Infineon IPP120P04P404AKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET-транзистора Infineon IPP120P04P4-04AKSA1.

Описание

Infineon IPP120P04P4-04AKSA1 — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS™-4. Этот транзистор предназначен для приложений, требующих высокой эффективности и надежности, особенно в условиях низкого напряжения питания.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология OptiMOS™-4 обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)), что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая стоковая токовая способность: Рассчитан на постоянный ток до 120А, что делает его пригодным для мощных нагрузок.
• Низкое пороговое напряжение: Позволяет эффективно работать в низковольтных системах (например, от 5В).
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора, что критически важно для импульсных преобразователей и ШИМ-управления.
• Отличная устойчивость к лавинным нагрузкам: Гарантирует надежность в жестких условиях эксплуатации.
• Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошим соотношением цена/производительность, подходит для монтажа на радиатор.

Основные области применения:

• Системы управления двигателями (например, в электромобилях, дронах, промышленных приводах).
• Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS), особенно синхронное выпряление.
• DC-DC преобразователи (повышающие, понижающие).
• Управление мощной нагрузкой (H-мосты, контроллеры освещения).
• Солнечные инверторы и системы возобновляемой энергии.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | OptiMOS™-4 | | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, с выводами | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 40 В | Максимальное напряжение | | Непрерывный ток стока (ID) | 120 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (IDpulse) | 480 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | ~1.2 мОм | Тип. при VGS=10 В, ID=60A | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.8 - 2.4 В | Тип. 2.1 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (±VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~130 нКл | При VDS=20 В, ID=60A | | Время включения (ton) / выключения (toff) | ~20 нс / ~30 нс | Быстрое переключение | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | Важно для синхронного выпряления | | Тепловое сопротивление (RthJC) | ~0.5 °C/Вт | Корпус-кристалл | | Диапазон рабочей температуры (Tj) | от -55 до +175 °C | Макс. температура перехода |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может поставляться под различными парт-номерами в зависимости от упаковки (катушка, россыпь) или логистических кодов. Основной код — IPP120P04P4-04AKSA1.

Варианты упаковки/маркировки:

• IPP120P04P4-04AKSA1 — стандартное обозначение.
• На корпусе может быть нанесена маркировка: P04P4 или полный код.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

При поиске аналога необходимо обращать внимание на ключевые параметры: VDSS=40-55В, ID=120-150А, RDS(on) ~1-1.5 мОм, корпус TO-220.

Прямые или очень близкие аналоги:

1. От Infineon (той же серии):

   • IPP120P04P4-03 (предыдущее поколение OptiMOS™-3, параметры очень близки).
   • IPP110P04P4-04 (110А, чуть выше RDS(on)).
   • IPP140P04P4-04 (140А, более мощный).

2. От других ведущих производителей:

   • Vishay (SiR/Siliconix):
     • SQJ120EP (40V, 120A, 1.3 мОм в корпусе TO-220-4 FullPAK).
   • ON Semiconductor (Fairchild):
     • FDP110N08 (80V, 110A, 6.5 мОм) — по току близок, но напряжение выше, RDS(on) больше.
     • FDBL1201 (40V, 120A, 1.3 мОм в корпусе TO-262) — очень близкий аналог в другом корпусе.
   • STMicroelectronics:
     • STP120N4F6 (40V, 120A, 1.6 мОм) — очень хороший аналог.
     • STH120N4F6 (в корпусе TO-247).
   • Nexperia:
     • PSMN4R0-120SSE (40V, 120A, 4.0 мОм) — по току подходит, но RDS(on) значительно выше.

Важно! Перед заменой всегда необходимо:

1. Сверяться с даташитом конкретного аналога.
2. Проверять распиновку корпуса (она стандартна для TO-220, но бывают нюансы).
3. Учитывать параметры, критичные для вашей схемы: заряды затвора (Qg, Qgd), скорость переключения, характеристики встроенного диода (Qrr, trr).

Данный транзистор является отличным выбором для проектов, где требуется высокий КПД, мощная коммутация и надежность в компактном корпусе.