Infineon IPP023NE7N3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET-транзистора Infineon IPP023NE7N3.

Описание

Infineon IPP023NE7N3 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 3. Этот транзистор является частью линейки, известной своей высокой эффективностью и надежностью, и предназначен для широкого спектра применений в силовой электронике.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Благодаря этому достигаются минимальные потери на проводимость и высокая общая эффективность системы.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что способствует уменьшению габаритов пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов) в конечном устройстве.
• Низкий заряд затвора (Q G): Упрощает управление транзистором и снижает потери в драйвере.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Обеспечивает надежность и устойчивость к перенапряжениям в жестких условиях работы.
• Корпус TO-220: Классический и широко распространенный корпус, удобный для монтажа и отвода тепла (часто требует использования теплоотвода при больших мощностях).

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Motor Control (управление двигателями)
• DC-DC преобразователи
• Солнечные инверторы
• Сварочное оборудование
• Силовые инверторы и т.д.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | | | Техпроцесс | OptiMOS 3 | | | Корпус | TO-220 | | | Полярность | N-Channel | | | Сток-Исток напряжение (V DSS) | 25 В | | | Сток-Исток сопротивление (R DS(on)) | 2.3 мОм (макс.) | V GS = 10 В, I D = 14 А | | | 1.7 мОм (тип.) | V GS = 10 В, I D = 14 А | | Максимальный ток стока (I D) | 75 А | При T C = 25°C | | | 50 А | При T C = 100°C | | Максимальная рассеиваемая мощность (P D) | 70 Вт | При T C = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 2.2 - 3.2 В | V DS = V GS, I D = 250 мкА | | Заряд затвора (Q G (тип.)) | 27 нКл | V GS = 10 В | | Время включения (t d(on) / t r) | 9 нс / 17 нс | | | Время выключения (t d(off) / t f) | 24 нс / 8 нс | | | Диод обратного хода (Internal Diode) | Есть | | | Максимальное напряжение Затвор-Исток (V GS) | ±20 В | |

Парт-номера и совместимые модели

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами для разных каналов поставки или упаковок. Прямыми аналогами, которые являются тем же самым кристаллом в том же корпусе, могут быть:

Прямые аналоги (функционально идентичны)

• SPP23NE7N3 — аналог от Infineon, предназначенный для определенных рынков или дистрибьюторов.
• IPP023NE7N3XKSA1 — полный Ordering Code для заказа.

Ближайшие аналоги и совместимые модели (требуют проверки по datasheet)

При поиске замены важно сравнивать ключевые параметры: V DSS, I D, R DS(on) и корпус. Следующие модели являются очень близкими аналогами от Infineon и других производителей с похожими или лучшими характеристиками:

От Infineon (более новые поколения):

• IPP023NE7N5 (OptiMOS 5): Прямой наследник, имеет еще более низкое R DS(on) (~1.6 мОм) при прочих равных. Является предпочтительной заменой для новых проектов.
• IRF7413Z2PBF (International Rectifier, теперь часть Infineon): Очень близкий аналог.
• IRF7416Z2PBF: Аналогичные параметры.

От других производителей:

• STMicroelectronics:
  • STL320N4LF3 (младшее поколение, но хороший аналог)
  • STP220N4F7
• Vishay / Siliconix:
  • SQJ220EP-T1_GE3
• ON Semiconductor:
  • NTMFS5C404N (в корпусе D2PAK, требует проверки распиновки)
• TI (Texas Instruments):
  • CSD17313Q3 (в корпусе SON, для поверхностного монтажа)

Важное примечание: Перед заменой на аналог, особенно от другого производителя, настоятельно рекомендуется:

1. Тщательно сравнить datasheets, особенно параметры R DS(on), Q G, V GS(th) и динамические характеристики.
2. Проверить цоколевку (pinout) корпуса.
3. Убедиться в соответствии по рабочей температуре и надежности в вашем конкретном применении.