-247, D²PAK) — та же технология, но с лучшим тепловыделением.
• IPP90R800C3 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (без изолирующей пластиковой ножки, для лучшего охлаждения).
• IPA90R800C3 — в корпусе TO-220, не изолированный.
• IPI90R650C3 (650 мОм) или IPI90R1K0C3 (1.0 Ом) — модели с близкими параметрами, но немного другим сопротивлением. Требуют проверки потерь в конкретной схеме.

2. От других производителей (функциональные аналоги):

• STMicroelectronics: STF9N90K3, STW9N90K3 (серия MDmesh™ K3).
• ON Semiconductor: FCPF9N90, FCP11N90 (серия SuperFET® II).
• Fairchild/ON Semi: FCP9N90.
• Toshiba: TK9A90W (серия DT MOS IV).

Важное замечание по замене: Несмотря на схожие электрические параметры, динамические характеристики (внутренние емкости, скорость восстановления паразитного диода) у транзисторов разных производителей и серий могут отличаться. Это может повлиять на КПД, нагрев и уровень помех в высокочастотных схемах. Перед заменой всегда рекомендуется: 1) Сравнить datasheets, особенно графики зависимостей; 2) По возможности, провести тесты в реальной схеме; 3) Убедиться в совпадении распиновки корпуса.

Вывод: Infineon IPI90R800C3XKSA1 — это высококачественный, надежный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для построения эффективных силовых преобразователей на напряжение около 400В (с запасом по 900В). При выборе аналога ключевыми параметрами являются Vds=900В, Rds(on) ~0.8 Ом, ток 4.5А и технология Superjunction, оптимизированная для переключения.