Infineon IPP093N06N3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного MOSFET транзистора Infineon IPP093N06N3.

Общее описание

Infineon IPP093N06N3 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 3. Он предназначен для применения в цепях переключения высокой мощности, где критически важны высокий КПД, надежность и низкие потери.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 9.3 мОм при 10 В на затворе. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев в открытом состоянии.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора (Qg) и выходной емкости (Coss), что позволяет работать на высоких частотах (десятки-сотни кГц) с малыми коммутационными потерями.
• Высокая нагрузочная способность: Непрерывный ток стока (Id) до 100 А при температуре корпуса 25°C и импульсный ток до 400 А.
• Низкое пороговое напряжение затвора: Типовое значение 2.7 В, что обеспечивает хорошую совместимость с большинством драйверов и микроконтроллеров (хотя для полного открытия рекомендуется 10 В).
• Высокая надежность: Продукт оптимизирован для жестких условий эксплуатации, обладает высокой стойкостью к лавинным breakdown (Avalanche Rugged).
• Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошим соотношением цена/производительность и возможностью установки на радиатор.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | - | N-канальный MOSFET | - | | Технология | - | OptiMOS 3 | - | | Сток-исток напряжение | Vds | 60 В | - | | Сток-затвор напряжение | Vdgr | 60 В | - | | Сток непрерывный ток | Id | 100 А | Tc = 25°C | | Сток импульсный ток | Idm | 400 А | - | | Сопротивление открытого канала | Rds(on) | 9.3 мОм (макс.) | Vgs = 10 В, Id = 50 А | | | | 11 мОм (макс.) | Vgs = 4.5 В, Id = 25 А | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 2.0 - 3.0 В (тип. 2.7 В) | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Заряд затвора (полный) | Qg | 68 нКл (тип.) | Vgs = 10 В | | Входная емкость | Ciss | 1970 пФ (тип.) | Vds = 25 В, Vgs = 0 В, f = 1 МГц | | Выходная емкость | Coss | 380 пФ (тип.) | Vds = 25 В, Vgs = 0 В, f = 1 МГц | | Емкость обратной связи | Crss | 55 пФ (тип.) | Vds = 25 В, Vgs = 0 В, f = 1 МГц | | Максимальная рассеиваемая мощность | Ptot | 300 Вт | Tc = 25°C | | Температура перехода | Tj | от -55 до +175 °C | - | | Корпус | - | TO-220 | - |

Парт-номера (Part Numbers)

Официальный и полный номер производителя (MPN):

• IPP093N06N3

Этот номер может встречаться у дистрибьюторов и в спецификациях. У Infineon, как правило, нет внутренних альтернативных номеров для этой конкретной модели.

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске аналога важно учитывать ключевые параметры: Vds (60В), Id (100А), Rds(on) (~9-10 мОм), корпус (TO-220) и технологию (желательно OptiMOS 3 или аналогичную от других вендоров).

Прямые аналоги от Infineon (технология OptiMOS 3):

• IPP096N06N3 — очень близкий аналог, Rds(on) = 9.6 мОм. Практически полная замена.
• IPP110N06N3 — Rds(on) = 11 мОм, немного больше потерь, но обычно дешевле.
• IPP023N06N3 — Более новый и эффективный (OptiMOS 3, но в линейке "с низким Rds(on)"), Rds(on) = 2.3 мОм, но рассчитан на меньший ток (Id=75A). Подходит, если нужен запас по КПД.

Аналоги от других производителей:

| Производитель | Модель-аналог | Ключевые отличия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP100N6F7 | STripFET F7, Rds(on) = 9.0 мОм, Vds=60V, Id=100A. Один из самых популярных прямых аналогов. | | Vishay / Siliconix | SQJ100E06-07 | TrenchFET Gen IV, Rds(on) = 7.0 мОм, Vds=60V, Id=100A. Более низкое Rds(on). | | ON Semiconductor | FDB100N06 | (Ранее Fairchild), Rds(on) = 9.3 мОм, Vds=60V, Id=100A. Классический аналог. | | Nexperia | PSMN4R5-60YS | LFPAK56 (корпус Power-SO8), Rds(on) = 4.5 мОм. Не совпадает корпус, но электрически превосходит. Для нового дизайна. | | IR (International Rectifier) | IRF3205 | Внимание! Очень популярный, но устаревший транзистор. Vds=55В (меньше!), Rds(on)=8.0 мОм, но технология старше, коммутационные характеристики хуже. Не рекомендуется для новых проектов, только как замена в старых. |

Типичные области применения

• Системы управления электродвигателями: Мотор-драйверы, контроллеры для электровелосипедов, скейтов, инвалидных колясок.
• Источники питания: Низковольтные DC-DC преобразователи, синхронные выпрямители, цепи OR-ing.
• Инверторы и преобразователи: Для солнечной энергетики, ИБП.
• Силовые ключи в автомобильной электронике (низковольтные системы 12/24/48В).
• Пускатели и контроллеры для мощных светодиодных лент.

Важно: Перед заменой на аналог всегда сверяйте datasheet, особенно разделы с динамическими характеристиками, диодом сток-исток (если используется) и layout рекомендациями по печатной плате. Для высокочастотных применений различия в паразитных емкостях и зарядах могут быть критичны.