Infineon IPP091N06N

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IPP091N06N.

Описание

IPP091N06N — это N-канальный силовой MOSFET транзистор в корпусе TO-220, разработанный компанией Infineon Technologies. Он принадлежит к линейке OptiMOS™, которая известна своим исключительно низким значением сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) и высокими показателями эффективности.

Ключевые особенности и применение:

• Основное назначение: Предназначен для высокоэффективного переключения в цепях с низким напряжением. Идеально подходит для применений, где критичны потери на проводимость и переключение.
• Типичные области применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно синхронные выпрямители на стороне низкого напряжения.
  • DC-DC преобразователи (например, в серверах, телекоммуникационном оборудовании).
  • Цепи управления двигателями (мотор-контроллеры).
  • Схемы защиты от обратной полярности (eFuse).
  • Инверторы и драйверы в автомобильной электронике (управление освещением, насосами).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 3 (или аналогичная) | Поколение с оптимизированным RDS(on) | | Корпус | TO-220 | Сквозной монтаж, с возможностью крепления на радиатор | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 60 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (ID при 25°C) | 91 А | При условии эффективного отвода тепла. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 9.1 мОм (макс.) | При VGS = 10 В. Ключевой параметр, определяющий потери на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.0 - 4.0 В | Типичное ~3В. Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Заряд затвора (Qg) | ~55 нКл | При VGS = 10 В. Важно для расчета драйвера затвора. | | Макс. мощность рассеяния (PD) | ~250 Вт | Теоретический максимум при идеальном теплоотводе и Tj=25°C. |

Важное примечание: Приведенные значения тока и мощности — максимальные теоретические. В реальной схеме допустимые токи и мощность сильно зависят от условий теплоотвода (радиатор, обдув, температура окружающей среды). Всегда необходим тепловой расчет.

Парт-номера и совместимые модели (Cross-Reference)

Транзисторы с аналогичными параметрами часто производятся другими компаниями. Совместимость следует проверять по ключевым параметрам: VDS, ID, RDS(on), корпус и, желательно, передаточные характеристики.

Аналоги от Infineon (в других корпусах или с незначительными отличиями):

• IPP091N06N3 (в корпусе TO-220-3 FullPAK или D²PAK)
• IPP096N06N3 (очень близкий аналог, 96А, 6.5 мОм)
• IPP110N06N3 (более новая/эффективная версия, 110А, 5.5 мОм)

Прямые аналоги / замены от других производителей:

Совместимость следует проверять по даташитам, но эти модели часто используются как аналогичные:

• International Rectifier (IR): IRF1404, IRF1405 (обратите внимание на напряжение VDS у аналогов)
• Vishay (Siliconix): SQJ410EP (часто используется как аналог)
• STMicroelectronics: STP110N6F6, STP100N6F7
• ON Semiconductor: NTMFS6H800N (более современный, в корпусе D²PAK)
• Fairchild/ON Semi: FDP100N06 (классический аналог)

Важные советы по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитами. Особенно важны графики зависимости RDS(on) от тока и температуры, а также характеристики переключения.
2. Проверяйте распиновку (pinout). Хотя для TO-220 она часто стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), бывают исключения.
3. Учитывайте заряд затвора (Qg). Если ваш драйвер рассчитан на определенный Qg, замена на транзистор с сильно отличающимся значением может привести к проблемам с переключением (перегрев, неполное открытие).
4. Проверьте рекомендуемую схему драйвера. Особенно напряжение на затворе VGS (для IPP091N06N типично 10В).

Вывод: Infineon IPP091N06N — это мощный и эффективный MOSFET для низковольтных применений, где требуется высокий ток и минимальные потери. При замене на аналог ключевыми параметрами для сравнения являются VDS = 60В, ID > 90А, RDS(on) ~ 9-10 мОм и корпус TO-220.