Infineon IPP120P04P4L-03

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для мощного MOSFET-транзистора Infineon IPP120P04P4L-03.

Общее описание

Infineon IPP120P04P4L-03 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ P4. Он принадлежит к семейству низковольтных MOSFET (40V), которое оптимизировано для обеспечения исключительно низкого сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)) и высоких показателей эффективности. Ключевая особенность данной модели — сверхнизкое значение RDS(on), достигаемое за счет использования корпуса PG-TO-220-3-11 (также известного как TO-220-4L или TO-220 FullPAK), где четвертый вывод (винт) электрически соединен с медной подложкой для улучшенного теплоотвода, но изолирован от стока (D). Это позволяет монтировать транзистор на общий радиатор без изолирующих прокладок, что упрощает конструкцию и снижает тепловое сопротивление.

Основное назначение: Применяется в цепях с высокими токами и требовательных к эффективности, таких как:

• Системы управления двигателями (например, в электромобилях, дронах, промышленных приводах).
• Синхронное выпрямление в импульсных источниках питания (SMPS).
• DC-DC преобразователи (низковольтные шины 12В, 24В).
• Солнечные инверторы и системы управления батареями (BMS).
• Мостовые схемы (H-мосты).

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условие | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, Enhancement Mode | | | Технология | OptiMOS™ P4 | | | Корпус | PG-TO-220-3-11 (TO-220-4L FullPAK) | Изолированный сток! Винт не соединен с выводами. | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 40 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (ID) | 120 А | При Tc = 25°C. | | Импульсный ток стока (IDM) | 480 А | Максимальный кратковременный импульсный ток. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | < 1.2 мОм | Ключевой параметр. При VGS = 10 В, ID = 60 А. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 2.8 В. | | Максимальное напряжение затвор-исток (±VGS) | ±20 В | Важно не превышать для избежания повреждения. | | Заряд затвора (Qg) | ~ 170 нКл (тип.) | При VGS = 10 В, влияет на скорость переключения и драйвер. | | Общая рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт | При Tc = 25°C. | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0.42 К/Вт | Показывает, насколько хорошо кристалл отдает тепло корпусу. | | Диод сток-исток (Internal Body Diode) | Есть | Параметры: VSD ~ -0.8 В (тип.), trr ~ 110 нс (тип.). |

Важное примечание: Указанные максимальные токи и мощность достижимы только при идеальном и очень эффективном охлаждении кристалла (температура корпуса Tc = 25°C). В реальных условиях рабочие параметры определяются системой теплоотвода.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Эта модель может встречаться под разными парт-номерами в зависимости от упаковки (бумажная лента, россыпь) или небольших маркировочных вариаций. Основной номер — IPP120P04P4L-03.

Совместимые / Конкурирующие модели (прямые и близкие аналоги)

При поиске замены необходимо сверять не только основные параметры (VDSS, ID, RDS(on)), но и корпус (особенно изоляцию стока), характеристики переключения (Qg, trr) и цоколевку.

1. От Infineon (технология OptiMOS P4/P5/P6):

• IPP120P04P4L-03 (аналогичная, возможно, с другим типом упаковки)
• IPP120P04P4L-03ATMA1 (вероятно, версия для автоматического монтажа на ленте)
• IPP120P04P4L-03XKSA1
• Более новые поколения (P5, P6) могут иметь лучшие параметры при том же корпусе, например, IPP120P04P5L-03 (если существует) или аналоги из серии IPP...P6.

2. От других производителей (необходима тщательная проверка даташитов):

• Vishay / Siliconix: Модели серии SUD120P04-03L (например, SUD120P04-03L-E3) в корпусе TO-220-4L (изолированный). Очень близкий прямой аналог по параметрам и корпусу.
• ON Semiconductor / Fairchild: FDP120P04 (но чаще в стандартном TO-220). Нужно искать модели с суффиксом, указывающим на изолированный корпус (например, "F" или "I").
• STMicroelectronics: STP120N4F4, STH120N4F4 (серия STripFET F4). Корпус может быть I²PAK (TO-262-4L), который является аналогом TO-220-4L по монтажу и изоляции.
• Nexperia: Модели в корпусе TO-220-4L (изолированный), например, из серий, оптимизированных для моторных приводов.
• Texas Instruments: Модели в рамках серий CSD- или NexFET™.

Критически важные советы по замене:

1. Корпус: Обязательно ищите TO-220-4L (FullPAK, изолированный) или его SMD-аналог TO-262-4L (I²PAK). Стандартный TO-220-3 (где винт соединен со стоком) НЕ СОВМЕСТИМ по монтажу без изоляции радиатора.
2. Параметры: Сравнивайте RDS(on) при одинаковом VGS (обычно 10В), заряд затвора (Qg) (важно для драйвера) и скорость внутреннего диода (trr) (важно для индуктивных нагрузок).
3. Цоколевка (Pinout): Всегда проверяйте расположение выводов Gate, Drain, Source на корпусе аналога.

Рекомендуется использовать официальные источники (Infineon, Vishay, Mouser, Digikey) и сравнивать даташиты для окончательного подтверждения совместимости перед заменой.